Разрушение ионных кристаллов наносекундными пучками большой плотности: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Н. Балычев ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Е. А. Литвинов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Эстонской ССР (Тарту). — Томск, 1976. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.

Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Исследование ферромагнитного резонансного поглощения в упруго деформированных поликристаллах ферритов: автореферат дис. ... канд. физ.мат. наук : 01.04.11 / В. Н. Абросов ; науч. рук.: А. Б. Сапожников, Ю. Н. Котюков, офиц. оппоненты: А. Н. Диденко, Л. Н. Безматерных; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР (Красноярск). — Томск, 1974. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.01 / К. П. Арефьев ; науч. рук.: А. А. Воробьев, С. А. Воробьев, офиц. оппоненты: В. Е. Панин, Е. П. Прокопьев; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск), Институт физической химии АН СССР (М.). — Томск, 1974. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Ф. Штанько ; науч. рук.: В. А. Москалев, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. А. Михальченко, Н. А. Битовский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Латвийской ССР (Тарту). — Томск, 1975. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Формирование биосовместимых кальций-фосфатных покрытий методом высокочастотного магнетронного распыления: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. А. Сурменев ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты: А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Томский политехнический университет (Томск), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2008. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Кинетика движения дырок в щелочногалоидных кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. Г. Дейч ; науч. рук. Э. Д. Алукер, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Ю. Р. Закис; Институт физики АН Латвийской ССР, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Саласпилс, 1982. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Нестационарные процессы фазовых превращений в углеродистых сталях при импульсных тепловых воздействиях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Л. С. Васильев ; офиц. оппоненты: В. А. Сипайлов, А. В. Назаров; Физико-технический институт УрО АН СССР (Ижевск), Казанский физико-технический институт КФАН СССР (Казань). — Ижевск, 1990. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.