Обобщены современные схемотехнические решения функциональных узлов импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения, используемых в источниках вторичного электропитания (ИВЭП) радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются структурные схемы ИВЭП на основе транзисторных преобразователей, в том числе и бестрансформаторные с питанием от сети, различные виды силовых каскадов, устройства электрической изоляции, схемы сравнения, схемы повышения помехоустойчивости и защиты. Описываются новейшие разработки советских и зарубежных специалистов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.

Монография посвящена вопросам проектирования пьезоэлектрических виброизмерительных преобразователей (акселерометров), широко используемых для измерения параметров вибрационных и ударных ускорений в различных областях техники. Приведены сведения о пьезоэлектрических материалах и пьезоэлементах, физико-технических основах работы акселерометров, их конструктивных схемах и технических характеристиках. Рассмотрены механизмы влияния внешних факторов, воздействующих на акселерометры в реальных условиях эксплуатации. Описаны методики измерения основных характеристик акселерометров и сравнительной оценки их технического уровня. Предназначена для инженеров, магистров. аспирантов и специалистов, работающих по созданию и эксплуатации датчико-преобразующей аппаратуры для виброметрии, а также в области пьезоэлектрического приборостроения. Может быть использована в качестве учебного пособия для студентов старших курсов технических специальностей, обучающихся по направлениями "Пьезоэлектрическое приборостроение" и "Информационно-измерительная техника и технологии".

В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии детально и с минимальным количеством отсылок к другим источникам рассмотрены физические явления в полупроводниковых фоторезисторах и принципы построения микроэлектронных фотоприемных устройств. Описаны монокристаллические и поликристаллические фоторезисторы, изготовленные на основе кремния и германия, халькогенидов свинца и кадмия, антимонида индия и кадмий-ртуть-теллура, квантово-размерных структур. Рассмотрены структуры, схемотехнические и конструктивные особенности интегральных и гибридных фотоприемных устройств, в том числе матричных формирователей сигналов изображения. Приведены основные характеристики промышленных фоторезисторов и фотоприемных устройств, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения — от ультрафиолетового до инфракрасного. Для студентов, обучающихся по направлениям «Оптотехника», «Лазерная техника и лазерные технологии», «Фотоника и оптоинформатика», «Электроника и наноэлектроника», «Конструирование и технология электронных средств», «Наноинженерия», «Прикладная математика и физика», «Техническая физика», «Информационные системы и технологии» и «Приборостроение». Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям «Физика полупроводников», «Физическая электроника», «Твердотельная электроника...», «Квантовая электроника», «Технология... приборов электронной техники», «Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы», «Приборы и методы преобразования изображений и звука». Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем.