| 451 |
|
Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома ийода: автореферат дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Н. М. Ступина ; науч. рук.: Г. А. Катаев, Л. Н. Возмилова, офиц. оппоненты: А. Г. Стромберг, В. Г. Столярчук; Томский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт (Томск). — Томск, 1973. — 13 с. — На правах рукописи.
|
| 452 |
|
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: научное издание / [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.]; отв. ред. А. Л. Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. — 2-е изд., стереотип. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007. — 368 с.: ил.; 25 см. — Авт. указаны в огл. — Библиогр. в конце параграфов. — ISBN 978-5-7692-0963-5.
В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологии и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.
|
| 453 |
|
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: научное издание / [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.]; отв. ред. А. Л. Асеев; Российская академия наук, Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 368 с.: ил.; 25 см. — Авт. указаны в огл. — Библиогр. в конце параграфов. — ISBN 5-7692-0608-2: 400.00 р.
В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологий и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.
|
| 454 |
|
Исследование релаксационных процессов, инициируемых наносекундным разрядом в водороде и гелии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Р. Х. Амиров ; науч. рук.: Э. И. Асиновский, В. В. Марковец, офиц. оппоненты: Г. К. Васильев, Ю. П. Райзер; Московский физико-технический институт, Институт высоких температур АН СССР, Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 455 |
|
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : Додэка-XXI , Б.г.
Т. 2 :. — , 2008. — 942 с.: ил. — Все права защищены. — Библиогр. в конце разд.; Предмет. указ. с. 934-941. — ISBN 978-5-94120-200-3. — ISBN 3-540-42849-6: 723.10 р.
Перевод 12-гоиздания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофа Шенка (в 1982 г. изд-во "Мир" выпустило перевод 5-го изд. этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентных схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники ин научным работникам.
|
| 456 |
|
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : ДМК Пресс , Б.г.
Т. 1 :. — , 2008. — 832 с.: ил., граф. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94120-200-3: 723.10 р.
Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.
|
| 457 |
|
Схемотехника и применение мощных импульсных устройств: монография / Х. Блум ; пер. с англ. А. М. Рабодзея. — М.: Додэка-XXI, 2008. — 346, [1] с.: ил.; 24 см. — (Силовая электроника). — Предм. указ.: с. 343-346. — ISBN 978-5-94120-191-4: 458.00 р.
В книге изложены физические и технические основы создания и применения импульсов высокого напряжения с очень большой мощностью и энергией. В первой части описаны компоненты, материалы и методы измерений, используемые в технике получения мощных импульсов. Во второй части — некоторые из наиболее перспективных применений этой техники в биоэлектрике, поверхностной обработке металлов, медицине, селективном размельчении различных материалов и т.д., а именно: генераторы мощных импульсов электрического и магнитного поля, источники интенсивного импульсного излучения и импульсных электрических разрядов. Книга представляет собой, по сути, путеводитель по огромному количеству публикаций по данной тематике, как классических, так и современных. Книга предназначена широкому кругу читателей, которые хотят ближе ознакомиться с основными идеями и методами, используемыми в сфере мощных импульсных устройств, а особо будет полезна студентам, преподавателям вузов, инженерам и ученым.
|
| 458 |
|
Мощные устройства импульсной энергетики на основе реверсивно включаемых динисторов (РВД): автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / С. В. Коротков ; офиц. оппоненты: Р. Б. Гончаренко, А. С. Васильев, В. Г. Кучинский; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.), Российский федеральный ядерный центр (Саров), Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (Саров), Институт проблем электрофизики РАН (СПб.). — СПб., 2003. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-34.
|
| 459 |
|
Основы силовой электроники: монография / С. Рама Редди ; пер. с англ. В. В. Масалова под ред. Д. П. Приходько. — М.: Техносфера, 2006. — 288 с.: ил. — (Мир электроники). — Библиогр.: с. 287. — ISBN 5-94836-055-5.
|
| 460 |
|
Диэлектрические явления и двойной слой в дисперсных системах и полиэлектролитах: монография / С. С. Духин, В. Н. Шилов; Институт коллоидной химии и химии воды АН УкрССР (Киев). — Киев: Наукова Думка, 1972. — 203, [5] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце глав. — 1.48 р.
|
| 461 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2-х ч. / Г. Я. Красников. — М.; : Техносфера , Б.г.
