Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Плазмохимический синтез наноразмерного диоксида кремния из тетраэтоксисилана, инициируемый импульсным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Г. Е. Холодная ; науч. рук. Р. В. Сазонов, офиц. оппоненты : Ю. М. Анненков, А. Н. Лапин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики высоких технологий, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Моделирование подземного нагрева горючих сланцев: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. М. Мартемьянов ; науч. рук. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты С. В. Смирнов, А. А. Беспалько; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт углехимии и химического материаловедения СО РАН. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.

Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Структура, оптические свойства и радиационная стойкость синтезированных и модифицированных порошков титана бария: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Т. А. Утебеков ; науч. рук. М. М. Михайлов, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, П. С. Гордиенко; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ОАО "Информационные спутниковые системы" им. Академика М. Ф. Решетнева, Национальный исследовательский Томский политехнический университет. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Структура и свойства поликристаллического α-Al2O3 модифицированного мощным лазерным излучением: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Е. В. Саврук ; науч. рук. С. В. Смирнов, офиц. оппоненты : С. А. Гынгазов, М. В. Гришаев; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Новосибирский государственный технический университет. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Резонансное взаимодействие излучения с веществом: сб. статей / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; отв. ред. тома А. Н. Ораевский. — М.: Наука, 1988. — 223 с.: ил. — (Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР / гл. ред. Н. Г. Басов). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000048-5: 3.70 р.

Исследование ионного диода с Br - магнитным полем: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / А. В. Степанов ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: Г. Ю. Юшков, В. С. Ковивчак; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". — Томск, 2015. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.