Управление параметрами низкоэнергетических сильноточных электронных пучков, генерируемых в пушках со взрывоэмиссионным катодом : дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / П. П. Кизириди ; науч. рук. Г. Е. Озур, офиц. оппоненты : Г. Е. Ремнев, С. Ю. Соковнин; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН. — Томск, 2021. — 143 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 125-140.

Генерация в низкопороговых активных средах на переходах Cd+, Ne И Xe при накачке пучком электронов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / А. В. Феденев ; науч. рук. В. Ф. Тарасенко; Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. — Томск, 1993. — 201 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 178-201.

Разработка методов увеличения пропускания и разрешающей способности малогабаритных статических масс-анализаторов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. С. Антонов ; науч. рук. В. Д. Саченко, науч. конс. Н. Н. Аруев, офиц. оппоненты : О. Ю. Цыбин, Александр Ахатович Ганеев; Физ.-тех. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН , Ин-т аналитического приборостроения РАН. — СПб., 2021. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.

Влияние имплантации ионами алюминия на формирование градиентных слоев сплава ВТ1-0 в различных структурных состояниях: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 1.3.5 / А. В. Никоненко ; науч. рук. И. А. Курзина, офиц. оппонеты : Л. Л. Мейснер, В. В. Овчинников; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Алтайский гос. техн. ун-т им. И. И. Ползунова. — Томск, 2022. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Форвакуумный плазменный источник ленточного электронного пучка для пучково-плазменной модификации диэлектриков: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 1.3.5 / В. Т. Чан ; науч. рук. А. С. Климов, офиц. оппонеты : Ю. П. Шаркеев, А. С. Каменецкий; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т физического материаловедения СО РАН (Улан-Удэ). — Томск, 2022. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.