Зарубежная военная техника : обзоры / Центральный научно-исследовательский институт информации и технико-экономических исследований (М.). — Москва; : ЦНИИ информации , Б.г.
Вып. 13 (105) : Приемники и преобразователи оптического излучения [Текст] . Основные математические модели полевых транзисторов / М. А. Кузнецова . Физические основы применения диодов с барьерами Шоттки на основе силицидов переходных металлов в многоэлементных приемниках ИК излучения / В. Д. Шадрин. — Москва: ЦНИИ информации, 1989. — 32 с.: ил. — Для служебного пользования. — Библиогр. в конце ст.
В обзоре М. П. Кузнецовой рассмотрена модель "частично-плавного канала" полевого транзистора с затвором Шоттки и с p-n переходом в качестве затвора. В рамках этой модели проведен расчет крутизны, емкости затвора и граничной частоты полевого транзистора, созданного на основе материалов InP и InGaAs. Полученные результаты сравниваются с приведенными в литературе значениями этих параметров для полевых транзистров на основе GaAs. Рассмотрено влияние поверхностного заряда на границе канал-подложка на характеристики полевого транзистора. Приведены результаты численного расчета характеристик полевых транзистров.В обзоре В. Д. Шадрина рассмотрены физические основы мехинзма преобразования излучения диодом с барьером Шоттки, а также вытекающие из них пороговые характеристики отдельного фотоприемника. Анализируются особенности применения фотодиодов с барьером Шоттки в многоэлементных матрицах с накоплением, в частности, влияние геометрического фактора шума на общий шум матрицы. С физической точки зрения обсуждаются основные фотоэлектрические и пороговые характеристики как фотодиодов, так и многоэлементных матриц, среди них - эквивалентная шуму разность температур. Приводятся типичные параметры ИК приемных устройств на матрицах Шоттки - диодов.