Ч. 2 :. — , 2004. — 536 с.: ил. — Библиогр.: с. 531-535. — ISBN 5-94836-001-6: 100.00 р.
|
| 462 |
|
Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория базовых знаний, 2003. — 488 с.: ил. — (Технический университет). — Библиогр.: с. 488. — ISBN 5-93208-045-0: 165.77 р.
|
| 463 |
|
Advances in low temperature RF plasmas: Basis for process desing / ed. T. Makabe. — Amsterdam: Elsevier, 2002. — 341 с.: ill. — Ind.: p.339-341. — ISBN 0-444-51095-8: 5352.00 р. |
| 464 |
|
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: сб. ст. / Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского; под общ. ред. Б. Н. Климова, А. И. Михайлова. — Саратов: Колледж, 2001. — 188 с.: ил. — ISBN 5-94409-005-7: 50.54 р. |
| 465 |
|
Модифицирование полупроводников пучками протонов: монография / В. В. Козловский ; отв. ред. Р. Ш. Малкович. — СПб.: Наука, 2003. — 268 с.: ил. — Библиогр.: с. 257-264. — ISBN 5-02-024988-2.
|
| 466 |
|
Энциклопедия устройств на полевых транзисторах: энциклопедия / В. П. Дьяконов [и др.] ; под общ. ред. В. П. Дьяконова. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 512 с.: ил. — Библиогр.: с. 499-507. — ISBN 5-93455-160-4: 150.00 р. |
| 467 |
|
Тиристоры и их зарубежные аналоги : справ. в 2-х т. / В. П. Черепанов, А. К. Хрулев. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 2 :. — , 2002. — 512 с.: ил. — ISBN 5-93037-062-1: 170.00 р.
|
| 468 |
|
Тиристоры и их зарубежные аналоги : справ. в 2-х т. / В. П. Черепанов, А. К. Хрулев. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 1 :. — , 2002. — 608 с.: ил. — ISBN 5-93037-061-3: 170.00 р.
|
| 469 |
|
Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов: справ. / В. П. Петухов. — М.: КУбК-а, 1997. — 320 с.: ил. — ISBN 5-85554-143-6: 10500.00 р.
|
| 470 |
|
Полупроводниковые приборы. Транзисторы: доп. первое / В. М. Петухов. — М.: Радио и связь, 1994. — 230 с.: ил. — (Справочник). — ISBN 5-256-01093-X: 3000.00 р.
|
| 471 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 1 :. — , 1998. — 832 с.: ил. — ISBN 5-93037-010-9: 51.00 р.
|
| 472 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 3 :. — , 1999. — 832 с.: ил. — ISBN 5-93037-005-2: 57.00 р.
|
| 473 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 4 :. — , 1999. — 928 с.: ил. — ISBN 5-93037-013-3: 80.00 р.
|
| 474 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 5 :. — , 1999. — 768 с.: ил. — ISBN 5-93037-025-7: 80.00 р.
|
| 475 |
|
Транзисторы и их зарубежные аналоги : справ.-каталог в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 5, дополнительный :. — , 2002. — 480 с.: ил. — ISBN 5-93037-090-7: 184.40 р.
|
| 476 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2-х ч. / Г. Я. Красников. — М.; : Техносфера , Б.г.
Ч. 1 :. — , 2002. — 416 с.: ил. — Библиогр.: с. 400-406. — ISBN 5-94836-001-6: 104.00 р.
|
| 477 |
|
Зарубежные транзисторы: справ. / Е. Ф. Турута. — М.: Горячая линия - Телеком, 2002. — 756 с.: ил. — ISBN 5-93517-060-4: 404.80 р.
|
| 478 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: справ. / А. В. Нефедов, В. И. Гордеева. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985. — 288 с.: ил. — 1.40 р.
|
| 479 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: справ. / А. В. Нефедов, В. И. Гордеева. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1986. — 288 с.: ил. — 1.40 р.
|
| 480 |
|
Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги : справ. в 3-х т. / А. М. Юшин. — М.; : РадиоСофт , Б.г.
