Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Двухфотонная спектроскопия щелочно-галоидных кристаллов с применением параметрического генератора-усилителя видимого диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. М. Климентов ; офиц. оппоненты: Н. Н. Ильичев, Е. В. Бакланов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — М., 1996. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-14.

Математическое моделирование взаимодействия электронных, ионных и атомарных пучков с высокомолекулярными диэлектриками : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.14 / В. В. Милявский ; науч. рук. Б. А. Скворцов, офиц. оппоненты: А. Д. Гладун, И. В. Сметанин; Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Научно-исследовательский центр теплофизики импульсных воздействий (М.), Московский радиотехнический институт РАН (М.). — М., 1996. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-26.

Малогабаритные линейные ускорители электронов 3-см диапазона и криогенные ускоряющие структуры: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / А. Я. Саверский ; науч. рук. И. С. Щедрин, офиц. оппоненты: В. В. Петренко, А. В. Грызлов; Московский государственный инженерно-физический институт (Технический университет) (М.), Московский радиотехнический институт РАН (М.). — М., 1998. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Разработка устройств ввода СВЧ-мощности и вывода волн высших типов для ускоряющих структур линейных коллайдеров: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / М. В. Лалаян ; науч. рук. Н. П. Собенин, офиц. оппоненты: А. Е. Шиканов, А. В. Грызлов; Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (М.), Московский радиотехнический институт РАН (М.). — М., 2002. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-19.

Методы расчета характеристик коронного разряда и процессов осаждения заряженных частиц применительно к электрографии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. Е. Литвинов ; офиц. оппоненты: Ю. К. Бобров, В. А. Панин, В. П. Савинов; Московская сельскохозяйственная академия им. К. А. Тимирязева (М.), Московский энергетический институт (технический университет) (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 2002. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-32.

Разработка и исследование пучково-плазменных методов повышения эксплуатационных свойств изделий из металлических материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / К. Уемура; Нац. исслед. Том. политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 26 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Предпробойные явления и развитие импульсных разрядов в сильноточных коммутаторах низкого давления с холодным катодом: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02 / И. А. Шемякин; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т сильноточной электроники. — Томск, 2011. — 290 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 271-290.

Модернизация и исследование источника ионов металлов на основе вакуумного дугового разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / К. П. Савкин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, А. И. Аксенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова. — Томск, 2005. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Генерация объемной плазмы в разрядах низкого давления с полым катодом для азотирования поверхности металлов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / И. В. Лопатин ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты: Е. М. Окс, Г. Е. Ремнев; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Уфимский гос. авиационный техн. ун-т. — Томск, 2013. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.