| 261 |
|
Сегнетомагнетики: монография / Ю. Н. Веневцев, В. В. Гагулин, В. Н. Любимов ; отв. ред. Г. С. Жданов; АН СССР, Науч. совет по физ.-хим. основам полупроводникового материаловедения, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова. — М.: Наука, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 186-222. — 1.60 р.
|
| 262 |
|
Рентгеновские спектры поглощения твердых тел: монография / Р. В. Ведринский, И. И. Гегузин. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 177-182. — ISBN 5-283-03923-4: 2.80 р.
|
| 263 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках: монография / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20 р.
|
| 264 |
|
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках: монография / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 279-286. — ISBN 5-283-03998-6: 3.30 р.
|
| 265 |
|
Электрический заряд в облученных материалах: монография / В. В. Громов. — М.: Энергоиздат, 1982. — 112 с.: ил. — Библиогр.: с. 101-111. — 1.40 р.
Дан анализ процессов формирования объемного электрического заряда в диэлектрических материалах, облучаемых ускоренными электронами, гамма-квантами и тяжелыми заряженными частицами. Рассмотрены случаи заряжения неорганических диэлектриков. Сформулированы условия, необходимые для стабилизации объемного заряда и развития внутренних электрических пробоев. Особое внимание уделено радиоактивным материалам, процессам накопления, нейтрализации и компенсации в них электрического заряда. Теоретический материал иллюстрируется расчетами и экспериментальными данными. Рассмотрено влияние объемного электрического заряда на распределение поглощенной дозы в веществе, кинетику растворения, испарения и другие свойства твердых тел. Описаны методы зондирования объемного заряда.Для научных работников, инженеров и технологов, работающих в области радиационной физики и химии твердых малопроводящих и изоляционных материалов.
|
| 266 |
|
Сегнетоэлектрики типа АV ВVI СVII: монография / Е. И. Герзанич, В. М. Фридкин. — М.: Наука, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 214-227. — 2.30 р.
|
| 267 |
|
Прочность оптических материалов: монография / А. В. Иванов. — Л.: Машиностроение. Ленинградское отделение, 1989. — 144 с.: ил. — Библиогр.: с. 138-143. — ISBN 5-217-00543-2: 0.50 р.
|
| 268 |
|
Поверхностные (таммовские) состояния: переводное издание / С. Дэвисон, Дж. Левин ; пер. с англ. А. Я. Беленького, под ред. Д. А. Киржница. — М.: Мир, 1973. — 232 с.: ил. — Библиогр.: с. 222-231. — 0.80 р.
|
| 269 |
|
Физика полупроводников: переводное издание / К. Зеегер ; пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса, А. Тетервова, под ред. Ю. К. Пожелы. — М.: Мир, 1977. — 615 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 600-611. — 2.90 р.
|
| 270 |
|
Физика дифракции: переводное издание / Дж. Каули ; пер. с англ. А. С. Авилова, Л. И. Ман, под ред. З. Г. Пинскера. — М.: Мир, 1979. — 431 с.: ил. — Библиогр.: с. 8, 410-419. — Имен. указ.: с. 420-421. — Предм. указ.: с. 422-424. — 2.90 р.
|