Представлены результаты работ Института физики полупроводников СО РАН по исследованию структуры полупроводниковых систем при различных технологических воздействиях. Рассмотрены дислокационная структура полупроводниковых кристаллов и пленок, атомная структура скоплений точечных дефектов в кремнии и германии, процессы структурных перестроек на ступенчатых поверхностях кремния. Полученные данные используются при разработке технологии создания новых материалов и устройств микро-, опто- и наноэлектроники, микро- и наноструктур для исследования квантовых и одноэлектронных эффектов. Заключительный раздел книги посвящен изложению актуальных проблем развития полупроводниковых нанотехнологий на основе имеющихся достижений в методах молекулярно-лучевой эпитаксии, в создании структур кремний-на-изоляторе и в методах нанолитографии. Представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой электронике — научных сотрудников, работников предприятий отрасли, студентов и аспирантов, обучающихся по соответствующим специальностям, в том числе по специальностям «Наноматериалы» и «Нанотехнологии в электронике».

В монографии излагаются актуальные вопросы испытаний эластомеров (резин, каучуков и др.) динамическим и статическим индентированием. Систематизированы существующие стандартные методы испытаний. Анализируются различные модели, используемые для описания процесса индентирования при различных скоростях деформирования. Большое внимание уделено простановке задач динамического контактного взаимодействия испытуемый материал - индентор и их решению для определения физико-механических характеристик эластомеров. Рассмотрены перспективы развития приборов и установок для неразрушающего контроля эластомеров, а также особенности их метрологического обеспечения. Предназначена для научных и инженерно-технических работников, занимающихся вопросами контактной механики, испытаний и контроля качества эластомеров, студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

В справочнике приведены сведения о приборах, применяемых в средствах активного контроля. Рассмотрены конструкции приборов для круглошлифовальных, внутришлифовальных, бесцентрово-шлифовальных, плоско-шлифовальных, хонинговальных станков. Изложены методы проверки, наладки и испытания приборов. Второе издание (1-е изд. 1971г.) дополнено разделами по самонастраивающимся средствам активного контроля, индуктивным приборам, высокопроизводительным пневматическим приборам. Справочник предназначен для рабочих, наладчиков и технологов.

Описаны конструкции и программное обеспечение установки для испытаний на низкотемпературную ползучесть высокопластичных металлов и сплавов с относительно низкими температурами плавления. Установка позволяет регистрировать кривые ползучести с записью в компьютерный файл, а затем выполнять анализ полученных зависимостей. Приведен пример использования установки для исследования влияния поверхностных зарядов на ползучесть технически чистого алюминия при комнатной температуре.