Рассмотрен акустический отклик двух различных пар трения, в которых при фрикционном контакте реализуются хрупкое разрушение и интенсивная пластическая деформация. При анализе акустических сигналов применялась методика расчета медианной частоты с использование оконного преобразования Фурье.

Проведены экспериментальные исследования перидотитов с различным средним размером зерна. Показано, что в крупнокристаллическом перидотите происходит множественное "объемное" разрушение по всем составляющим крупным фрагментам. В мелкокристаллическом образце разрушение локализовано в центре и развивается в направлении близком к оси сжатия, лишь в верхней и нижней частях зона локализованной деформации раздваивается и несколько отклоняется по направлениям близким к максимальным касательным напряжениям. Отношение поперечной и осевой деформаций для крупнокристаллического и мелкокристаллического образцов к началу разрушения составило 1.36 и 0.76 соответственно. Показано, что размеры структурных элементов в материале прямо определяют масштабный уровень формирования трещин, а следовательно, и уровень разрушения породы.

На поликристаллических образцах малоуглеродистой стали 08пс проведены исследования картин локализации пластического течения при электролитическом насыщении водородом в трехэлектродной электрохимической ячейке при постоянном контролируемом катодном потенциале. Насыщение водородом образцов стали привело к уменьшению пределов текучести, прочности на пластичности на 9%. С помощью метода двухэкспозиционной спекл-фотографии определены основные типы и параметры локализации пластического течения на разных стадиях деформационного упрочнения образцов в исходном состоянии без водорода и после насыщения водородом. Установлено, что наводороживание образцов усиливает локализацию деформации, приводит к значительным перестройкам зон локализованной деформации.

Исследовано влияние электрического потенциала на скорость ползучести металлических проводников. Выяснены факторы, приводящие к изменению скорости ползучести. Показано, что электрическое поле, локализованное в двойном слое на поверхности заряженного проводника, приводит к понижению потенциального барьера, разделяющего упруго и неупруго деформированные состояния.