Источники излучения на основе волоконных световодов, активированных ионами Yb3+: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Д. А. Грух ; науч. рук. А. С. Курков, офиц. оппоненты: А. Е. Наний, Д. А. Николаев; Научный центр волоконной оптики (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт радиотехники и электроники РАН (М.). — М., 2005. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Оптимизация и применения двухкаскадных ВКР-лазеров на основе фосфоросиликатных световодов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / О. Н. Егорова ; науч. рук. А. С. Курков, офиц. оппоненты: А. Я. Карасик, К. Ю. Харитонова; Научный центр волоконной оптики (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 2005. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.

Нелинейная спектроскопия атомов рубидия в газовой ячейке и магнитооптической ловушке с использованием полупроводниковых лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. М. Энтин ; науч. рук. И. М. Бетеров, офиц. оппоненты: Г. И. Сурдутович, П. Л. Чаповский; Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Новосибирский государственный университет (Новосибирск), Институт автоматики и электрометрии СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 2006. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-19.

Разряды, генерирующие электронные пучки с высокой эффективностью, и возбуждение ими газовых лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. В. Бельская ; науч. рук. П. А. Бохан, офиц. оппоненты : М. А. Казарян, А. М. Ражев; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Институт автоматики и электрометрии СО РАН. — Новосибирск, 2011. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Генерация пространственно-когерентного излучения в лазерах с двумерной распределенной обратной связью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04, 01.04.03 / В. Р. Барышев ; науч. рук. Н. С. Гинзбург, офиц. оппоненты : Н. М. Рыскин, В. А. Кукушкин; Институт прикладной физики РАН, Институт физики микроструктур РАН. — Нижний Новгород, 2012. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Исследование тлеющего разряда в потоке газа в условиях быстропроточного CO2 лазера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.05 / А. А. Шепеленко ; науч. рук. А. И. Иванченко, офиц. оппоненты: Ю. И. Бычков, Ф. В. Лебедев; Ин-т теоретич. и прикл. механики СО АН СССР, Ин-т проблем механики АН СССР. — Новосибирск, 1983. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Исследование СВЧ разряда как способа накачки He-Ne лазера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук. 01.04.04 / А. П. Головицкий ; науч. рук. Н. Н. Петров, офиц. оппоненты: Г. Г. Петраш, И. Е. Сахаров; Ленинградский политехнический ин-т им. М. И. Калинина. — Л., 1983. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Влияние многофотонного поглощения на вынужденное рассеяние и обращения волнового фронта эксимерного XеСI лазера : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. Б. Карпов ; науч. рук. работы В. В. Коробкин, офиц. оппоненты : Д. В. Власов, В. И. Ковалев; Ин-т общей физики РАН (М.), Ин-т высоких температур РАН (М.). — М., 1992. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-20.

Исследование электроразрядных лазеров высокого давления на электронных переходах молекул азота и галогенидов инертных газов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / А. М. Ражев ; науч. рук. В. Н. Лисицин, офиц. оппоненты : Ю. И. Бычков, А. А. Пастор; Ин-т теплофизики СО АН СССР (Новосибирск), Физический ин-т им. П. Н. Лебедева АН СССР. — Новосибирск, 1983. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-15.

Управление выходными характеристиками излучения и некоторые применения XeCI-лазера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. А. Титарчук ; науч. рук. В. С. Бураков, офиц. оппоненты : В. В. Грузинский, В. В. Чураков; Ин-т физики АН БССР (Минск), Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР. — Минск, 1988. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.