Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 3131 - 3140 из 7301 для dc.subject any/relevant "СТРУКТУРА ПОЛЗУ ... ( 0.789 сек.)

3131
Травень, Валерий Федорович.
Электронная структура и свойства органических молекул: монография / Валерий Федорович Травень. — М.: Химия, 1989. — 383, [1] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 371-384. — ISBN 5-7245-0342-5: 5.40 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3132
Фадин, В. В.
Влияние электрического тока и фазового состава на износ композита, содержащего переработанную сталь ШХ15 / В. В. Фадин, М. И. Алеутдинова, А. Г. Мельников; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
Определена износостойкость горячепрессованных модельных металлических композитов на основе переработанной стали ШХ15 при трении в условиях скользящего электроконтакта. Показано, что композиты с фазовым составом медь+графит+сталь ШХ15 и медь+графит+титан+сталь ШХ15 не способны к износостойкому скользящему электроконтакту. Введение свинца или никеля в первичную горячепрессованную структуру вместо титана приводит к реализации относительно высоких износостойкости и электропроводности зоны трения.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3133
Хахалкин В. В.
Влияние температуры горячего прессования на фазовый состав и параметры кристаллической структуры высокодисперсной порошковой системы ZrO2 - MgO: научное издание / Хахалкин В. В., С. Н. Кульков; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
Изучены образцы горячепрессованной нанокристаллической керамики на основе плазмохимических порошков. Проведен количественный и качественный рентгенофазовый анализ, а также изучены механические характеристики всех полученных образцов. Показано, что с увеличением MgO степень тетрагональности, а также содержание моноклинного диоксида циркония линейно уменьшаются при всех температурах горячего прессования. кристаллиты фазы диоксида циркония в диапазоне температур от 1570 до 1970 К имеют размер от 35 до 90 нм, при этом все дефекты сосредоточены на границах кристаллитов. Установлено, что прочность и твердость керамики линейно возрастают с увеличением содержания стабилизирующей добавки.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3134
Наноструктурированные материалы для систем запасания и преобразования энергии / В. Ф. Разумов [и др.] ; под ред.: В. Ф. Разумова, М. В. Клюева, рец. А. М. Колкер; Ивановский государственный университет (Иваново). — 2-е изд., испр. и доп. — Иваново: ИвГУ, 2008. — 382 с.: ил.; 21 см. — Авт. указаны на обороте тит. л. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-7807-0725-7. — ISBN 978-5-7807-0666-3: 460.00 р.
Обобщены и систематизированы сведения по изучению наноструктурированных материалов для систем запасания и преобразования энергии (наноуглеродные материалы, химия фуллеренов, комплексы с повышенным содержанием носителей заряда в молекулах, фотолюминисцентные материалы, полимерные электролиты, материалы для хранения водорода, модифицированные фуллериты и стеклующиеся мезогены). Издание адресовано студентам, аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам, специализирующимся в разработке систем запасания и преобразования энергии, а также преподавателям соответствующих разделов химии и физики.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3135
Ивашутенко, Александр Сергеевич.
Корундо-циркониевая нанокерамика, полученная с использованием высокоинтенсивных потоков энергии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. С. Ивашутенко ; науч. рук. Ю. М. Анненков, офиц. оппоненты: С. В. Смирнов, А. А. Громов; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет - УПИ им. Б. Н. Ельцина. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3136
Салтымаков, Максим Сергеевич.
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3137
Адель, Мохаммед Али Хашхаш.
Исследование поведения водорода в нержавеющей стали при температурном и радиационном воздействии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. А. Х. Адель ; науч. рук. И. П. Чернов, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, Г. П. Грабовецкая; Томский политехнический университет, Томский государственный архитектурно-строительный университет. — Томск, 2010. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3138
Саркисов, Сергей Юрьевич.
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Ю. Саркисов ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. И. Грибенюков; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3139
Сысоев, Евгений Владимирович.
Измерение микро- и нанорельефа поверхности методами низкокогерентной интерферометрии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.05 / Е. В. Сысоев ; науч. рук. Ю. В. Чугуй, офиц. оппоненты: А. Г. Полещук, В. И. Гужов; Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Институт автоматики и электрометрии СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 2010. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3140
Еремеев, Сергей Владимирович.
Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах: научное издание / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений, содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде многослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа "оборванной связи" на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи