| 51 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1977. — 672 с.: ил. — Библиогр.: с. 666-669. — 1.70 р.
|
| 52 |
|
Действие излучений на полупроводники: монография / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 180-181. — Предм. указ.: с. 188. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20 р.
|
| 53 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках : экспериментальные аспекты: переводное издание / Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1985. — 304 с.: ил. — Библиогр.: с. 289-297. — Предм. указ.: с. 298-300. — 2.70 р.
|
| 54 |
|
Горячие электроны в многодолинных полупроводниках: монография / М. Аше [и др.] ; отв. ред. П. М. Томчук; АН УССР, Институт физики, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1982. — 327 с.: ил. — Библиогр.: с. 316-322. — 3.60 р. |
| 55 |
|
Спецпрактикум по физике полупроводников / В. В. Остробородова, В. Д. Егоров. — М.; : Издательство Московского университета , Б.г.
Ч. 1 :. — , 1974. — 76 с.: ил. — Библиогр.: с. 76. — 0.16 р.
|
| 56 |
|
Квантовые процессы в полупроводниках: переводное издание / Б. Ридли ; пер. с англ. И. П. Звягина, А. Г. Миронова. — М.: Мир, 1986. — 304 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 3.00 р.
|
| 57 |
|
Полупроводники: переводное издание / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70 р.
|
| 58 |
|
Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: учеб. пособие для студ. физ. и электрофиз. фак. вузов / В. В. Сердюк, Г. Г. Чемересюк, М. Терек. — Киев; Одесса: Вища школа, 1982. — 151 с.: ил. — Библиогр.: с. 147. — 0.40 р.
|
| 59 |
|
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда: монография / В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов; СО АН СССР, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 253 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-253. — 3.00 р.
В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
|
| 60 |
|
Фотосегнетоэлектрики: монография / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 254-262. — Алф. указ.: с. 263-264. — 1.70 р.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|