| 401 |
|
Экситоны и биэкситоны в полупроводниках: сб. статей / АН МССР, Институт прикладной физики; редкол. : В. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1982. — 314 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10 р. |
| 402 |
|
Оптические волны в кристаллах: переводное издание / А. Ярив, П. Юх ; пер. с англ. С. Г. Кривошлыкова, Н. И. Петрова, под ред. И. Н. Сисакяна. — М.: Мир, 1987. — 616 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 609-613. — 5.60 р.
|
| 403 |
|
Фотосегнетоэлектрики: монография / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 254-262. — Алф. указ.: с. 263-264. — 1.70 р.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 404 |
|
Изоляционные свойства технического вакуума при мегавольтном уровне напряжения: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / Г. М. Кассиров ; офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, И. Н. Сливков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1992. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.
|
| 405 |
|
Взрывоэмиссионные источники электронов для поверхностной термообработки материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Б. А. Коваль ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: Д. А. Носков, Я. Е. Красик; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — Томск, 1987. — 22 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-21.
|