Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 166 - 170 из 2236 для dc.subject any/relevant "КРИСТАЛЛЫ ИМЕРС ... ( 0.144 сек.)

166
Стебеньков, Артем Михайлович.
Электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. М. Стебеньков ; науч. рук. А. О. Литинский, офиц. оппоненты: Г. М. Шмелев, М. Б. Белоненко; Волгоградский государственный технический университет (Волгоград), Волгоградский государственный университет (Волгоград). — Волгоград, 2009. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-16.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
167
Мелешко, Анна Алексеевна.
Время-разрешенная оптическая спектроскопия сцинтилляционных кристаллов CsI(Tl): автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Мелешко ; науч. рук. В. Ю. Яковлев, офиц. оппоненты: И. Н. Огородников, Ю. И. Тюрин; Томский политехнический университет (Томск), Иркутский государственный университет (Иркутск). — Томск, 2009. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
168
Черонис, Н.
Микро- и полумикрометоды органической химии = MICRO AND SEMIMICRO METHODS: переводное издание / Н. Черонис ; пер. с англ. Т. Т. Березова, А. В. Веденеева,А. В. Очкина, под ред. А. П. Терентьева. — М.: Издательство иностранной литературы, 1960. — 521, [3] с.: ил., табл. — Предм. указ.: с. 501-518. — 3.02 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
169
Атомные модели зарождения дислокаций и механического двойникования в ГЦК-кристаллах: научное издание / А. Н. Тюменцев [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
170
Дмитриев, А. И.
О возможности структурной неустойчивости при релаксации деформированного кристалла. Молекулярно-динамическое исследование: научное издание / А. И. Дмитриев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М. ; СПб.
Исследуются особенности развития упругой и пластической деформации в материале непосредственно после прекращения активной фазы нагружения. Исследования проведены на основе компьютерного моделирования методом молекулярной динамики. Показано, что в зависимости от величины деформации, достигнутой на этапе активного нагружения, релаксация кристалла может развиваться различными путями. Так, в работе выявлен интервал значений деформации, особенностью которого является состояние неустойчивого равновесия кристаллической решетки, когда небольшие изменения степени сжатия приводят к существенному изменению характера формирования полос локализации атомных смещений. Полученные результаты могут иметь существенное значение при изучении влияния "инерционности" процесса структурных изменений материала на развитие пластической деформации.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи