Проведен сравнительный модельный анализ возможностей даун-конверсии в терагерцовый (ТГц) диапазон излучения фемтосекундных, полностью твердотельных Ti:Sapphire-лазерных систем и гибридных систем на основе того же типа лазеров с генераторами гармоник на нелинейных кристаллах LBO, снабженных усилителями на молекулах эксимерных газов XeF(C-A) и XeCl(C-A). Установлено, что при охлаждении кристалла до температуры 80 Л коэффициент оптических потерь в диапазоне 0.2-1.5 ЕГц в направлении оси Х линейно падает в 5-6 раз до уровня 0.1-0.2 см-1. Показано, что при современном состоянии разработок использование гибридных лазерных систем в качестве источников накачки позволяет получить преимущество в мощности генерируемых ТГц-импульсов от 3.5 до 20 крат.

Изложены организационные и технико-экономические проблемы разработки, освоения и повышения эффективности технологических лазеров (ТЛ) в машиностроении. Освещены методология и практика технико-экономического моделирования и алгоритмизации расчетов экономической эффективности и определения эффективных областей применения ТЛ. Для конструкторов, технологов, экономистов предприятий, научно-исследовательских и проектных организаций.

Сборник содержит доклады российских ученых, представленные на X Хариторовских тематических научных чтениях "Мощные лазеры и исследования физики высоких плотностей энергии" (г. Саров, 11-14 марта 2008 г.), посвященных памяти выдающегося ученого ХХ века, академика АН СССР Юлия Борисовича Харитона, основателя и с 1946 по 1997 г. научного руководителя Российского федерального ядерного центра Всероссийского НИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ).Тематика чтений касается исследований в быстро развивающейся области науки и техники со все расширяющейся областью применений. Современное состояние лазерной науки и техники характеризуется созданием лазеров со все большими энергиями и мощностями, продвижение ко все более высоким интенсивностям лазерного облучения и ко все более коротким длительностям генерируемых лазерных импульсов, новыми применениями лазеров для решения научных, технологических, медицинских и других задач. Задачи, стоящие перед специалистами лазерной отрасли, требуют развития современных прецизионных технологий, методов измерения и диагностики. Необходимо также совершенствование и углубление теоретических моделей и методов компьютерного моделирования, опирающихся на результаты экспериментальных исследований.Материалы размещены в соответствии с тематикой четырех направлений (секций) конференции: физика лазерной плазмы; газовые лазеры; твердотельные лазеры; мощные лазеры со сверхкороткой длительностью импульса. Доклады участников конферении отражают современное состояние исследований по указанным направлениям. В секции "Физика лазерной плазмы" были представлены также доклады по взаимодействию лазерного излучения с веществом при интенсивностях, не приводящих к образованию плазмы. Ряд докладов этой секции был посвящен исследованиям в области инерционного термоядерного синтеза.Сборник представляет интерес для научных работников и инженеров, работающих в области создания мощных лазеров и их применений для исследований по физике высоких плотностей энергии.

В сборнике печатаются экспериментальные и теоретические работы сотрудников лаборатории квантовой электроники Физического института ЛГУ, посвященные физике газовых лазеров (оптических квантовых генераторов). В этих работах изучается структура электромагнитного поля внутри и вне лазера, а также основные физические процессы, сопутствующие генерации.Сборник рассчитан на широкий круг научных и инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением оптических квантовых генераторов в различных областях науки и техники, а также на студентов старших курсов соответствующей специализации.

В систематизированном виде изложены принципы построения малогабаритных оптических передатчиков на базе инжекционных излучателей. Анализируются характеристики полупроводниковых лазеров, светодиодов при действии совокупности дестабилизирующих факторов и определяются требования к генераторам их накачки. Исследованы переходные процессы, происходящие в различных по принципу действия ключевых коммутаторах, приводятся инженерные расчеты по выбору основных параметров оптических передатчиков, а также схемотехнические решения, обеспечивающие требуемые параметры модуляции с применением различных по быстродействию и по принципу действия ключевых элементов. Приведены данные исследований по стабилизации и измерению параметров светового излучения оптических передатчиков.Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, производством и эксплуатацией современной оптоэлектронной аппаратуры; может быть полезна студентам радиотехнических специальностей вузов.

Учебное пособие содержит теоретический и экспериментальный материал, относящийся к основным идеям квантовой физики, а также разбор многочисленных примеров и задач, где показано, как (по мнению автора) следует подходить к их решению. Задачи тесно связаны с основным текстом и часто являются его развитием и дополнением. Материал книги, насколько возможно, освобожден от излишней математизации — основной акцент перенесен на физическую сторону рассматриваемых явлений. Для студентов физических и инженерно-технических специальностей вузов.

Крупнейший современный теоретик П. А. Л\. Дирак является одним из создателей квантовой механики. Именно ему обязана квантовая теория своим превращением в логически последовательную схему, применимую к любым конкретным проблемам. Он создал в основном тот язык, которым мы теперь пользуемся в любом разделе квантовой теории. Преимущественной особенностью нестандартного подхода Дирака является его постоянное стремление к логической прозрачности, определяемое глубоким убеждением в том, что основные законы природы должны допускать простую формулировку. Последовательное чтение его работ необычайно ценно для формирования научного мировоззрения любого физика-теоретика. Для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, интересующихся развитием теоретической физики.

