Представлены результаты комплекса работ Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по разработке фотоприемных устройств на основе эпитаксиальной системы кадмий - ртуть - теллур (КРТ) от технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) КРТ на подложках ориентации (301) из GaAs и Si и фотоприемных устройств (ФПУ) на основе эпитаксиального КРТ до создания оптико-электронных устройств на основе ФПУ ГЭС КРТ МЛЭ. В технологических разработках широко использована эллипсометрия для исследования процессов, происходящих на поверхности при МЛЭ КРТ, и для контроля in situ процесса роста слоев КРТ. Интенсивное применение сканирующих зондовых методов, таких как СТМ и АСМ, а также электронно-микроскопических методов ПЭМ и ВРЭМ, позволило получить новую информацию о процессах эпитаксиального роста и механизмах формирования прорастающих дефектов и антифазных доменов. Представлены результаты выращивания квантовых ям на основе КРТ. Книга представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой фотоэлектронике.

Приведены технические характеристики и описание переносных телевизоров цветного изображения, выполненных на транзисторах и интегральных микросхемах, а также принципиальные электрические и электромонтажные схемы, таблицы рабочих режимов транзисторов и микросхем, данные намоточных изделий. Особое внимание уделено вопросам ремонта и эксплуатации телевизоров. Подробно рассмотрены возможные неисправности телевизоров и методика их обнаружения. Даны рекомендации по устранению дефектов, настройке, регулировке, эксплуатации и оценке качества работы телевизоров. Для подготовленных радиолюбителей: может быть полезна инженерно-техническим работникам, занимающимся ремонтом радиоаппаратуры.