| 1081 |
|
Диагностика процессов возбуждения и релаксации колебательных состояний молекулярного азота в газовом разряде методом широкополосного КАРС: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / А. А. Девятов ; науч. рук.: А. Т. Рахимов, И. Г. Персианцев, офиц. оппоненты: Н. И. Коротеев, Ю. С. Акишев; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики, Институт общей физики АН СССР. — М., 1987. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1082 |
|
Эффекты насыщения и поглощения высших порядков в нелинейных оптических резонансах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / В. А. Сорокин ; науч. рук.: С. Г. Раутиан, Э. Г. Сапрыкин, офиц. оппоненты: А. П. Войтович, Ю. А. Матюгин; Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР (Новосибирск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.). — Новосибирск, 1988. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.
|
| 1083 |
|
Формирующие устройства сильноточных ускорителей электронов и генераторы импульсных магнитных полей для релятивистской высокочастотной электроники: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Б. З. Мовшевич ; науч. рук. Г. А. Месяц, офиц. оппоненты: В. В. Кремнев, А. Г. Жерлицын; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт прикладной физики АН СССР (Горький), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Томск, 1988. — 21 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 18-21.
|
| 1084 |
|
Прецизионные детектирующие системы на основе неоднородных полупроводников (Si, GaAs, CdTe): автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.11.10 / А. Я. Яфасов ; офиц. оппоненты: Н. И. Комяк, В. М. Залетин, В. В. Авдейчиков; Радиевый институт им. В. Г. Хлопина (Л.), Центральное проектно-конструкторское и технологическое бюро приборостроения АН Узбекской ССР, Всесоюзный научно-исследовательский институт радиационной техники. — Л., 1990. — 32 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 28-32.
|
| 1085 |
|
Развитие методов и аппаратуры электронно-оптической фотографии для диагностики рентгеновского излучения и ионного состава лазерной плазмы: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. К. Чевокин ; офиц. оппоненты: Н. Г. Ковальский, И. А. Щербаков, А. С. Шиканов; Институт общей физики СССР, Институт высоких температур АН СССР. — М., 1990. — 43 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
| 1086 |
|
Неорганическое материаловедение : энциклопедическое издание / под ред.: Г. Г. Гнесина, В. В. Скорохода. — Киев; : Наукова Думка. — 978-966-00-0631-7.
Т.1 : Основы науки о материалах. — , 2008. — 1152 с.: ил. табл. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-966-00-0664-5: 6664 р.
Первый том посвящен научным основам неорганического материаловедения, что соответствует общей концепции издания, совмещающего информацию о фундаментальных принципах формирования и исследования материалов со сведениями об их свойствах, технологиях и областях применения. Впервые создан энциклопедический свод современных научных представлений о физико-химической природе твердых тел, поведении неорганических материалов под действием внешних физических полей и химических факторов, рассмотрены методы анализа, исследований и диагностики неорганических материалов. Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов, специализирующихся в фундаментальных и прикладных областях современного материаловедения: металлургия расплавов, порошковая металлургия, полупроводники и материалы электронной техники, специальная керамика, оптические материалы, материалы электронной техники, специальная керамика, оптические материалы, материалы ядерной техники, газофазные, плазменные, лазерные и электронно-лучевые технологии, техника высоких давлений, сварка, пайка и пр.
|
| 1087 |
|
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : ДМК Пресс , Б.г.
Т. 1 :. — , 2008. — 832 с.: ил., граф. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94120-200-3: 723.10 р.
Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.
|
| 1088 |
|
Физические основы создания и применения сплошных протяженных лазерных искр: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Л. Я. Полонский ; офиц. оппоненты: Э. И. Асиновский, Н. Г. Ковальский, А. С. Шиканов; Институт высоких температур АН СССР, Институт общей физики АН СССР. — М., 1990. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-27.
|
| 1089 |
|
Усиление и генерация когерентных пучков в активных системах с фоторефрактивными кристаллами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. Ф. Люксютов ; науч. рук. С. Г. Одулов, офиц. оппоненты: Э. А. Пашицкий, В. В. Обуховский; Институт физики АН УССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР. — Киев, 1990. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.
|
| 1090 |
|
Методы математического моделирования эмиссионных приборов физической электроники: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 / В. Я. Иванов ; офиц. оппоненты: Ю. К. Голиков, Л. Н. Галль, И. П. Верещагин; Научно-техническое объединение АН СССР (Л.), Институт математики СО АН СССР (Новосибирск), Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО АН СССР (Новосибирск). — Л., 1990. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 37-40.
|