| 1 |
|
Характеристики плазмы и эмиссионной системы источника электронов на основе отражательного разряда с полым катодом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / И. В. Осипов ; науч. рук.: В. А. Груздев, Н. Г. Ремпе, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. Н. Коваль; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — Томск, 1993. — 17 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 15-17.
|
| 2 |
|
Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. В. Гаврилов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 2000. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 3 |
|
Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2000. — 148 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 137-148.
|
| 4 |
|
Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты : В. А. Москалев, Ю. Д. Королев; Томский ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 18 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 5 |
|
Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 193 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 143-155.
|
| 6 |
|
Условия образования и эмиссионные свойства объемной плазмы дугового разряда низкого давления: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. М. Окс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 183 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 168-183.
|
| 7 |
|
Источники низкоэнергетических сильноточных электронных пучков на основе пушек с плазменным анодом и взрывоэмиссионным катодом: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Е. Озур ; науч. конс. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, Г. Е. Ремнев, В. А. Бурдовицын; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт ядерной физики СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2008. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.
|
| 8 |
|
Разработка и внедрение электронно-лучевой аппаратуры на основе источников с плазменным эмиттером: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Н. Г. Ремпе; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2002. — 270 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 246-263.
|
| 9 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 10 |
|
Источники низкоэнергетических сильноточных электронных пучков на основе пушек с плазменным анодом и взрывоэмиссионным катодом: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Е. Озур ; науч. консультант Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2008. — 287 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 265-387.
|