| 136 |
|
Моделирование разномасштабных необратимых процессов в условиях высокоэнергетических воздействий: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.04, 05.16.01 / Н. В. Букрина ; научный руководитель А. Г. Князева; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2008. — 198 л. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 180-198.
|
| 137 |
|
Феноменологическая и стационарная кинетика сложных химических реакций: научное издание / В. Г. Горский, Т. Н. Швецова-Шиловская, В. А. Петрунин. — Смоленск: Ойкумена, 2002. — 406, [2] с.: ил. — Библиогр.: с. 397-405. — ISBN 5-93520-016-3: 21.44 р.
|
| 138 |
|
Математическое моделирование объемных изменений в процессе спекания порошков системы Ti-Al: научное издание / С. Н. Сорокова; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск) // Новосибирск. Предложена и исследована математическая модель процесса спекания порошковых катодов. Учитывается, что химические превращения происходят с изменением объема и сопровождаются появлением механических напряжений и деформаций дополнительно к напряжениям и деформациям вследствие высоких градиентов температур. В модели полагается, что химические реакции тормозятся слоем продукта. В работе проведена оценка параметров модели. Определены распределения температуры, концентраций элементов и соединений, относительного объема образца и объемных деформаций.
|
| 139 |
|
Пути интенсификации процессов производства низших олефинов: сб. науч. тр. / Всесоюзный научно-исследовательский институт органического синтеза. — М.: ЦНИИТЭнефтехим, 1985. — 142, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 1.60 р. |
| 140 |
|
Математическое моделирование взаимодействия электронных, ионных и атомарных пучков с высокомолекулярными диэлектриками : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.14 / В. В. Милявский ; науч. рук. Б. А. Скворцов, офиц. оппоненты: А. Д. Гладун, И. В. Сметанин; Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Научно-исследовательский центр теплофизики импульсных воздействий (М.), Московский радиотехнический институт РАН (М.). — М., 1996. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-26.
|