Изоляционные свойства технического вакуума при мегавольтном уровне напряжения: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / Г. М. Кассиров ; офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, И. Н. Сливков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1992. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.

Экспериментальное исследование сверхпроводящих СВЧ-систем на высоком уровне: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.04. / Г. М. Самойленко ; науч. рук.: А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: А. А. Глазков, П. М. Щанин ; Томский политехнический институт имени С. М. Кирова, Московский радиотехнический институт АН СССР. — Томск, 1978. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-15.

Разработка и исследование систем обмена большими массивами информации на базе универсальных ЭЦВМ: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.13.05 / В. Ф. Степанов ; рук. работы В. М. Разин, офиц. оппоненты: В. А. Кочегуров, Ю. М. Ачкасов; (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт электронных управляющих машин (М.). — Томск, 1978. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21.

Феноменологические основы импульсного электрического нагрева металлов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. М. Искольдский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Новосибирск; Томск, 1985. — 218 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 211-218.

Взрывоэмиссионные источники электронов для поверхностной термообработки материалов: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Б. А. Коваль ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1987. — 204 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 182-200.