| 601 |
|
Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения: переводное издание / Д. Спенс ; пер с англ. под ред. В. Н. Рожанского. — М.: Наука, 1986. — 320 с.: ил. — Библиогр.: с. 313-320. — 3.70 р.
|
| 602 |
|
Закономерности эволюции структуры и фазового состава ультрамелкозернистого сплава Al-Mg-Li-Zr, полученного воздействием интенсивной пластической деформации: научное издание / Е. В. Найденкин, К. В. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Томск.
Методами дифференциальной сканирующей калориметрии, рентгеновской дифрактометрии, а также про¬свечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы фазовые превращения и стабильность струк¬туры легированного цирконием ультрамелкозернистого сплава системы Al-Mg-Li при нагреве. Установлено, что при повышении температуры в сплаве формируются частицы S-фазы двух типов, отличающиеся структурой кри¬сталлической решетки. Показана важная роль S-фазы в обеспечении высокой термической стабильности ультрамелкозернистой структуры, полученной методами интенсивной пластической деформации.
|
| 603 |
|
Электронная оптика и электронная микроскопия: переводное издание / П. Хокс ; пер. с англ. И. Ф. Анаскина, А. М. Розенфельда, под ред. И. Г. Стояновой. — М.: Мир, 1974. — 318 с.: ил. — Библиогр.: с. 296-299. — Предм. указ.: с. 315-318. — 1.66 р.
|
| 604 |
|
Влияние режимов ионно-плазменного синтеза на особенности структурно-фазового состояния многокомпонентных нанокомпозитных покрытий системы Al-Cr-Si-Ni-Cu-N: научное издание / А. Д. Коротаев [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Томск.
В рамках концепции создания многокомпонентных нанокомпозитных покрытий, предполагающей одновременное зарождение островков различных взаимно нерастворимых или малорастворимых фаз при самоорганизации микроструктуры в процессе синтеза, разработаны и получены покрытия системы Al-Cr-Si-Ti-Cu-N. С применением методов рентгеноструктурного анализа, растровой и просвечивающей электронной микроскопии проведено комплексное исследование влияния режимов ионно-плазменного синтеза на особенности микроструктуры, микротвердость, элементный и фазовый состав изучаемых покрытий. Обсуждаются пути оптимизации режимов получения многокомпонентных нанокомпозитных покрытий указанной выше системы.
|
| 605 |
|
Влияние вакуумно-дуговой ионно-лучевой обработки на структуру и механические свойства стали 30ХГСН2А: научное издание / С. В. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
Методами оптической, просвечивающей и растровой электронной микроскопии, а также рентгеновской дифракции изучена структура поверхностного слоя высокопрочной стали 30ХГСН2А, модифицированной ионно-лучевой обработкой, и структура по всему поперечному сечению образца толщиной 1 мм. Проведены испытания на статическое и циклическое растяжение образцов без и после обработки ионным пучком Zr+, выявившие увеличение усталостной долговечности в результате применения указанного способа модификации. Проанализированы различия в характере деформационного поведения образцов и изменения их механических свойств. Обсуждаются причины повышения усталостной долговечности облученных образцов с учетом произошедших структурных изменений.
|
| 606 |
|
Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ : в 2-х кн. / Дж. Гоулдстейн [и др.] ; пер. с англ. Р. С. Гвоздовер, Л. Ф. Комоловой, под ред. В. И. Петровой. — М.; : Мир , Б.г.
Кн. 2 :. — , 1984. — 348 с.: ил. — Библиогр.: с. 318-341. — Предм. указ.: с. 342-346. — 3.10 р.
|
| 607 |
|
Зависимость структуры ионно-модифицированных слоев монокристаллов NiTi от ориентации облучаемой поверхности: научное издание / Т. М. Полетика [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М. ; СПб.
Методами оже-электронной спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы состав и структура имплантированных Si-слоев монокристаллов никелида титана, различно ориентированных относительно направления ионно-пучкового воздействия. Выявлена роль „мягкой“ [111]В2 и „жесткой" [001]В2 ориентаций NiTi в формировании структуры ионно-модифицированного поверхностного слоя, а также дефектной структуры приповерхностных слоев монокристаллов. Обнаружены ориентационные эффекты селективного распыления и каналирования ионов, контролирующие состав и толщину формирующихся оксидного и аморфного слоев, глубину проникновения ионов и примесей, а также концентрационный профиль распределения Ni на поверхности.
|
| 608 |
|
Электронная структура тугоплавких соединений: монография / Е. А. Жураковский ; ред. И. Н. Францевич, рец.: В. Н. Еременко, В. В. Немошкаленко; Институт проблем материаловедения АН Украинской ССР (Киев). — Киев: Наукова Думка, 1976. — 283 с.: рис., табл. — Библиогр.: с. 360-381.
В книге впервые систематизированы данные об электронном строении тугоплавких соединений переходных металлов с бором, углеродом, азотом и кремнием, полученные из рентгеновских и рентгенэлектронных спектров и теоретических расчетов зон. С ними сопоставлена электронная структура тугоплавких соединений из легких атомов, фаз внедрения водорода и некоторых окислов. На основе построенных абсолютных энергетических схем электронных уровней и полос в соединениях предельного и переменного состава предложена общая физическая модель их строения, позволяющая объяснить некоторые физические свойства. Рассчитана на инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области физики и химии твердого тела.
|
| 609 |
|
Исследование электронной структуры и надмолекулярной организации полимеров методом аннигиляции позитронов: автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук / А. И. Филипьев; Институт химической физики АН СССР, Калининский государственный университет (Калинин), Московский областной педагогический институт им. Н.К. Крупской (М.), кафедра общей физики. — Калинин, 1979. — 17 с.: табл. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 610 |
|
Атомная и электронная структура поверхности GaAs(001): научное издание / С. Е. Кулькова [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт физики металлов УрО РАН, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Kinetic Technologies Ltd // Томск.
В рамках псевдопотенциального подхода изучена атомная и электронная структура четырех структурных реконструкций поверхности GaAs(001) - (4x2), оканчивающейся галлием. Рассчитаны полные, поверхностные и локальные плотности электронных состояний, зонные спектры, относительные поверхностные энергии рассматриваемых структур.
|
| 611 |
|
Электронная обработка материалов: науч. и произв.-техн. журн. — 1965-. — Кишинев: Штиинца, 1965-. — ISSN 0013-5739.
|
| 612 |
|
Электронная структура низкоиндексных поверхностей диоксида циркония: научное издание / С. Е. Кулькова; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // М.
|
| 613 |
|
Порфирины и металлопорфириновые комплексы нефтей: монография / Ю. М. Абызгильдин [и др.]; Институт геологии Башкирский филиал АН СССР. — М.: Наука, 1977. — 87, [1] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 80-86. — 0.65 р.
|
| 614 |
|
Трение и смазка = Friction and Lubrication: переводное издание / Ф. П. Боуден, Д. Тейбор ; пер. с англ. Ю. Н. Востропятова, под ред. И. В. Крагельского; Лаборатория химии и физики поверхностей Кембриджского университета. — М.: Государственное научно-техническое издательство машиностроительной литературы, 1960. — 150, [2] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 143-149. — 0.53 р.
|
| 615 |
|
Применение электронной спектроскопии в физико-химии многокомпонентных стохастических смесей и сложных молекулярных систем: брошюра / М. Ю. Доломатов; Башкирский научно-исследовательский институт по переработке нефти. — Уфа, 1989. — 47, [1] с.: табл. — Библиогр.: с. 42-47. — 0.00.
|
| 616 |
|
Сверхсопряжение = HYPERCONJUGATION: переводное издание / М. Дьюар ; пер. с англ. М. Е. Дяткиной. — М.: Мир, 1965. — 206, [1] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 200-204. — 0.65 р.
|
| 617 |
|
Электронная структура и спиновая поляризация на границе раздела NiMnSb/GaAs (110): научное издание / С. В. Еремеев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // М.
