Разработаны стационарные газоанализаторы для непрерывного измерения содержания окислов азота и серы в дымовых газах теплоэлектростанций, сжигающих природный газ, уголь и мазут. Работа газоанализаторов основана на использовании метода дифференциального поглощения в УФ-области спектра без применения лазерных источников света. Эксплуатация газоанализаторов на российских теплоэлектростанциях показала их высокую чувствительность, надежность и простоту обслуживания при невысокой стоимости по сравнению с зарубежными приборами аналогичного класса.

Книга предназначена для тех пользователей текстового процессора Microsoft Word 2.0 для Windows, которые желают повысить свой профессиональный уровень. В книге собраны справочные сведения; документацию фирмы Microsoft Corp. она не заменяет. Имена Microsoft и MS являются зарегистрированными торговыми марками, а Windows - торговой маркой Microsoft Corp. Если это не оговорено специально, все встречающиеся в тексте названия организаций и именно людей являются вымышленными.

Приведены технические характеристики и описание переносных телевизоров цветного изображения, выполненных на транзисторах и интегральных микросхемах, а также принципиальные электрические и электромонтажные схемы, таблицы рабочих режимов транзисторов и микросхем, данные намоточных изделий. Особое внимание уделено вопросам ремонта и эксплуатации телевизоров. Подробно рассмотрены возможные неисправности телевизоров и методика их обнаружения. Даны рекомендации по устранению дефектов, настройке, регулировке, эксплуатации и оценке качества работы телевизоров. Для подготовленных радиолюбителей: может быть полезна инженерно-техническим работникам, занимающимся ремонтом радиоаппаратуры.

В обзоре рассмотрена зависимость минимальной обнаруживаемой мощности фотоприемного устройства от различных характеристик системы. Отмечены основные характеристики, особенно сильно влияющие на чувствительность системы с лавинным фотодиодом (ЛФД) и системы с pin-фотодиодом и полевым транзистором (pin FET). Проведено сравнение минимальной обнаруживаемой мощности этих двух систем при различных скоростях передачи информации. Показано, что системы pin FET не будут уступать по чувствительности на высоких скоростях передачи информации системам ЛФД на основе InP/InGaAs (с разделенными областями лавинного умножения и фотогенерации) только при очень низких входных емкостях (~0,1 пФ). Рассмотрены основные виды современных ЛФД на основе различных материалов, в том числе ЛФД на сверхрешетках. Рассмотрены основные виды полевых транзисторов, в том числе полевые транзисторы, функционирование которых основано на эффекте двумерного электронного газа. Из приведенных данных следует, что наиболее быстродействующими и низкошумящими будут ЛФД на сверхрешетках и полевые транзисторы с двумерным электронным газом.

Излагается систематическая теория смешанных колебаний механических систем. Приводится анализ динамики автоколебательных систем, взаимодействующих с источниками энергии, при наличии нелинейных упругих связей, периодических, параметрических воздействий и запаздывания. Рассматриваются нелинейные вынужденные и параметрические колебания систем, взаимодействующих с двумя источниками энергии. Основная цель книги - концентрация внимания на том богатом многообразии физических явлений, которое возможно при смешанных колебаниях и динамическом взаимодействии колебательной системы с источниками энергии. Предназначена для специалистов по теории нелинейных колебаний, научных работников и инженеров, занимающихся вопросами колебаний механических систем и вибрационной техники.

Книга представляет собой второй том статей по ядерной энергетике, выходящих в США под редакцией Гудмена. (Всего должно выйти 3 тома.)??Второй том содержит статьи по отдельным вопросам, связанным с получением ядерной энергии, и предназначен для читателя, уже знакомого с основными статьями первого тома. Первая глава американского издания, посвященная вопросу о геологических запасах некоторых элементов, применяющихся в ядерной энергетике, была опущена при переводе, так как данные, приведенные в ней, взяты из весьма сомнительных источников и в таком виде эта глава не представляет интереса для советского читателя. Сокращена также часть последней главы, как не имеющая прямого отношения к затронутым в книге вопросам.

В монографии представлены результаты многолетних исследований автора. Во второй части анализ прочности и ресурса развит на область оценки характеристик техногенной безопасности. Рассмотрены методические особенности комплексных экспериментальных исследований напряженно-деформированных состояний в условиях различного сочетания механических, тепловых, электромагнитных, аэрогидродинамических нагрузок для штатных и аварийных режимов. Приведены исходные данные для расчетного определения показателей прочности, ресурса и безопасности для объектов тепловой, атомной и термоядерной энергетики, ускорителей, сосудов, трубопроводов и техники северного исполнения. Даны научно-методические рекомендации по оценке прочности, ресурса и безопасности технических систем. Книга предназначена для исследователей, конструкторов, технологов, преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела, динамики, прочности. надежности и безопасности машин и конструкций.

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".