Т. 2 :. — , 1999. — 544 с.: ил. — ISBN 5-93037-014-1: 65.00 р.
|
| 481 |
|
Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона: монография / В. Н. Овсюк [и др.] ; отв. ред. С. П. Синица; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука, 2001. — 376 с.: ил. — Авт. указ. на об. тит. л. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-02-031717-9: 60.00 р. |
| 482 |
|
400 новых радиоэлектронных схем: пер. с фр. / Г. Шрайбер. — М.: ДМК Пресс, 2001. — 368 с.: ил. — (В помощь радиолюбителю). — Предм. указ.: с. 361-367. — ISBN 5-94074-063-4: 89.00 р.
|
| 483 |
|
Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. — 488 с.: ил. — (Технический университет). — Библиогр.: с. 488. — ISBN 5-93208-045-0: 135.00 р.
|
| 484 |
|
Микромагнитоэлектроника / М. Л. Бараночников ; под ред. В. Н. Мордюковича. — М.; : ДМК Пресс , Б.г. — (Учебник ).
Т. 1 :. — , 2001. — 544 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-94074-078-2: 136.00 р.
|
| 485 |
|
Справочник по зарубежным диодам / сост. : Д. Садченков. — М.; : СОЛОН-Р , Б.г. — (Ремонт ; Вып.41 ).
Ч. 2 :. — , 2000. — 696 с.: ил. — Алф. указ.: с. 571-692. — ISBN 5-93455-058-6: 136.00 р.
|
| 486 |
|
Проблемы современного катализа.
Ч. II :. — Новосибирск, 1988. — 517 с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 2.50 р.
|
| 487 |
|
Полупроводниковые приборы: справ. / Б. Л. Перельман. — М.: НТЦ МИКРОТЕХ, 2000. — 176 с.: ил. — ISBN 5-85823-007-5: 59.00 р.
|
| 488 |
|
Основы наноэлектроники: учеб. пособие для вузов по спец. "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. — Новосибирск: НГТУ, 2000. — 332 с.: ил. — ISBN 5-7782-0281-4.
|
| 489 |
|
Справочник по зарубежным диодам. — М.; : СОЛОН-Р , Б.г. — (Ремонт ; вып. 36 ).
Ч. 1 :. — , 2000. — 696 с.: ил. — ISBN 5-93455-044-6: 125.00 р.
|
| 490 |
|
Зарубежные транзисторы, диоды. 1N...60000...: справ. / под ред. В. И. Заболотного, В. Р. Гончаренко. — М.: Наука и техника, 1999. — 634 с.: ил. — ISBN 5-88977-053-5: 78.00 р. |
| 491 |
|
Зарубежные транзисторы, диоды. A...Z: справ. / под ред. В. И. Заболотного, В. Р. Гончаренко. — М.: Наука и техника, 2000. — 552 с.: ил. — ISBN 5-93630-009-9: 79.00 р. |
| 492 |
|
Химическая физика процессов горения и взрыва : XI Симпозиум по горению и взрыву.
Т. 2 :. — Черноголовка: Институт химической физики РАН, 1996. — 198, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 7.00 р.
|
| 493 |
|
Транзисторы: справочник / О. П. Григорьев [и др.]. — М.: Радио и связь, 1989. — 272 с.: табл. — (Массовая радиобиблиотека). — ISBN 5-256-00236-8: 1.30 р. |
| 494 |
|
Тиристоры: справочник / О. П. Григорьев [и др.]. — М.: Радио и связь, 1990. — 270 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — Библиогр.: с. 269. — ISBN 5-256-00660-6: 1.50 р. |
| 495 |
|
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам: справочное издание / Н. Н. Горюнов [и др.] ; под общ. ред. Н. Н. Горюнова. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1978. — 744 с.: ил. — 2.40 р. |
| 496 |
|
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам: справочное издание / Н. Н. Горюнов [и др.] ; под общ. ред. Н. Н. Горюнова. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1976. — 744 с.: ил. — 2.39 р. |
| 497 |
|
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: справ. / А. Б. Гитцевич [и др.] ; под общ. ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1988. — 528 с.: ил. — ISBN 5-256-00145-0: 2.00 р. |
| 498 |
|
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: справ. / А. Б. Гитцевич [и др.] ; под общ. ред. А. В. Голомедова. — 2-е изд., стереотип. — М.: КУбК-а, 1994. — 528 с.: ил. — ISBN 855554-068-5: 8000.00 р. |
| 499 |
|
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: справ. / А. А. Зайцев [и др.] ; под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1989. — 640 с.: ил. — ISBN 5-256-00241-4: 2.70 р. |
| 500 |
|
Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: справ. / А. А. Зайцев [и др.] ; под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1989. — 384 с.: ил. — ISBN 5-256-00240-6: 1.80 р. |