Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 601 - 605 из 1814 для dc.subject any/relevant "ЛЕСНОЕ ХОЗЯЙСТВ ... ( 0.064 сек.)

601
Simulation of the stress-strain state and stability loss of a thermal barrier coating under thermal shock: научное издание / П. А. Люкшин [et al.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский университет систем управления и радиоэлектроники (Томск) // .
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
602
Крючкова, Виктория Валерьевна.
Численное моделирование распространения упругих волн в неоднородных анизотропных и пористых средах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.04 / В. В. Крючкова ; науч. рук.: В. А. Гриднева, М. М. Немирович-Данченко; Институт геологии нефти и газа СО РАН, Томский филиал. — Томск, 2000. — 153 с.: рис., граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 136-153.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
603
Advanced computational materials modeling: from classical to multi-scale techniques / ed. by M. V. Junior [et al.]. — Weinheim: Wiley-VCH, 2011. — XVIII,431 p.: ill.; 25 cm. — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 978-3-527-32479-8: 330.00 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
604
Вычислительные методы, алгоритмы и аппаратурно-программный инструментарий параллельного моделирования природных процессов = Computational methods, algorithms and hardware and software tools for parallel modelling of natural processes: научное издание / М. Г. Курносов [и др.] ; отв. ред. В. Г. Хорошевский, рец.: В. М. Ефимов, П. В. Макаров, О. И. Потатуркин; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН (Новосибирск), Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск), Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН (Новосибирск), Институт вычислительных технологий СО РАН (Новосибирск), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт цитологии и генетики СО РАН. — Новосибирск: СО РАН, 2012. — 355 с.: ил. — (Интеграционные проекты СО РАН). — Авт. указаны на обороте тит. л. — Библиогр.: с. 335-349. — ISBN 978-5-7692-1237-6: 1394.18 р.
В монографии описан комплекс алгоритмических и аппаратурно-программных средств математического моделирования различных физических процессов и природных явлений. Особое внимание уделено задачам физики низко- и высокотемпературной плазмы, нанотехнологий (включая нанофотонику и наноматериалы) и биоинформатики. Отражены основные этапы процесса моделирования, включая разработку математических моделей и последовательных и параллельных методов, проверку их адекватности и реализацию на распределенных вычислительных системах. Монография рассчитана на специалистов в области математического моделирования, параллельных вычислительных технологий, распределенных вычислительных и GRID систем, а также параллельного программирования.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
605
Трубочкина, Надежда Константиновна.
Моделирование 3D наносхемотехники: монография / Н. К. Трубочкина. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 499 с. ; [12] л. ил.: ил.; 25 см. — Библиогр.: с. 475-487. — ISBN 978-5-9963-0291-8: 540.00 р.
В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи