| 71 |
|
В мире магнитных доменов: монография / В. Г. Барьяхтар ; отв. ред. В. И. Воронцов. — Киев: Наукова думка, 1986. — 159 с.: ил. — (Научно-популярная литература). — Библиогр.: с. 157. — 0.30 р.
|
| 72 |
|
Электрический заряд в облученных материалах: монография / В. В. Громов. — М.: Энергоиздат, 1982. — 112 с.: ил. — Библиогр.: с. 101-111. — 1.40 р.
Дан анализ процессов формирования объемного электрического заряда в диэлектрических материалах, облучаемых ускоренными электронами, гамма-квантами и тяжелыми заряженными частицами. Рассмотрены случаи заряжения неорганических диэлектриков. Сформулированы условия, необходимые для стабилизации объемного заряда и развития внутренних электрических пробоев. Особое внимание уделено радиоактивным материалам, процессам накопления, нейтрализации и компенсации в них электрического заряда. Теоретический материал иллюстрируется расчетами и экспериментальными данными. Рассмотрено влияние объемного электрического заряда на распределение поглощенной дозы в веществе, кинетику растворения, испарения и другие свойства твердых тел. Описаны методы зондирования объемного заряда.Для научных работников, инженеров и технологов, работающих в области радиационной физики и химии твердых малопроводящих и изоляционных материалов.
|
| 73 |
|
Прочность оптических материалов: монография / А. В. Иванов. — Л.: Машиностроение. Ленинградское отделение, 1989. — 144 с.: ил. — Библиогр.: с. 138-143. — ISBN 5-217-00543-2: 0.50 р.
|
| 74 |
|
Физика ферромагнетизма. Магнитные характеристки и практические применения: переводное издание / С. Тикадзуми ; пер. с яп. А. И. Леонова, под ред. Р. В. Писарева. — М.: Мир, 1987. — 420 с.: ил. — Библиогр.: с. 395-396, 401-403. — Имен. указ.: с. 404-405. — Предм. указ.: с. 406-410. — Указ. веществ: с. 411-417. — 4.10 р.
|
| 75 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 76 |
|
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: сб. ст. / Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского; под общ. ред. Б. Н. Климова, А. И. Михайлова. — Саратов: Колледж, 2001. — 188 с.: ил. — ISBN 5-94409-005-7: 50.54 р.
|
| 77 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00 р.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
| 78 |
|
Позитронные и позитрониевоподобные системы в кристаллических материалах: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. В. Боев ; научный консультант К. П. Арефьев; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1997. — 228 л.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 212-228.
|
| 79 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 80 |
|
Нанокристаллические интерметаллидные и нитридные структуры, формирующиеся при ионно-лучевом воздействии: монография / И. А. Курзина [и др.] ; отв. ред. Н. Н. Коваль; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики прочности и материаловедения, Том. гос. архитектур.-строит. ун-т. — Томск: Издательство научно-технической литературы, 2008. — 322 с.: ил.; 21 см. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-89503-398-2.
Монография посвящена описанию фундаментальных явлений в наноструктурных материалах. Дано систематическое изложение современного состояния исследований формирования наноразмерных интерметаллидных фаз в объеме и в поверхностных слоях металлов. Представлены результаты комплексных исследований, выполненных авторами, приведен обзор результатов, опубликованных другими исследователями. Обобщены экспериментальные результаты по влиянию нанокристаллического состояния на микроструктуру и физико-механические свойства металлов, сплавов и твердофазных соединений. рассмотрены методы и возможности ионно-плазменного воздействия на металлы. Показано, что вследствие изменения структуры и химического состава поверхностных слоев имеет место изменение физико-механических свойства материалов. Рассмотрены фундаментальные аспекты использования интерметаллидов в качестве упрочняющих фаз в имплантированных слоях и нанесенных покрытиях. Книга предназначена для специалистов в области физики конденсированного состояния и физики взаимодействия потоков ускоренных заряженных частиц и плазмы с твердым телом, научных работников, занимающихся вопросами физики, химии и механики наноструктурных материалов, а также для аспирантов и студентов, специализирующихся в области поверхностного упрочнения.
|