Генерация мягкого рентгеновского излучения с энергией квантов выше 1 кэВ В К-линиях вещества лайнера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. В. Шишлов ; науч. рук. Р. Б. Бакшт, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, Ю. Г. Калинин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (Троицк). — Томск, 2000. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Миниатюризация импульсных сильноточных ускорителей электронов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / В. Г. Шпак ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, М. Д. Райзер, П. М. Щанин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО АН СССР, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 1989. — 28 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 25-28.

Информационно-методическое обеспечение контроля в АСНИ электронного синхротрона "СИРИУС": автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.13.16 / С. П. Сидоренко ; науч. рук. В. А. Кочегуров, офиц. оппоненты: Н. Е. Яковлев, В. И. Сырямкин; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт ядерной физики СО АН СССР. — Томск, 1987. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Исследование оптических характеристик атмосферного канала и компенсация искажений лазерного сигнала в нем посредством ОВФ: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Л. Габриелян ; науч. рук. Р. А. Казарян, офиц. оппоненты: В. М. Арутюнян, А. С. Абрамян; Институт физических исследований АН Армянской ССР (Аштарак), Ленинградский электротехнический институт связи им. М. А. Бонч-Бруевича (Л.). — Аштарак, 1990. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.

Исследование ионных и электронных потоков в системах с микросекундными плазменными прерывателями: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / И. В. Лисицын ; науч. рук. В. М. Быстрицкий, офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, А. И. Рябчиков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО АН СССР (Свердловск), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР (М.). — Томск, 1991. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Исследование плазмы в электрофизических установках методами лазерного рассеяния: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. А. Кубасов ; науч. рук.: О. А. Гусев, В. Г. Смирнов, офиц.оппоненты: А. С. Шиканов, В. В. Александров; Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — СПб., 1992. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-19.

Модификация поверхности металлов методом ионно-лучевого смешивания: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Г. Мурзин ; науч. рук. Л. П. Чупятова, офиц. оппоненты: В. Н. Мордкович, Г. В. Гордеева; Московский институт стали и сплавов (М.), ЦНИИЧЕРМЕТ. — М., 1992. — 25 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-25.

Нестационарная модель катодных и прикатодных процессов вакуумной дуги: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Г. Парфенов ; офиц. оппоненты: Ю. И. Вершинин, А. К. Чирков, А. В. Лучинский; Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова (Екатеринбург), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — Екатеринбург, 1992. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.

Теоретические и технологические основы направленного улучшения свойств поверхностных слоев изделий из инструментальных материалов посредством их ионно-вакуумной модификациии: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.03.01, 05.02.06 / И. А. Сенчило ; офиц. оппоненты: В. Л. Вейц, А. С. Верещака, Л. Н. Розанов; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Институт проблем машиноведения РАН (СПб.). — СПб., 1995. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.

Условия существования и эмиссионные свойства положительно заряженных структур в тлеющих разрядах с осциллирующими электронами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. П. Никулин ; офиц. оппоненты: Е. А. Литвинов, А. П. Яловец, А. А. Гончаров; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Екатеринбург, 1999. — 25 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-25.