Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 131 - 135 из 7548 для dc.subject any/relevant "радиоэлектроник ... ( 0.240 сек.)

131
Стриха, Виталий Илларионович.
Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике: монография / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева. — М.: Радио и связь, 1987. — 254 с.: ил. — Библиогр.: с. 236-245. — Предм. указ.: с. 246-249. — 2.70 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
132
Жеребцов, И. П.
Основы электроники: научное издание / И. П. Жеребцов. — 3-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергия, 1974. — 464 с.: ил. — 2.01 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
133
Брандт, Александр Александрович.
Плазменные умножители частоты: монография / А. А. Брандт, Ю. В. Тихомиров. — М.: Наука: Физматлит, 1974. — 207 с.: ил. — Библиогр.: с. 202-207. — 0.92 р.
В книге рассматриваются вопросы, связанные с теоретической и экспериментальной разработкой плазменных умножителей частоты СВЧ-диапазона. Анализируются различные нелинейные явления в плазме. Значительное внимание уделено процессам, происходящим на границе металл - плазма.Подробно описывается плазменный варактор - новый нелинейный элемент, являющийся плазменным аналогом полупроводникового перехода. Нелинейный конденсатор плазменного варактора образуется на поверхности металлического электрода, погруженного в плазму, а его обкладками являются сам электрод и резкая граница электронной компоненты плазмы, формирующейся под действием приложенного СВЧ-напряжения. Умножитель, работающий на плазменном варакторе, обеспечивает эффективность преобразования порядка 50% (для второй гармоники) при высоком уровне входной мощности, значительно превосходящем возможности полупроводниковых приборов. Приводится обзор литературы и обширная библиография, посвященная исследованиям плазменных умножителей за последние 20 лет. Даются рекомендации по конструированию плазменных умножителей и данные для инженерного расчета.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
134
Киселев, Алексей Борисович.
Металлооксидные катоды электронных приборов: научное издание / А. Б. Киселев. — М.: МФТИ, 2002. — 239 с.: ил. — Библиогр.: с. 208-239. — ISBN 5-89155-068-7.
В представленной книге рассмотрены широко применяемые в современных электронных приборах и устройствах оксидные катоды, активное покрытие которых является гетерофазной системой, сформированной из порошков окислов ЩЗМ и металла, главным образом, никеля. Детально изложена технология изготовления катодов, применение их в приборах разных классов. Описаны принципы конструирования катодных узлов, в том числе созданных самим автором монографии. Большое внимание уделено методам оценки качества катодов в приборах. Все изложение проводится с позиций понимания катода как части физико-химической системы, каковой является электровакуумный прибор в целом. Книга может служить учебным пособием при чтении традиционных курсов по электронным приборам и технологии электровакуумного производства. Она представит несомненный интерес для инженеров-разработчиков электронных приборов и катодов, а также для технологов-производственников. Одобрено ученым советом факультета физической и квантовой электроники МФТИ.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
135
Шевченко, Глеб Михайлович.
Неквазистатическое моделирование импульсных полупроводниковых приборов: монография / Г. М. Шевченко, Э. В. Семенов ; рецензенты : Н. Д. Малютин, О. Ю. Малаховский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск: Изд-во ТУСУРа, 2022. — 50 с.: ил. — Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ, проект № FWRM-2021-0015. — Библиогр.: с. 44-47. — ISBN 978-5-86889-987-4.
Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи