Превращение сложных эфиров пентаз-итрита в условиях высоких температур и контакта с металлическими поверхностями: автореферат дис. ... канд. хим. наук : 05.17.04 / Г. А. Ютина ; науч. рук.: В. А. Проскуряков, В. В. Громова, офиц. оппоненты: В. М. Альбицкая, В. С. Демченко; Ленинградский технологический институт им. Ленсовета, Центральный научно-исследовательский дизельный институт. — Л., 1982. — 23 с. — На правах рукописи.

Исследования в области анализа веществ высокой чистоты и полупроводниковых материалов: автореферат дис. ... д-ра хим. наук : 02.00.02 / И. Г. Юделевич ; офиц. оппоненты: Ю. А. Золотов, А. И. Бусев, Н. А. Прилежаева; Институт неорганической химии (Новосибирск), Ордена Трудового Красного Знамени физико-энергетический институт. — Томск, 1972. — 44 с. — На правах рукописи.

Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты : Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2007. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Деформация и разрушение модифицированных ионными пучками материалов при трении: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. П. Гриценко ; науч. консультант В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: В. П. Кривобоков, А. А. Батаев, Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт машиноведения УрО РАН. — Томск, 2007. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.

Свойства нанодисперсного порошка триоксида вольфрама и его плазмохимический синтез при атмосферном давлении: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. Мартинес; науч. рук. Г. Н. Чурилов, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Ильин; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2007. — 24 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Исследование ЭЦР источников многозарядных ионов с квазигазодинамическим режимом удержания плазмы в открытых магнитных ловушках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. А. Скалыга ; науч. рук. В. Г. Зорин, офиц. оппоненты: А. А. Сковорода, Д. Л. Пасманик; Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород). — Нижний Новгород, 2007. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Несамостоятельный тлеющий разряд с полым катодом для азотирования титана: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / Ю. Х. Ахмадеев ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты: Е. М. Окс, И. Б. Степанов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.