В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела (110) между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов. Обнаружено, что две их шести возможных атомных конфигураций границы раздела обладает высокой степенью спиновой поляризации, которая достигает 100% для одной из изученных интерфейсных структур.
|
| 618 |
|
XVII Российская конференция по электронной микроскопии: Тезисы докладов. — Черноголовка: Богородский печатник, 1998. — 326 с.: ил. — Авт. указ.: с. 319-325. — ISBN 5-89589-004-0: 25.00 р.
|
| 619 |
|
Электронная доставка документов: монография / В. А. Глухов, О. Л. Лаврик ; Рос. АН, Ин-т научной информации по общественным наукам. — М.: ИНИОН РАН, 1999. — 132 с.: ил. — ISBN 2-248-00243-5: 20.00 р.
|
| 620 |
|
Квантовая химия твердого тела: научное издание / В. А. Губанов, Э. З. Курмаев, А. Л. Ивановский ; отв. ред. С. В. Вонсовский, [рец.: В. Ф. Балакирев, Р. Н. Плетнев]; Акад. наук СССР, Ур. науч. центр, Ин-т химии. — М.: Наука, 1984. — 304 с. — Библиогр. в конце глав. — 2.50 р.
Монография посвящена вопросам исследования электронной структуры и физико-химических свойств твердых тел на основе кластерного подхода с использованием аппарата и расчетных методов квантовой химии. Рассмотрены результаты изучения электронного строения и химической связи в металлах, сплавах, тугоплавких соединениях, соединениях РЗЭ, актинидов, а также в соединениях со сложной кристаллической структурой и содержащих различного рода дефекты. Книга предназначена для специалистов в области физики и химии твердого тела, аспирантов и студентов старших курсов вузов.
|
| 621 |
|
Электронная микроскопия в металловедении цветных металлов: справочник / Л. А. Васильева, Л. М. Малашенко, Р. Л. Тофленец ; под ред. С. А. Астапчик, рец.: Э. И. Точицкий, П. А. Пархутик; Физико-технический институт АН БССР (Минск). — Минск: Наука и техника, 1989. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 205-207. — ISBN 5-343-00089-4: 0.45 р.
Описаны основные методики электронно-микроскопических исследований. Даны практические рекомендации по приготовлению фольг для трансмиссионной электронной микроскопии, интерпретации электродифракции. Приведены электронные микрофотографии структур подповерхностных слоев при трении. Приведены эталонные микроэлектронограммы ГЦК, ОЦК и гексагональных решеток с различными осями зон. Представлены таблицы данных о кристаллических решетках и межплоскостных расстояния различных интерметаллидов, встречающихся в сплавах цветных металлов. Справочник предназначен для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физического металловедения, может быть использован аспирантами и студентами вузов.
|
| 622 |
|
Электронная обработка безвольфрамовой металлокерамики. II. Структурные превращения в приповерхностном слое: научное издание / В. Е. Овчаренко; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
Теоретически и экспериментально изучен характер структурно-фазовых превращений в поверхностном слое инструментальной металлокерамики "карбид титана-никель-хромовая связка" при электронном облучении. Математически проанализировано термическое влияние электронного облучения на структуру приповерхностного слоя композиционного материала дисперсного строения, проведены количественные оценки глубины зоны структурно-фазовых превращений. Экспериментально исследованы микроструктура и концентрационный профиль распределения титана в металлическом связующем после импульсного электронного облучения.
|
| 623 |
|
Теоретическое исследование электронной структуры сплавов Гейслера состава XYZ: научное издание / С. С. Кульков, Г. Е. Руденский, С. Е. Кулькова; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // Новосибирск.
Полно-потенциальным линейным методом присоединенных плоских волн исследована электронная структура сплавов Гейслера состава XYZ. Анализируются изменения в магнитных свойствах при возрастании концентрации Ni или Co в сплавах Ni(2–x)MnGa и Co(2–x)ZrSn. Показано, что полученные значения равновесных параметров решетки и магнитных моментов удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными.
|
| 624 |
|
Электронная структура границы раздела (110) NiMnSb-полупроводник: научное издание / С. В. Еремеев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // М. ; СПб.
