| 171 |
|
Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью: монография / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин; М-во образования и науки Рос. Федерации, Ульян. гос. ун-т. — Ульяновск: УлГУ, 2012. — 151 с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 143-151. — ISBN 978-5-88866-458-2: 60.00 р.
|
| 172 |
|
Полупроводниковая силовая электроника: научное издание / А. И. Белоус, С. А. Ефименко, А. С. Турцевич. — М.: Техносфера, 2013. — 216 с.: цв.ил. — (Мир электроники). — Библиогр.: с. 206-214. — ISBN 978-5-94836-367-7: 575.00 р.
В книге представлена информация о принципах работы и основных технических характеристиках базовых элементов силовой электроники. На практических примерах рассмотрены основные аспекты проектирования и изготовления элементов силовой электроники, особенности их применения в различных типах энергосберегающих приборов и электронных устройств для осветительной техники, автоэлектроники, управления электродвигателями и источниками питания. Книга ориентирована на широкий круг читателей — ученых, инженерно-технических работников, студентов, инженеров-разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.
|
| 173 |
|
Основы электроники: научное издание / И. П. Жеребцов. — 3-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергия, 1974. — 464 с.: ил. — 2.01 р.
|
| 174 |
|
Негатроника = Negatronics: научное издание / Под ред. Л. Н. Степановой. — Новосибирск: Наука, 1995. — 315 с.: ил. — Библиогр. с. 305 - 311. — ISBN 5-02-031140-5: 10.500 р. |
| 175 |
|
Электроника / В. И. Гапонов ; ред. В. Б. Брагинский.
Ч. II : Электровакуумные и полупроводниковые приборы: Учебное пособие для высших учебных заведений / В. И. Гапонов ; ред. В. Б. Брагинский. — Москва: Государственное издательство физико-математической литературы, 1960. — 592 с.: ил. — Библиогр.: с. 582-587. — Предм. указ.: с. 588-592.
|
| 176 |
|
Неквазистатическое моделирование импульсных полупроводниковых приборов: монография / Г. М. Шевченко, Э. В. Семенов ; рецензенты : Н. Д. Малютин, О. Ю. Малаховский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск: Изд-во ТУСУРа, 2022. — 50 с.: ил. — Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ, проект № FWRM-2021-0015. — Библиогр.: с. 44-47. — ISBN 978-5-86889-987-4.
Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.
|
| 177 |
|
Расчет полупроводниковых охлаждающих устройств: научное издание / Е. Г. Покорный, А. Г. Щербина ; отв. ред. П. В. Гультяев; Институт полупроводников АН СССР. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1969. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 203.
В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств. Издание расчитано на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой и применением термоохлаждающих устройств.
|
| 178 |
|
Кинетические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в сильных внешних полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / Д. В. Завьялов ; науч. конс. С. В. Крючков, офиц. оппоненты : В. А. Иванченко, А. О. Литинский, С. В. Сазонов; Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоградский государственный университет. — Волгоград, 2010. — 29 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-29.
|
| 179 |
|
Моделирование 3D наносхемотехники: монография / Н. К. Трубочкина. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 499 с. ; [12] л. ил.: ил.; 25 см. — Библиогр.: с. 475-487. — ISBN 978-5-9963-0291-8: 540.00 р.
В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".
|
| 180 |
|
Электроника на основе нитрида галлия: монография / Р. Куэй ; пер. с англ. Ю. А. Когцевого, Е. А. Митрофанова ; под ред. А. Г. Васильева. — М.: Техносфера, 2011. — 587 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр.: с. 561-577. — Предм. указ.: с. 578-587. — ISBN 978-5-94836-296-0: 1011.22 р.
Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзисторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот. Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемы надежности и применения. Книга представляет большой интерес для студентов, аспирантов, инженеров, разработчиков приборов и соответствующей аппаратуры.
|