Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 326 - 330 из 414 для dc.subject any/relevant "ПОЛУПРОВОДНИКИ ... ( 0.111 сек.)

326
Пустовойт, Владислав Иванович.
Избранные труды: научное издание. — М.: Наука, 2014. — 919 с.: ил. — (Памятники отечественной науки. XX век : серия основана в 2005 году). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036939-9.
В книгу вошла значительная часть научных статей и обзоров по общей теории относительности, физике твердого тела (акустоэлектронике) и акустооптике, выдающегося физика академика В. И. Пустовойта. Им впервые в мире построена теория, описывающая изменение интерференционной световой картины в поле гравитационной волны, и высказана идея использования интерферометра Майкельсона для регистрации гравитационных волн (1962), выдвинута идея усиления акустических волн в полупроводниках дрейфом электронов (1961) и идея использования поверхностных акустических волн в электронике (1963 г., совместно с акад. Ю. В. Гуляевым), а также исследованы задачи дифракции света в кристаллах, решение которых позволило содать более точные методы спектральных измерений и на их основе впервые в мире спектрометры УФ, видимого и ИК диапазонов - "Акустооптические спектрометры". Для научных работников, аспирантов и студентов.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
327
Александров, Леонид Наумович.
Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках: научное издание / Л. Н. Александров, М. И. Зотов ; отв. ред. Л. С. Смирнов; Институт физики полупроводников СО АН СССР (Новосибирск). — Новосибирск: Наука, 1979. — 160 с.: ил. — Библиогр.: с. 149-158.
В книге рассмотрены физические процессы, вызывающие внутреннее трение в полупроводниках. Описаны конструкции установок, методы исследования внутреннего трения и их результаты для кремния, германия, арсенида галлия, сернистого цинка. Приведены данные о частотной, температурной и амплитудной зависимости внутреннего трения. На их основе вычисляются энергии активации образования и перемещения вакансий и дислокация, диффузии примесей, примесных и вакансионных комплексов, которые обсуждаются в соответствии с современными представлениями о дефектах в полупроводниках.Монография предназначена для научных сотрудников и научно-технических работников по физике полупроводников, полупроводниковой электронике, материаловедению, акустоэлектронике и может быть использована студентами и аспирантами соответствующих специальностей.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
328
Научные результаты института за 2003 год : Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук: отчет / Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. — 64 с.: ил.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
329
Научные результаты института за 2006 год : Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук: отчет / Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 2007. — 76 с.: ил.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
330
Научные результаты института за 2002 год : Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН: отчет / Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2003. — 55 с.: ил.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи