| 1 |
|
Фотоэлектрические явления: переводное издание / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; пер. с нем. А. Н. Темчина, под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1980. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 199-206. — 0.80 р.
|
| 2 |
|
Физика полупроводников: переводное издание / К. Зеегер ; пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса, А. Тетервова, под ред. Ю. К. Пожелы. — М.: Мир, 1977. — 615 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 600-611. — 2.90 р.
|
| 3 |
|
Физические основы полупроводниковой электроники: посвящается памяти В. Е. Лашкарева / АН УССР, Институт полупроводников; под общ. ред. О. В. Снитко. — Киев: Наукова думка, 1985. — 302 с.: ил. — Библиогр.: с. 269-302. — 3.80 р. |
| 4 |
|
Основы физики и техники полупроводников: монография / Л. Л. Неменов, М. С. Соминский; Отделение общей физики и астрономии АН СССР. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1974. — 394, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 387-392. — 1.83 р.
В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охватывают все главные вопросы, связаные с теорией, физико-химическими свойствами и технологией полупроводников. Пятая глава содержит описание полупроводниковых приборов, их принципиального устройства и применения.Книга служит элементарным введением в сложную область современной полупроводниковой электроники. Ознакомление с ней - это первый этап в освоении физики и практики полупроводников, после чего можно приступать к чтению более сложной и специализированной литературы.
|
| 5 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 6 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00 р.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
| 7 |
|
Светодиоды: переводное издание / А. Берг, П. Дин ; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. — М.: Мир, 1979. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 677-682. — 3.40 р.
|
| 8 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 23 :. — , 1981. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 9 |
|
Полупроводниковая электроника : межвуз. сб. / под ред. В. В. Пасынкова.
Вып. 1 :. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1974. — 181 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.93 р.
|
| 10 |
|
Международный семинар по оптоэлектронике, Санкт-Петербург, 5-6 нояб. 1998 г.: тез. докл. / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН, Каф. оптоэлектроники С.-Петерб. гос. электротехн. ун-та. — СПб., 1998. — 72 с.: ил. — 7.25 р.
|