| 361 |
|
Влияние структурных дефектов на электронные свойства поверхности и границ раздела в сплавах Гейслера: научное издание / С. С. Кульков [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // Новосибирск. Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры сплавов Гейслера Co2MnGa(Si) и Ni2MnGa, а также их тонких пленок на полупроводниковых подложках. Анализируется влияние структурных дефектов на электронную структуру и магнитные свойства в объеме, на поверхности и границах раздела.
|
| 362 |
|
Исследование принципов организации, функционирования и разработка распределенного электронного каталога библиотечного консорциума: дис. ... канд. техн. наук : 05.25.05 / О. С. Колобов ; науч. рук. А. М. Федотов; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск; Новосибирск, 2007. — 132 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 113-123.
|
| 363 |
|
Импульсные источники питания: теорет. основы проектирования и рук. по практ. применению / Р. Мэк ; пер. с англ. С. В. Пряничникова. — Москва: Додэка-XXI, 2008. — 271 с.: ил.; 24 см. — (Силовая электроника). — На обл. авт.: Раймонд Мэк. — Предм. указ.: с. 268-271. — ISBN 978-5-94120-172-3: 406.56 р.
Импульсные источники питания (ИИП) быстро идут на смену устаревшим линейным источникам питания благодаря своей высокой производительности, улучшенной стабилизации напряжения и малым габаритам. В книге подробно обсуждаются фундаментальные теоретические принципы и методы проектирования импульсных источников питания и приводятся сведения, знание которых не только поможет инженерам оптимизировать выбор серийных источников питания для своих проектов, но и позволит им разрабатывать собственные оригинальные схемы ИИП. Книга ориентирована на читателей, желающих глубже вникнуть в суть работы импульсных источников питания и их проектирования, не забираясь при этом в математические «дебри». Особое внимание уделяется выбору соответствующих компонентов, таких, как дроссели и трансформаторы, с учётом обеспечения безопасной и надёжной работы схем ИИП. На примере предложенных автором оригинальных проектов иллюстрируются те или иные компромиссы, к которым непременно приходится прибегать при разработке импульсных источников питания. Рассматриваются как сетевые источники питания, так и преобразователи постоянного напряжения (DC/DC). Книга охватывает все основные схемы импульсных источников питания, включая обратноходовые и прямоходовые преобразователи, мостовые, понижающие, повышающие и комбинированные схемы. В качестве примеров приведены практические схемы 220-вольтового сетевого импульсного источника питания и 110-вольтового источника бесперебойного питания.
|
| 364 |
|
Surface Modification of TiNi Alloy by Electrom Beam Influence: научное издание / Л. Л. Мейснер [et al.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Всерос. науч.-практ. центр имплантантов с памятью формы // Томск.
|
| 365 |
|
Исследование высоковольтной стадии вакуумного разряда для получения квазистационарных электронных пучков: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Э. Н. Абдуллин ; науч. рук. С. П. Бугаев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1982. — 128 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 114-128.
|
| 366 |
|
Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1997. — 131 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 119-129.
|
| 367 |
|
Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, Э. Н. Абдуллин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1997. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 368 |
|
Характеристики электронных пучков в диодах со взрывоэмиссионным катодом: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. Я. Беломытцев ; науч. рук. Е. А. Литвинов; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1983. — 110 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 98-110.
|
| 369 |
|
Характеристики электронных пучков в диодах со взрывоэмиссионным катодом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. Я. Беломытцев ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, В. ПЕ. Григорьев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1984. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-15.
|
| 370 |
|
Аналитические методы в нелинейной теории пучково-плазменных неустойчивостей: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Ю. И. Бобылев ; науч. конс. М. В. Кузелев, офиц. оппоненты: А. Н. Лебедев, Л. С. Кузьменков, Н. С. Ерохин; Тульский государственный педагогический университет им. Л. Н. Толстого (Тула), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 2007. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-27.
|