Исследование коммутационных характеристик открытого разряда, генерирующего встречные электронные пучки: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 1.3.5 / П. П. Гугин ; науч. рук. П. А. Бохан; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН ; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Новосибирск, 2023. — 159 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 141-159.

Динамика электрического пробоя в газах повышенного давления в условиях высокой пространственной неоднородности электрического поля: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 1.3.13 / А. О. Коковин ; науч. рук. А. В. Козырев, офиц. оппоненты : А. И. Пушкарев, Г. Б. Рагимханов; Институт сильноточной электроники СО РАН, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Дагестанский государственный университет, Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований. — Томск, 2023. — 130 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 100-119.

Широкоапертурный импульсно-периодический ускоритель электронов на основе несамостоятельного высковольтного тлеющего разряда с эффективным выводком пучка в атмосферу: дис. ... канд. техн. наук : 2.2.1 / С. Ю. Дорошкевич ; науч. рук. М. С. Воробьев, офиц. оппоненты : С. Л. Косогоров, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск) ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Инженерная школа новых производственных технологий ; Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2023. — 161 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 143-159.

Когерентное черенковское излучение сильноточных релятивистских электронных пучков: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в форме научного доклада : 01.04.04, 01.04.08 / Н. Ф. Ковалев ; офиц. оппоненты : Г. А. Месяц, А. А. Рухадзе, Д. И. Трубецков; Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород ), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Нижний Новгород, 1992. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-50.

Формирование мощных наносекундных высокочастотных импульсов в частично заполненных ферритом коаксиальных линиях с различными дисперсионными свойствами: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 1.3.5 / П. В. Припутнев ; науч. рук. И. В. Романченко ; офиц. оппоненты : С. В. Самсонов, Н. Д. Малютин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород ), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2024. — 175 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-174.

Генератор протяженных объемно-однородных пучково-плазменных образований для азотирования сталей: дис. ... канд. техн. наук : 2.2.1 / Е. В. Островерхов ; науч. рук. В. В. Денисов ; офиц. оппоненты: А. И. Сайфутдинов, В. Д. Телех; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Казанский национальный исследовательский технический университет им. А. Н. Туполева - КАИ (Казань), Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана (Москва), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2024. — 123 с.: ил., цв.ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 107-116.

Системы генерации пучково-плазменных образований на основе сильноточного несамостоятельного тлеющего разряда низкого давления с полым катодом: дис. ... д-ра техн. наук : 1.3.5 / В. В. Денисов ; науч. конс. : Н. Н. Коваль ; офиц. оппоненты : А. П. Семенов, Д. Э. Закревский, С. В. Рыжков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (СПб.), Институт физического материаловедения СО РАН (Улан-Удэ), Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана (М.), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2024. — 390 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 342-359.

Изгибные волны, возбуждаемые в твердых телах плотными импульсными пучками электронов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Л. Барденштейн ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты : Ю. А. Хон, В. Л. Ульянов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 1996. — 121 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 111-121.