| 881 |
|
Взрывной размыкатель тока для индуктивных накопителей энергии: дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / А. П. Цыпленко ; науч. рук. М. А. Мельников; Томский политехнический ин-т им. С. М. Кирова. — Томск, 1985. — 135 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с.118-128.
|
| 882 |
|
Условия возбуждения и некоторые характеристики взрывной эмиссии электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат наук / В. П. Ротштейн ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Д. И. Проскуровский; Томский гос. ун-т. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 883 |
|
Литографическая широкоапертурная рефракционная рентгеновская оптика: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 / В. П. Назьмов ; офиц. оппоненты: В. Е. Асадчиков, В. С. Павельев, Н. И. Чхало; Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск, 2018. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-34.
|
| 884 |
|
Харитоновские чтения по проблемам физики высоких плотностей энергии, VIII : Сборник докладов (г. Саров 21-24 марта 2006 г.) / Федеральное гос. унитарное предприятие РФЯЦ-ВНИИЭФ. — Саров: Издательско-полиграфический комплекс ФГУП "РФЯЦ-ВНИИ, 2006. — 602 с. — Библиогр. в конце ст.
|
| 885 |
|
Эффект Ганна / М. Е. Левинштейн, Ю. К. Пожела, М. С. Шур ; под ред. С. М. Рывкина. — М.: Советское радио, 1975. — 288 с.: ил. — Библиогр.: с. 264-287.
Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее преспективных с прикладной точки зрения эффектов, открытых за последнее десятиление в физике полупроводников. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены приципы действия, технические характеристики и возможности использования многочисленных приборов на основе эффекта Ганна: генераторов и усилителей СВЧ, аналоговых приборов, логических схем, оптоэлектронных устройств.Монография рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 886 |
|
Discrete computational mechanics at the micro- and meso- levels: научное издание / С. Г. Псахье; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // .
|
| 887 |
|
Техника формирования высоковольтных наносекундных импульсов: монография / Г. А. Воробьев, Г. А. Месяц. — М.: Госатомиздат, 1963. — 167 с.: ил.
|
| 888 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие для вузов по направлению "Техн. физика" / Ю. С. Протасов, С. Н. Чувашев. — М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2003. — 480 с.: ил. — (Электроника). — Библиогр.: с. 465-466. — Предм. указ.: с. 467-472. — ISBN 5-7038-1538-X: 246.00 р.
|
| 889 |
|
О роли избыточного объема в нагруженном кристалле на стадии зарождения пластической деформации в приповерхностных областях: научное издание / А. И. Дмитриев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М. ; СПб.
Исследуется начальная стадия инициации процесса локализации атомных смещений в приповерхностной области на основе анализа особенностей перераспределения избыточного объема. Исследования проведены на основе компьютерного моделирования методом молекулярной динамики. Показано, что избыточный объем концентрируется в тех областях, где в дальнейшем наблюдаются структурные изменения. При этом выявлено, что превышение избыточного объема для этих областей может достигать 5% по сравнению с удельным объемом, приходящимся на атомы, находящиеся вне зоны локализации смещений. Полученные результаты позволяют с новых позиций рассматривать роль избыточного объема в вопросах зарождения и развития пластической деформации на атомном уровне.
|
| 890 |
|
Компьютерное конструирование интеллектуальных супрамолекулярных элементов для наноустройств: научное издание / К. П. Зольников [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
Показана возможность моделирования синтеза нанообъектов на основе метода молекулярной динамики. Для описания межатомного взаимодействия использован метод погруженного атома. Исходным материалом для получения наноструктур являлась бислойная наноразмерная кристаллическая пленка, один слой которой был составлен из атомов меди, а другой из атомов алюминия. Исследован процесс синтеза нанотрубок в зависимости от толщины слоев и длины пленки. Изучены механическая устойчивость нанотрубок, их отклик на ударные воздействия, а также поведение полученных нанообъектов при повышении температуры вплоть до плавления. Предложена принципиальная схема конструирования и использования полученных нанообъектов в качестве компонентов интеллектуальных наноустройств, преобразующих тепловую энергию в механическую.??.
|