| 1861 |
|
Микролитография. Принципы, методы, материалы : в двух частях / У. Моро. — М.; : Мир , Б.г.
:. — , 1990. — 605 с.: граф., табл. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001716-X: 9.12 р.
|
| 1862 |
|
Закономерности макромасштабной неоднородности пластического течения металлов и сплавов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Данилов ; науч. конс. Л. Б. Зуев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 1995. — 259 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 237-259.
|
| 1863 |
|
Cubic boron nitride: raman and luminescence investigations, prospects for use in opto- and microelectronics = Кубический нитрид бора: исследования комбинационного рассеяния и люминесценции, перспективы использования в опто- и микроэлектронике: монография / E. M. Shishonok ; рец.: И. А. Петруша, А. К. Федотов. — Minsk: Publ. center of BSU, 2009. — 263 p.: цв.ил.; 21 cm. — Bibliogr.: p. 233-262. — ISBN 978-985-476-711-6: 380.00 р.
В монографии представлены результаты исследований кубического нитрида бора (cBN) в различных морфологических формах (микропорошки, монокристаллы, керамические образцы и поликристаллы) методами ИК-спектроскопии, комбинационного рассеяния (КР), фото- и катодолюминесценции (ФЛ и КЛ). Освещаются аспекты влияния отклонения состава образцов от стехиометрического и легирования cBN на его ИК-спектры, спектры КР, ФЛ и КЛ и результаты получения и исследования светоизлучающих материалов на основе cBN, активированных редкоземельными элементами, обладающих интенсивной световой эмиссией в широком спектральном диапазоне (УФ, видимый, ИК) и перспективы использования указанных материалов в оптоэлектронике. Излагаются результаты практического использования метода ЭПР как способа определения относительных значений теплопроводности cBN с целью изготовления толстых пленок с высокой теплопроводностью для нужд микроэлектроники. Представлены результаты исследования физических свойств толстых пленок на основе cBN.
|
| 1864 |
|
Динамическая локализация деформации в нагруженном материале на нано- и мезо-масштабных уровнях. Моделирование методом частиц: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. И. Дмитриев ; научный консультант С. Г. Псахье; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2006. — 311 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 284-311.
|
| 1865 |
|
Zeitschrift fur Metallkunde. — Munchen: Hanser. |
| 1866 |
|
Закономерности инициированной диффузией эволюции структуры субмикрокристаллических молибдена и сплава ВТ6 в условиях воздействия температуры и напряжения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. П. Мишин ; науч. рук. Г. П. Грабовецкая, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2012. — 18 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1867 |
|
Физические основы формирования кристаллов с дисклинационными дефектами и пентагональной симметрией в процессе электрокристаллизации меди: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. П. Воленко ; науч. конс. А. А. Викарчук, оппоненты: А. М. Глейзер, А. В. Покоев, А. Д. Васильев; Тольяттинский государственный университет (Тольятти), физико-технический институт, Исследовательский центр ДТР ОАО "АВТОВАЗ", Самарский гос. техн. ун-т. — Самара, 2004. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 1868 |
|
Структуры, формирующиеся при электрокристаллизации ГЦК-металлов, и их эволюция в температурных и силовых полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Викарчук ; оппоненты: Ю. В. Мильман, А. Е. Романов, Э. В. Козлов; Тольяттинский гос. ун-т, Институт физики перспективных материалов при УГАТУ (Уфа), Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.). — СПб., 1999. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 1869 |
|
Комплексное модифицирование сталей и покрытий TiN в плазме дуговых разрядов низкого давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01, 05.27.02 / И. М. Гончаренко ; науч. рук.: А. Д. Коротаев, Н. Н. Коваль, оппоненты: А. В. Колубаев, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Уфимский государственный авиационный технический университет (Уфа). — Томск, 2004. — 18 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1870 |
|
Динамическая локализация деформации в нагруженном материале на нано- и мезо-масштабных уровнях. Моделирование методом частиц: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. И. Дмитриев ; науч. конс. С. Г. Псахье, оппоненты: Э. В. Козлов, М. П. Бондарь, В. А. Полухин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2006. — 34 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-34.
|