В книге изложены принципы построения импульсных устройств нано- и пикосекундного быстродействия и различные аспекты их применения. Рассмотрены методы генерирования и обострения фронтов коротких электрических и световых импульсов, а также способы измерения их параметров. Приводятся сведения о быстродействующих детекторах излучений и о способах съема сигналов с подобных устройств. Рассматриваются схемы устройств для предварительной обработки нано- и пикосекундных сигналов (усилителей, дискриминаторов, устройств временной привязки, совпадений и антисовпадений). Особое внимание уделено быстродействующим преобразователям напряжений и измерителям коротких временных интервалов. Рассматриваются современные методы регистрации формы быстрых сигналов, в том числе с помощью цифровых запоминающих осциллографов с частотами дискретизации до десятков гигагерц. Для широкого круга инженерно-технических и научных работников, занимающихся импульсными измерениями в физических экспериментах и в области информационных технологий, а также для студентов соответствующих специальностей.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

В справочник, изданный в США, включены принципиальные схемы электронных устройств, разработанных ведущими зарубежными фирмами - изготовителями электронных компонентов. Представлены источники питания, измерительные приборы, генераторы, приемопередатчики и усилители, радиоуправляемые модели и многие другие схемы. Для специалистов в области разработки и применения электронной техники, а также квалифицированных радиолюбителей.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

Перевод 12-гоиздания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофа Шенка (в 1982 г. изд-во "Мир" выпустило перевод 5-го изд. этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентных схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники ин научным работникам.

В четвертом томе справочного издания приведены электрические и эксплуатационные параметры интегральных схем статических ОЗУ емкостью от 1 до 128 Мбит, многопортовых статических ОЗУ емкостью от 1 кбит до 1 Мбит, а также статических ОЗУ, перестраиваемых пользователем, емкостью от 128х 16 до 4Мх 1 с изменяемой разрядностью от 3 до 32. В справочнике приведены цоколевки, типы корпусов, рекомендуемые замены интегральных схем, а также перечень фирм-изготовителей. Габартиные размеры корпусов указаны в российском стандарте с указанием допусков по данным фирм-изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов микросхем. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры и средств вычислительной техники.

В книге рассмотрены основные положения теории, расчетные соотношения, типовые задачи с подробными решениями, задачи для самостоятельной проработки с ответами, программированные задачи по различным разделам импульсной техники.

Книга посвящена кругу вопросов, связанных с применением туннельных диодов в импульсных схемах. Рассматриваются свойства туннельных диодов, их характеристики, а также характеристики комбинированных схем, вопросы аппроксимации характеристик . Главное внимание уделено анализу работы туннельных диодов в схемах усиления колебаний, в схемах автогенераторов и триггеров. Излагаемый материал в значительной степени основывается на теоретических и экспериментальных работах автора и его сотрудников; здесь также использован ряд работ, опубликованных в отечественной и зарубежной литературе. Книга рассчитана на специалистов, работающих в области импульсной техники и полупроводниковых устройств, и на студентов вузов.

В книге изложены принципы построения импульсных устройств нано- и пикосекундного быстродействия и различные аспекты их применения. Рассмотрены методы генерирования и обострения фронтов коротких электрических и световых импульсов, а также способы измерения их параметров. Приводятся сведения о быстродействующих детекторах излучений и о способах съема сигналов с подобных устройств. Рассматриваются схемы устройств для предварительной обработки нано- и пикосекундных сигналов (усилителей, дискриминаторов, устройств временной привязки, совпадений и антисовпадений). Особое внимание уделено быстродействующим преобразователям напряжений и измерителям коротких временных интервалов. Рассматриваются современные методы регистрации формы быстрых сигналов, в том числе с помощью цифровых запоминающих осциллографов с частотами дискретизации до десятков гигагерц. Для широкого круга инженерно-технических и научных работников, занимающихся импульсными измерениями в физических экспериментах и в области информационных технологий, а также для студентов соответствующих специальностей.

Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.

Рассматриваются возможности и особенности применения полупроводниковых четырехслойных приборов (диодных, триодных, в том числе запираемых по входу тиристоров и фототиристоров) в качестве ключевых элементов радиоэлектронных устройств. Дается физический анализ ключевых свойств тиристорного ключа, определяются режимы и предлагаются методы и схемы автоматизированного измерения основных параметров. Анализируются типовые цели отпирания, запирания и выключения тиристоров. Излагается теория и расчет тиристорных схем формирования, счета и распределения импульсов во времени и даются примеры их практического использования в конкретных радиоэлектронных устройствах. Оцениваются перспективы применения тиристоров специальных типов в ключевых и логических схемах.Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся как разработкой элементов систем управления, автоматики, телеметрии с использованием тиристоров, так и созданием полупроводниковых приборов на основе четырехслойной структуры. Книга также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области радиоэлектроники.

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".

В настоящей книге представлена копия докторской диссертации автора, защищенной в 1966 году в Томском политехническом институте. В этой диссертации описаны первые эксперименты, которые привели к открытию взрывной электронной эмиссии с катода. Дано описание явления интенсивной эмиссии электронов из тройных точек металл-диэлектрик-вакуум. Дано описание открытого автором явления многоэлектронного инициирования разряда в газах высокого давления, которое позднее было использовано для накачки мощных газовых лазеров. Одним из важнейших итогов этих исследований является также создание новых направлений в технической физике - сильноточной электроники и импульсной электрофизики. В рамках этих направлений созданы генераторы мощных наносекундных импульсов электрической энергии, предложены новые устройства, активные элементы импульсных генераторов (коммутаторы, обострители, вентили и т. д.) на основе новых явлений, открытых автором при создании вакуумных, газоразрядных и магнитных приборов. Хотя ряд исследований этой диссертации был опубликован в статьях и книгах автора, многие разделы актуальны до сих пор. Книга будет полезна тем, кто занимается проблемами физики плазмы, газового и вакуумного разрядов, ускорительной техникой, техникой высоких напряжений, лазерной техникой, СВЧ-электроникой большой мощности и т. д.

Излагаются материалы по теории связи, обнаружению и разрешению сигналов, распространению радиоволн и антенно-фидерным устройствам, а также рассматриваются электровакуумные и полупроводниковые приборы, усилительные устройства и элементы импульсной техники. Приводятся необходимые сведения по математическому аппарату, используемому в справочнике. Рассчитан на инженеров, работающих в различных областях радиоэлектроники, студентов специальных вузов, а также на специалистов других областей, работающих с радиоэлектронной аппаратурой.