Physical fundamentals of mesomechanics of plastic deformation and fracture of solids: научное издание / В. Е. Панин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Acta Metallurgica Sinica : научное издание. — 1997. — N2. Том33 . — C. 187-197. — ISSN 0412-1961.

Кристаллическое тело как универсальный генератор автоволн локализованной пластичности: научное издание / Л. Б. Зуев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.

Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты : Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2007. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Резонансная перезарядка и рассеяние ионов поверхностью кристалла NaCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Р. Р. Убайдуллаев ; науч. рук. М. Б. Гусева, офиц. оппоненты: Н. П. Калашников, Б. Л. Оксенгендлер; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР (М.). — М., 1990. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14.

Фотоэмиссионные свойства тонких пленок антимонидов щелочных металлов, сконденсированных в условиях сверхвысокого вакуума: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / И. А. Нестеров ; науч. рук. В. М. Геллер, науч. конс. А. Б. Беркин, офиц. оппоненты: В. Н. Брудный, С. Н. Янин; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск), Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (СПб.), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2009. — 24 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 21-24.

Нанесение прозрачных проводящих покрытий на основе оксида цинка методом магнетронного распыления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / С. В. Работкин ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Е. М. Окс, С. Н. Янин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2009. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Исследование приповерхностного слоя магнитной жидкости вблизи металлического и полупроводникового электродов по оптическим и электрофизическим измерениям: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. А. Гетманский ; науч. рук. В. В. Чеканов, офиц. оппоненты: В. В. Соколов, А. Я. Симоновский; Ставропольский государственный университет (Ставрополь), Курский государственный технический университет (Курск). — Ставрополь, 2009. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Исследование разряда в скрещенных полях в неоне: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Сасин ; науч. рук. С. Д. Вагнер, офиц. оппоненты : Л. Д. Цендин, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.