| 3951 |
|
Мощные высокочастотные транзисторы: монография / Ю. В. Завражнов [и др.]. — М.: Радио и связь, 1985. — 177 с.: ил. — Библиогр.: с. 173-176. — 0.50 р. |
| 3952 |
|
Полупроводниковая оптоэлектроника: переводное издание / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис ; пер. с англ. А. А. Гиппиуса, А. Н. Ковалева, под ред. С. А. Медведева. — : Мир, 1976. — 431 с.: ил. — Библиогр.: с. 402-420. — Алф. указ.: с. 421-424. — Предм. указ.: с. 425-427. — 2.01 р.
|
| 3953 |
|
Методы расчета электронно-оптических систем: материалы семинара. — М.: Наука, 1977. — 179 с.: ил. — Библиогр. в конце докл. — 1.26 р. |
| 3954 |
|
Электронные схемы. Практическое руководство: руководство / Д. Ленк ; пер. с англ. М. Н. Микшиса, под ред. И. Н. Теплюка. — М.: Мир, 1985. — 344 с.: ил. — (Самодеятельное техническое творчество). — Предм. указ.: с. 341-342. — 1.20 р.
|
| 3955 |
|
Лазерные электронно-лучевые трубки: сб. науч. тр. / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; отв. ред. тома Ю. М. Попов. — М.: Наука, 1991. — 226 с.: ил. — (Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР / гл. ред. Н. Г. Басов, 0203-5820). — Библиогр. в конце тр. — ISBN 5-02-000108-2: 4.10 р. |
| 3956 |
|
Лампы обратной волны миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн: монография / Е. М. Гершензон [и др.] ; под ред. Н. Д. Девяткова. — М.: Радио и связь, 1985. — 135 с.: ил. — Библиогр.: с. 130-135. — 1.30 р. |
| 3957 |
|
Наноэлектроника. Элементы. Приборы. Устройства: учеб. пособие для вузов по напр. 210600 "Нанотехнология", 152200 "Наноинженерия", 210100 "Электроника и наноэлектроника" / Г. Г. Шишкин, И. М. Агеев. — М.: Бином. Лаборатория знаний, 2011. — 408 с.: ил.; 22 см. — (Нанотехнологии). — Библиогр.: с. 404-406. — ISBN 978-5-9963-0638-1: 360.00 р.
В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборов нанобиоэлектроники. Каждая глава снабжена контрольными вопросами и заданиями для самоподготовки. Для студентов технических вузов, аспирантов, преподавателей и практических специалистов в области электроники.
|
| 3958 |
|
MIMO Radar Signal Processing: сборник / ed. J. Li, P. Stoica. — Hoboken: Wiley, 2009. — XVIII,448 p.: il.; 24 cm. — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 978-0-470-17898-0: 3300.00 р. |
| 3959 |
|
Новые методы расчета электронно-оптических систем: докл. семинара, Рязань, сент. 1978 г. — М.: Наука, 1983. — 237 с.: ил. — Библиогр. в конце докл. — 2.50 р. |
| 3960 |
|
Одноэлектронные фотоприемники: монография / С. С. Ветохин [и др.]. — М.: Атомиздат, 1979. — 189 с.: ил. — Библиогр.: с. 166-187. — 2.00 р. |
| 3961 |
|
Основы оптоэлектроники: пер. с яп. / Я. Суэмацу [и др.] ; пер. Э. Г. Азербаева, М. Е. Панюкова, А. М. Тыринова ; под ред. К. М. Голанта. — М.: Мир, 1988. — 285 с.: ил. — Предм. указ.: с. 275-283. — ISBN 5-03-001207-9: 1.60 р.
Книга является переводом второго тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной крупными японскими специалистами. Посвящена методам разработки, изготовления и применения оптоэлектронных элементов, устройств памяти ЭВМ, а также устройств визуального отображения информации. Рассмотрены физические принципы работы этих устройств, их контрукторская реализация и практика использования в различных системах.Для специалистов в области электроники и вычислительной техники, инженеров, занимающихся производством этой техники, а также студентов соответствующих специальностей.
|
| 3962 |
|
Оптоэлектронные преобразователи на основе управляемых световодных структур: монография / В. И. Бусурин [и др.] ; отв. ред. В. М. Пролейко. — М.: Радио и связь, 1984. — 71 с.: ил. — (Массовая библиотека инженера "Электроника"). — Библиогр.: с. 69-71. — 0.20 р. |
| 3963 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
Вып. 32 :. — Киев: Наукова думка, 1997. — 175 с.: ил.
|
| 3964 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
Вып. 30 :. — Киев: Наукова думка, 1995. — 156 с.: ил.
|
| 3965 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
Вып. 29 :. — Киев: Наукова думка, 1995. — 116 с.: ил.
|
| 3966 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
Вып. 28 :. — Киев: Наукова думка, 1994. — 100 с.: ил.
|
| 3967 |
|
Applied aspects of optical communication and LIDAR: монография / N. Blaunstein [et al.]. — Boca Raton [et al.]: CRC/Taylor&Francis: Auerbach, 2010. - XVII. — 262 p.: ill. — Bibliogr. at the end of the chapters. — Ind.: p. 245-262. — ISBN 978-1-4200-9040-6: 1891.10 р. |
| 3968 |
|
Оптическая обработка изображений: сб. науч. ст. / АН СССР, Отд-ние общ. физики и астрономии, Науч. совет по пробл. "Голография"; отв. ред. С. Б. Гуревич, Г. А. Гаврилов. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1985. — 137 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.00 р. |
| 3969 |
|
Оптоэлектроника и оптическая связь: переводное издание / Т. Оокоси ; пер. с яп. А. А. Генина, под ред. М. И. Беловолова. — : Мир, 1988. — 96 с.: ил. — ISBN 5-03-001077-7: 0.45 р.
|
| 3970 |
|
Особенности формирования высокодефектных структурных состояний в механокомпозитах и порошках ниобия и алюминия в процессе интенсивного деформационного воздействия в планетарных шаровых мельницах: научное издание / И. А. Дитенберг [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
|
| 3971 |
|
Высокочастотные транзисторы и их применение: монография / Б. Л. Перельман, К. М. Брежнева. — М.: Энергия, 1977. — 176 с.: ил. — Библиогр.: с. 173-174. — 0.45 р.
|
| 3972 |
|
Автоматизация конструирования электронной аппаратуры: (Топологический подход) / А. И. Петренко, А. Я. Тетельбаум, Б. Л. Шрамченко. — 2-е изд., стереотип. — Киев: Вища школа, 1981. — 175 с.: ил. — Библиогр.: с. 170-173. — 1.60 р.
|
| 3973 |
|
Технохимические процессы электровакуумного производства: монография / Г. Я. Пивоваров, Л. А. Саминский. — М.: Энергия, 1975. — 304 с.: ил. — Библиогр.: с. 297-301. — 1.01 р.
|
| 3974 |
|
Пикосекундная электронно-оптическая диагностика в лазерных исследованиях: сб. науч. тр. / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; отв. ред. тома А. М. Прохоров. — М.: Наука, 1985. — 241 с.: ил. — (Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР / гл. ред. Н. Г. Басов). — Библиогр. в конце тр. — 3.60 р. |
| 3975 |
|
Полевые транзисторы. Физика, технология и применения : переводное издание / пер. с англ. под ред. С. А. Майорова. — М.: Советское радио, 1971. — 376 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 369-371. — 1.70 р. |
| 3976 |
|
Преобразование солнечной энергии: сборник / АН СССР, Секция химико-технологических и биологических наук, Научный совет по комплексной проблеме "Изыскания новых путей использования солнечной энергии"; отв. ред. Н. Н. Семенов, А. Е. Шилов. — М.: Наука, 1985. — 184 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.20 р. |
| 3977 |
|
Релятивистская плазменная СВЧ-электроника: сборник научных трудов / Рос. АН, Институт общей физики; отв. ред. тома П. С. Стрелков. — М.: Наука, 1994. — 193 с.: ил. — (Труды Института общей физики РАН / гл. ред. А. М. Прохоров, 0233-9390). — ISBN 5-02-007006-8: 3.00 р. |
| 3978 |
|
Мир электроники / Е. А. Седов. — М.; : Молодая гвардия. — 5-235-00797-2.
Кн. 1 :. — , 1990. — 446 с.: ил. — ISBN 5-235-00797-2: 3.00 р.
|
| 3979 |
|
Методы диакоптики в электронике: монография / В. Г. Слипченко, Г. Н. Елизаренко. — Киев: Вища школа, 1981. — 207 с.: ил. — Библиогр.: с. 198-205. — 1.50 р.
|
| 3980 |
|
Курс физики : учеб. пособие для втузов в 3-х кн. / И. В. Савельев. — М.; : Наука , Б.г.