Материалы сборника отражают результаты научных исследований, ведущихся в МФТИ и базовых предприятиях института в области вакуумной и полупроводниковой электроники, охватывающей основные направления развития современной электроники и лазерной техники. Данный сборник полезен студентам и аспирантам, специализирующимся в области физической и квантовой электроники, а также специалистам, разрабатывающим приборы электронной и лазерной техники.

Излагаются материалы по теории связи, обнаружению и разрешению сигналов, распространению радиоволн и антенно-фидерным устройствам, а также рассматриваются электровакуумные и полупроводниковые приборы, усилительные устройства и элементы импульсной техники. Приводятся необходимые сведения по математическому аппарату, используемому в справочнике. Рассчитан на инженеров, работающих в различных областях радиоэлектроники, студентов специальных вузов, а также на специалистов других областей, работающих с радиоэлектронной аппаратурой.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образованных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Cu, Ag и Au и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-с(6х2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурны фазовых переходов, начиная с самых малых степеней покрытия от 0.01 монослоя. Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Монография посвящена новому направлению в современной оптике и микроэлектронике, связанному с изучением фотонных кристаллов - структурно упорядоченных сред с масштабом периодичности, соразмерным длине волны электромагнитного излучения. Представлены результаты исследований коллектива авторов, выполненных в рамках интеграционного проекта СО РАН в 2006-2008 гг. Объектами теоретических и экспериментальных исследований явились различные фотонно-кристаллические структуры (опалы, мультислойные среды, упорядоченные микрокомпозиты и наноколлоиды, микрополосковые структуры), материалов и технологии для их формирования, методы управления оптическими и диэлектрическими свойствами. Книга предназначена специалистам по оптике, лазерной технике, спектроскопии конденсированных сред, материаловедению, нанофотонике, СВЧ-электронике, а также преподавателям и аспирантам соответствующих специальностей.

Книга представляет собой краткое введение в квантовую информатику для читателей, не изучавших предварительно квантовую механику. В первой части книги проводится изложение основ волновой квантовой механики и ее приложений к описанию энергетических спектров электронов в атомах, полупроводниках и низкоразмерных наноструктурах. Она завершается рассмотрением полупроводниковых транзисторов (битов) в классических компьютерах. Во второй части производится переход к матричному представлению квантовой механики. Рассмотрены спин и двухуровневые атомы, реализующие квантовые биты (кубиты). Рассмотрены два режима функционирования двухуровневых атомов, взаимодействующих с электромагнитным полем: режим вынужденного излучения в лазерах и нестационарные когерентные атомные процессы. Проведена аналогия второго режима с режимом функционирования кубитов при квантовых вычислениях. Рассмотрены квантовые логические операторы, квантовые схемы, простейшие квантовые коммуникационные протоколы и квантовые алгоритмы, демонстрирующие экспоненциально большие ресурсы квантовых вычислений. Дан обзор современного состояния проблемы физической реализации квантового компьютера с использованием в качестве кубитов спинов, атомов, фотонов, а также макроскопических квантовых сверхпроводников. Книга может служить пособием для студентов физико-математических специальностей, а также представлять интерес для широкого круга читателей, интересующихся современными проблемами физики.

В книге приводятся основные положения и уравнения квантовой механики; рассматриваются физические явления, определяющие работу электронных, ионных и полупроводниковых приборов: свойства газообразной среды и твердых кристаллических тел, процессы переноса, генерация и рекомбинация носителей заряда, явления на поверхностях и границах раздела, закономерности движения заряженных частиц в вакууме в электрических и магнитных полях, основные виды электрических разрядов в газах.

Сборник содержит обобщающие статьи по избранным вопросам физической электроники: о равновесной форме крупных металлических кристаллов, о генерации плазмонов в твердом теле быстрыми заряженными частицами, об анализе приповерхностного слоя с помощью электронной оже-спектроскопии, о динамике дипольных частиц в полях и о нелинейных волнах и динамическом хаосе на примере электронных систем. Для специалистов-физиков и химиков широкого профиля и студентов физических специальностей.

Дается обзор экспериментальных работ и теоретических разработок по диагностике характеристик и параметров низкотемпературной плазмы горения веществ. Эти исследования и разработки выполнены, в основном, при участии и под руководством профессора И. А. Тихомирова в Томском политехническом университете. Приводятся схемы экспериментальных установок и результаты, полученные при теоретических и экспериментальных исследованиях. Для научных работников в области диагностики низкотемпературной и может быть полезна для аспирантов и студентов старших курсов, интересующихся физикой плазмы.

Излагаются основные идеи электроники СВЧ и их современное теоретическое и техническое воплощение. Рассматриваются принципы действия электронных приборов СВЧ, области применения и основные тенденции их развития. С единой точки зрения в рамках линейной самосогласованности и приближенной нелинейной теории проводится достаточно подробный анализ уравнений поля и движения, находятся способы их решения. Анализируются процессы взаимодействия электронов с сверхвысокочастотными полями в лампах бегущей и обратной волны, прямопролетных и отражательных клистронах, в магнетронных усилителях и генераторах, мазерах на циклотронном резонансе, системах с центробежной электростатической фокусировкой, плазменных системах и других приборах. Значительная часть монографии основана на оригинальных работах авторов. Приводятся формулы, графики и порядок величин параметров. Кратко описывается конструкция приборов. Книга предназначается для специалистов, работающих в различных областях физики, электроники и радиотехники, желающих ознакомиться с быстро развивающейся областью техники, а также для студентов, аспирантов, научных работников соответствующих специальностей, желающих углубить свои знания в области физики явлений, происходящих в приборах СВЧ.