Мощные электроразрядные XeCl лазеры: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. И. Демин ; науч. рук. В. М. Борисов, офиц. оппоненты: Г. П. Кузьмин, И. В. Кочетов; Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (Троицк), Государственное унитарное предприятие ОКБ "Гранат", Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Троицк, 2001. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Исследование структуры поликристаллических полимеров методом спектроскопии комбинационного рассеяния света: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Г. Ю. Николаева ; науч. рук. К. А. Прохоров, офиц. оппоненты: В. С. Горелик, А. А. Соболь; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Активная спектроскопия объемных и поверхностных поляритонов в кристалле BeO: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. Н. Орлов ; науч. рук. Ю. Н. Поливанов, офиц. оппоненты: Л. А. Кулевский, А. Н. Пенин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — М., 2001. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Резонансная интерференционная стабилизация ридберговских атомов в сильном лазерном поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Н. П. Полуэктов ; науч. рук. М. В. Федоров, офиц. оппоненты: В. П. Крайнов, О. В. Тихонова; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский инженерно-физический институт (технический университет) (М.). — М., 2001. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14.

Граничные эффекты емкостного высокочастотного разряда: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. П. Савинов ; науч. конс. А. Ф. Александров, офиц. оппоненты: В. М. Батенин, В. С. Голубев, В. Н. Очкин; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — М., 2001. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-27.

Теоретическое исследование автоэлектронной эмиссии из сверхпроводящих материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.13 / И. В. Уйманов ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: М. В. Медведев, Ю. Д. Панов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Башкирский государственный университет (Уфа). — Екатеринбург, 2001. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Геометрия и динамика в теории струн с N-расширенной локальной суперсимметрией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02 / А. В. Галажинский ; офиц. оппоненты: М. О. Катанаев, П. М. Лавров, А. И. Пашнев; Томский политехнический университет (Томск), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2002. — 31 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-31.

Классическая аппроксимация квантовой теории спина: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / А. Н. Мягкий ; науч. рук. В. А. Бордовицын, офиц. оппоненты: В. Я. Эпп, Ю. Л. Пивоваров; Томский государственный университет (Томск), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — Томск, 2002. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Низкочастотная неустойчивость слабоионизованной столкновительной токонесущей плазмы, обусловленная отрицательной диффузией: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / М. Х. Ри ; науч. рук. А. А. Рухадзе, офиц. оппоненты: Л. С. Кузменков, Ю. М. Алиев; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Университет дружбы народов им. П. Лумумбы. — М., 2002. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Твердотельные лазеры на основе оптически плотных кристаллических сред: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. Б. Цветков ; офиц. оппоненты: Г. М. Зверев, Л. А. Кулевский, В. Я. Панченко; Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 2002. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-30.