Мощные релятивистские СВЧ-генераторы на основе лампы обратной волны с резонансным рефлектором: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. М. Тотьменинов ; науч. рук. В. В. Ростов; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Томск, 2006. — 135 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 125-135.

Исследование высоковольтной стадии вакуумного разряда для получения квазистационарных электронных пучков: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Э. Н. Абдуллин ; науч. рук. С. П. Бугаев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1982. — 128 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 114-128.

Высоковольтная сильноточная фаза вакуумного и плазменного разрядов и управление их параметрами: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в форме науч. доклада : 05.27.02 / Г. П. Баженов ; офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, Л. М. Баскин, Г. М. Кассиров; Институт электрофизики УрО РАН, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1993. — 68 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 62-68.

Импульсные газовые лазеры с полупроводниковыми прерывателями тока: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Е. Х. Бакшт ; науч. рук. В. Ф. Тарасенко; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2002. — 126 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 115-126.

Кинетика процессов в плазме разряда накачки XeCl лазера и их влияние на характеристики излучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. А. Ямпольская ; науч. рук. А. Г. Ястремский, офиц. оппоненты: В. М. Климкин, Э. А. Соснин; Институт сильноточной электроники (Томск). — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Исследование мощных импульсных источников мягкого рентгеновского излучения: дис. в форме науч. док. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.13 / Р. Б. Бакшт ; офиц. оппоненты: А. М. Искольдский, И. В. Немчинов, М. М. Никитин; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 1992. — 44 с.: рис. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 34-37.

Генераторы и преобразователи с индуктивно-ключевым формированием тока: дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13, 05.09.12 / Б. А. Багинский; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1994. — 397 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 376-397.

Исследование начальной стадии электрической формовки тонкопленочных систем: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Ю. А. Баренгольц ; науч. рук. Ю. Б. Янкелевич; Томский государственный педагогический институт им. Ленинского Комсомола. — Томск, 1987. — 133 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 120-133.

Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1997. — 131 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 119-129.

Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, Э. Н. Абдуллин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1997. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.