| 191 |
|
Проблемы микроэлектронной технологии: сборник научных трудов / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома Л. В. Великов. — М.: Наука, 1994. — 78 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-007019-X: 600.00 р. |
| 192 |
|
Проблемы микроэлектронной технологии: сборник научных трудов / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома А. А. Орликовский. — М.: Наука, 1994. — 128 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-007030-0: 1350.00 р. |
| 193 |
|
Нанофизика и наноэлектроника : труды XVI международного симпозиума / Нанофизика и наноэлектроника (Нижний Новгород) (XVI ; 12-16 марта 2012 г.). — Нижний Новгород; , Б.г.
Т. 2 :. — , 2012. — : ил. — Библиогр. в конце ст. — 90.00 р.
|
| 194 |
|
Технологические проблемы микроэлектроники: сборник научных трудов / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. : Т. М. Махвиладзе, А. В. Раков. — М.: Наука, 1988. — 169 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров, 0233-9390). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000723-4: 2.60 р. |
| 195 |
|
Субмикронные технологии: сборник научных трудов / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома В. Н. Репин. — М.: Наука, 1995. — 79 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000831-1: 4600.00 р. |
| 196 |
|
Труды ЛПИ: сборник научных трудов / Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (Л.); отв. ред. Ю. С. Васильев. — Л.: ЛПИ, 1983. — 90 с.: граф. — Библиогр. в конце ст.
Межкафедральный сборник статей содержит результаты научно-исследовательских работ, выполненных сотрудниками четырех факультетов ЛПИ при участии работников промышленности за несколько лет и посвященных различным аспектам решения комплексной проблемы создания прогрессивных конструкций различного назначения и разработки наиболее эффективных технологических процессов их производства с использованием высококачественных сварочных материалов и нового оборудования. Предлагаемые в сборнике статьи предназначены для инженерно-технических работников проектных и производственных организаций, а также для научных работников сварочного производства. Эти материалы могут быть полезны студентам старших курсов сварочной специальности. Рекомендован к изданию головным советом "Металлургия".
|
| 197 |
|
Использование геоинформационных технологий для анализа динамики опасных природных процессов, воздействующих на сферу природопользования (на примере Томской области): научное издание / Е. С. Волкова; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск) // Томск.
|
| 198 |
|
Создание и использование пространственной базы данных для оптимизации развития сферы лесопользования (на примере Томской области): научное издание / Е. С. Волкова; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск) // Новосибирск. В статье представлен опыт создания информационно-аналитической базы для оптимизации развития сферы лесопользования в Томской области на основе современной ГИС-системы. На примере модельного региона - Томской области, разработан ГИС-проект для сферы лесопользования, состоящий из многофакторных показателей, взаимосвязанных между собой. Обоснованы выводы о рациональности использования ГИС-технологий для всесторонней количественной оценки и комплексного регионального анализа возможностей развития лесопромышленного комплекса региона.
|
| 199 |
|
Легированные кристаллы GaSe: физические свойства и применение в устройствах прикладной спектроскопии: научное издание / Ю. М. Андреев [и др.]; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск), Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета (Томск), Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН (Новосибирск), Томский государственный университет (Томск) // Томск. Подведены итоги разработки улучшенных технологий синтеза и выращивания модифицированных легированием нелинейных кристаллов GaSe, методов характеризации и результаты исследования физических свойств, проанализированы параметры разработанных на их основе источников перестраиваемого излучения среднего ИК и широкополосных источников ТГц-диапазонов, приведены первые результаты применения в прикладной спектроскопии.
|
| 200 |
|
Laser Processing of Advanced Materials and Laser Microtechnologies: Proceeding of SPIE. — Washington: SPIE, 2002. — 422 p.: il. — Author Index: p. 420-422. — ISBN 0-8194-4981-4.
|