| 431 |
|
Электроника : прошлое, настоящее, будущее: переводное издание / пер. с англ. под ред. В. И. Сифорова. — М.: Мир, 1980. — 296 с.: ил. — Спец. вып. журн. Electronics, посвящ. его 50-летию. — 2.10 р. |
| 432 |
|
Широкополосные осциллографические трубки и их применение: монография / В. А. Шкунов, Г. И. Семеник. — М.: Энергия, 1976. — 127 с.: ил. — Библиогр.: с. 123-125. — 0.35 р.
|
| 433 |
|
Электронные пучки и генерация СВЧ-излучений: науч. техн. сб. / АН СССР, Московский радиотехнический институт; редкол. : Г. И. Бацких (гл. ред.) [и др.]. — М.: Московский радиотехнический институт, 1990. — 147 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 1.20 р. |
| 434 |
|
Электронное полупроводниковое приборостроение: межвуз. сб. науч. тр. / Новосиб. электротехн. ин-т; под ред. В. С. Шадрина. — Новосибирск: Новосибирский электротехнический институт, 1980. — 199 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 0.60 р. |
| 435 |
|
Светолучевые осциллографы: монография / В. М. Артамонов, Г. П. Лебедев, П. И. Хренков. — Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1982. — 102 с.: ил. — Библиогр.: с. 101. — 0.30 р.
|
| 436 |
|
Реферативный журнал. 23. Электроника: Сводный том: 23Б. Полупроводниковые приборы / ВИНИТИ. — 1955-. — М.: ВИНИТИ РАН, 1955-. — ISSN 0202-4166. |
| 437 |
|
Материалы IV Межрегионального совещания "Тонкие пленки в электронике": сборник. — М.; Улан-Удэ, 1993. — 255 с.: ил. — Библиогр. в конце докл.
|
| 438 |
|
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: монография / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. — М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 304 с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 289-297. — ISBN 978-5-9963-0633-6: 324.00 р.
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/Si02 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
|
| 439 |
|
Полупроводниковые лазеры: учеб. пособие к спецкурсу "Полупроводниковые приборы" / В. Ф. Названов ; под ред. З. И. Кирьяшкиной. — Саратов: Издательство Саратовского университета, 1971. — 86 с.: ил. — Библиогр.: с. 81-84. — 0.20 р.
|
| 440 |
|
Свойства и применение металлов и сплавов для электровакуумных приборов: справ. пособие / Р. Т. Андреева [и др.] ; под общ. ред. Р. А. Нилендера. — М.: Энергия, 1973. — 336 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 1.20 р. |