| 91 |
|
Радиационные процессы в многокомпонентных материалах. Теория и компьютерное моделирование: монография / Ю. В. Трушин; Рос. АН, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2002. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 361-367. — ISBN 5-79890-204-8.
|
| 92 |
|
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах = Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices: монография / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. : В. А. Гриценко, А. Л. Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова [и др.]. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2011. — 156 с.: ил. — (Интеграционные проекты СО РАН / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние). — Авт. указаны на обороте тит. л. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1183-6: 5.00 р.
Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1-x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах : оксида SiO2, оксинитрида SiO2Ny, и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.
|
| 93 |
|
Диагностика приповерхностного слоя и управление его свойствами (Актуальные вопросы физической электроники): сб. науч. тр. / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина; редкол. : Ю. С. Васильев (отв. ред.) [и др.]. — Л.: ЛПИ, 1983. — 97 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина, 0376-1304). — Библиогр. в конце ст. — 1.00 р. |
| 94 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках: сборник научных трудов / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20 р. |
| 95 |
|
Прецизионные измерения физических величин на основе квантовой теории твердого тела: сб. ст. / Всесоюзн. науч.-исслед. ин-т физ.-техн. и радиотехн. измерений; отв. ред. Л. М. Пятигорский. — М.: ВНИИФТРИ, 1972. — 127 с.: ил. — (Труды ВНИИФТРИ). — Библиогр. в конце тр. — 0.50 р. |
| 96 |
|
Материалы электронной техники / АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев. — Новосибирск; : Наука. Сибирское отделение , Б.г.
Ч. I : Физико-химические основы методов синтеза. — , 1983. — 216 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.40 р.
|
| 97 |
|
Cильноточная электроника: Тезисы докладов. — Б. м., 1992. — 378 с.: ил. — С приложением. — Библиогр. в конце тез.
|
| 98 |
|
Пятая ежегодная научная конференция ИТПЭ ОИВТ РАН (Москва, 29 марта - 1 апреля 2004 г.): сб. тез. докл. — М., 2004. — 43 с.: ил. — Библиогр. в конце некоторых докл. — 28.20 р.
|
| 99 |
|
Изменение дислокационной структуры и механических свойств щелочногаллоидных кристаллов в ультразвуковом и электрическом полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. П. Белозерова ; оппоненты: Е. Ф. Дударев, А. А. Урусовская, В. З. Бенгус; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Костромской технологический институт (Кострома), Донецкий физико-технический институт УАН (Донецк). — Томск, 1992. — 47 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 41-47.
|
| 100 |
|
Оптически плотные активные среды: сборник научных трудов / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома И. А. Щербаков. — М.: Наука, 1990. — 161 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров, 0233-9390). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000774-9: 3.10 р. |