Подвижность ионов в газе в умеренно сильных электрических полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. В. Крылов ; науч. рук. У. Х. Расулев, офиц. оппоненты: Г. А. Дюжев, А. Э. Фотиади; Институт электроники им. У. А. Арифова АН Республики Узбекистан (Ташкент), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск). — СПб., 1995. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Исследование процессов импульсного осаждения и травления в хлоросодержащих газах под действием излучения эксимерных лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. В. Кузмичев ; науч. рук.: В. И. Конов, В. П. Агеев, офиц. оппоненты: М. Н. Либенсон, К. Н. Ельцов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский центр технологических лазеров РАН (Шатура). — М., 1995. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Теоретическое исследование энергетических и усилительных характеристик крупногабаритных плитообразных активных элементов из неодимового стекла: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. Б. Мокров ; науч. рук. А. В. Боровский, офиц. оппоненты: Г. В. Склизков, Р. В. Серов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Институт высоких температур РАН. — М., 1995. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Лазерные методы исследования ленгмюровских мономолекулярных пленок: микроскопия и рефлектометрия под углом Брюстера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. А. Никитенко ; офиц. оппоненты: Л. А. Кулевский , Л. А. Фейгин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1995. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Компьютерное моделирование физических процессов при воздействии ионов и электронов на поверхность и газ: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Рыжов ; офиц. оппоненты: В. Я. Иванов, А. В. Лучинский, С. И. Яковленко; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-34.

Магнитная изоляция в сильноточных диодах в сильноточных диодах и передающих линиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / О. И. Василенко ; офиц. оппоненты: А. Ф. Александров, Э. А. Перельштейн, А. А. Рухадзе; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Научно-исследовательский институт ядерной физики (М.). — М., 1992. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Оптические и дисперсионные характеристики многослойных одномодовых волоконных световодов с модифицированной дисперсией: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. А. Семенов ; науч. рук. А. В. Белов, офиц. оппоненты: А. С. Беланов, А. Л. Томашук; Научный центр волоконной оптики (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт радиоэлектроники РАН (М.). — М., 1995. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-25.

Теоретические и технологические основы направленного улучшения свойств поверхностных слоев изделий из инструментальных материалов посредством их ионно-вакуумной модификациии: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.03.01, 05.02.06 / И. А. Сенчило ; офиц. оппоненты: В. Л. Вейц, А. С. Верещака, Л. Н. Розанов; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Институт проблем машиноведения РАН (СПб.). — СПб., 1995. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.

Передача, преобразование и восстановление поляризации света в системе оптическое волокно/кристалл: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. В. Воляр ; офиц. оппоненты: Б. Я. Зельдович, А. В. Хижняк, В. В. Обуховский; Симферопольский государственный университет им. М. В. Фрунзе, Институт физики АН Украины, Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова. — Киев; Симферополь, 1992. — 25 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-25.