Кн. 2 : Электричество и магнетизм. Волны. Оптика. — , 1982. — 495 с.: ил. — Предм. указ.: с. 493-496. — 1.10 р.
|
| 3981 |
|
Материалы Научно-технического совещания по проблеме "Прогрессивные методы создания лазерных оптических элементов" (Минск, ИФ АН БССР, 20-22 февраля 1984 г.): препринт 342. — Минск, 1984. — 56 с.: ил. |
| 3982 |
|
Электродинамика открытых структур миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов: сб. науч. тр. / АН УССР, Институт радиофизики и электроники, Науч. совет АН УССР по пробл. "Физика и техника миллиметровых и субмиллиметровых волн"; редкол. : В. П. Шестопалов (отв. ред.) [и др.]. — Харьков, 1990. — 170 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-7702-0062-6: 2.00 р. |
| 3983 |
|
Англо-русский словарь по антенно-волноводной технике: около 13000 терминов / сост. Г. Б. Резников. — М.: Советская энциклопедия, 1973. — 431 с.: ил. — 1.26 р. |
| 3984 |
|
Моделирование заряженных пучков: монография / А. С. Рошаль. — М.: Атомиздат, 1979. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 217-220. — Алф.-Предм. указ.: с. 222. — 2.40 р.
|
| 3985 |
|
Влияние внешних электрических воздействий на процесс релаксации напряжений алюминия: научное издание / С . А. Невский [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // . Исследовано влияние слабых электрических потенциалов на процесс релаксации напряжений при различных начальных напряжениях. Установлено, что максимальный эффект влияния потенциала приходится на начальное напряжение ниже предела текучести.
|
| 3986 |
|
Контроль оптико-механических приборов: учеб. пособие для средн. ПТУ / Р. К. Фатыхова, Р. Ф. Фатыхов, Э. А. Кравцов. — М.: Машиностроение, 1988. — 232 с.: ил. — Библиогр.: с. 224. — ISBN 5-217-00075-9: 0.85 р.
|
| 3987 |
|
Особенности микроструктуры порошка Nb после механической активации в планетарной шаровой мельнице: научное издание / К. И. Денисов [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М. Проведено комплексное исследование особенностей микроструктуры порошка ниобия после механической активации в энергонапряженной планетарной шаровой мельнице. Обнаружено формирование высокодефектных наноструктурных состояний с высокими значениями кривизны кристаллической решетки и высоким уровнем локальных внутренних напряжений. Предполагается, что наблюдаемое состояние является важным каналом аккумулирования энергии деформации в процессе интенсивного деформационного воздействия.
|
| 3988 |
|
500 практических схем на ИС: справ. / Д. Уитсон ; пер. с англ. В. А. Логинова. — М.: Мир, 1992. — 376 с.: ил. — ISBN 5-03-002135-3: 63.25 р.
|
| 3989 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 36 :. — Львов, 1988. — 142 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90 р.
|
| 3990 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 30 :. — , 1985. — 135 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40 р.
|
| 3991 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 22 :. — Львов, 1981. — 160 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 3992 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 21 :. — Львов, 1980. — 163 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20 р.
|
| 3993 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 20 :. — Львов, 1980. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 3994 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 19 :. — , 1979. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40 р.
|
| 3995 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 18 :. — , 1979. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20 р.
|
| 3996 |
|
Особенности дефектной структуры и фазовых превращений в процессе больших пластических деформаций прокаткой метастабильной аустенитной стали: научное издание / И. Ю. Литовченко, А. Н. Тюменцев, М. И. Захожева; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // ПК. — М. Проведено электронно-микроскопическое исследование микроструктуры метастабильной аустенитной стали Fe-18%Cr-8%Ni (вес. %) после больших пластических деформаций прокаткой. Показано, что большие пластическе деформации приводят к формированию двухфазной субмикрокристаллической структуры. Обнаружены фрагменты разориентации, формирование которых можно объяснить реализацией механизма прямых плюс обратных превращений мартенситного типа. Обсуждаются механизмы фрагментации кристаллической решетки, формирования субмикро- и нанокристаллических структурных состояний.
|
| 3997 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 17 :. — , 1978. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20 р.
|
| 3998 |
|
Параметры микроструктуры и уровень механических свойств сплавов системы Mo-47Re после различных степеней пластической деформации: научное издание / С. А. Малахова [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // ПК. — М. Проведено исследование связи между параметрами микроструктуры и механическими свойствами сплавов системы Mo-47%Re (вес. %) после различных степеней интенсивной пластической деформации кручением под давлением. Установлено, что характерной особенностью материалов после такого способа деформационного воздействия является формирование анизотропного структурного состояния. Показано, что в сплавах формируются двухуровневые структурные состояния, обеспечивающие значительное увеличение параметров микротвердости.
|
| 3999 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 9 :. — , 1974. — 122 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.96 р.
|
| 4000 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 8 :. — , 1974. — 144 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10 р.
|