В рамках теории функционала электронной плотности рассчитаны электронная структура и магнитные свойства границы раздела (110) полуметаллического сплава Гейслера NiMnSb с полупроводниками в зависимости от конфигурации контактных атомов. Показано, что спиновая поляризация существенным образом зависит от атомной конфигурации атомов на контактах. Анализируется природа интерфейсных состояний на рассмотренных контактах. Получена практически 100%-ная спиновая поляризация для конфигурации с никелем и сурьмой, которые в сплаве занимают соответствующие позиции аниона и катиона в полупроводнике. Оценка энергии адгезии на границах раздела показала, что контакты с максимальной спиновой поляризацией имеют также наибольшую энергию адгезии и являются энергетически выгодными и стабильными. работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (грант № 08-02-92201 ГФЕН_а) и проекта ИФПМ СО РАН 5.2.1.19. Расчеты в проводились на вычислительном кластере СКИФ Cyberia в Томском гос. университете.
|
| 625 |
|
Электроника [Текст] = Electronics: науч.-техн. журнал. — 1961-. — М.: Мир, 1961-. — ISSN 0132-3784.
|
| 626 |
|
Спектроскопия в органической химии: сб. задач; учеб пособие / В. А. Миронов, С. А. Янковский. — М.: Химия, 1985. — 229, [3] с.: ил., табл. — (Для высшей школы). — 0.85 р.
|
| 627 |
|
Химия перициклических соединений: монография / О. Е. Шелепин;. — . — 239, [1] с.
|
| 628 |
|
Электронная теория активных центров микроструктурных превращений материалов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Безносюк; Карагандинский государственный университет им. А. Е. Букетова (Караганда). — Караганда, 1993. — 312 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 295-312.
|
| 629 |
|
Строение, свойства и применение металлидов: научное издание. — М.: Наука, 1974. — [219] с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.39 р.
В сборнике включены материалы, доложенные на пленарных и секционных заседаниях симпозиума, состоявшегося в июле 1972 г. (ИМЕТ АН СССР). В книге приведены теоретические расчеты электронной структуры; рассмотрены химические связи, принципы кристаллографической классификации металлидов, диаграммы состояния и химическое взаимодействие между металлидами, а также данные экспериментальных работ по кристаллической структуре, физико-химическим и термодинамическим свойствам металлидов различных классов (интерметаллидов, гидридов, карбидов, оксидов и др.). Даны рекомендации по использованию металлидов в народном хозяйстве. Издание рассчитано на исследователей и работников промышленности - химиков-неоргаников, металловедов, металлофизиков, конструкторов, машиностроителей и других специалистов, занятых изучением и практическим использованием металлидов.
|
| 630 |
|
Электронная теория активных центров микроструктурных превращений материалов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Безносюк ; оппоненты: Ю. П. Ирхин, Э. В. Козлов, В. П. Жуков; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Карагандинский государственный университет им. А. Е. Букетова (Караганда), Донецкий физико-технический институт УАН (Донецк). — Томск, 1993. — 41 с.: табл. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-41.
|
| 631 |
|
О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi4Te7: научное издание / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Donostia International Physics Center (Donostia) // М.
Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной структуры PbBi4Te7. Соединение PbBi4Te7 имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi2Te3) и семислойные (PbBi2Te4) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi2Te4. На поверхности PbBi4Te7 (0001) в окрестности точки Г формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя, формирующего поверхность ((Bi2Te3 или PbBi2Te4). Показано, что локализация данного состояния может иметь не только поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер.
|
| 632 |
|
Электронная оптика и электроннолучевые приборы: учеб. пособие для втузов / А. А. Жигарев. — М.: Высшая школа, 1972. — 539 с.: ил. — 1.33 р.
|
| 633 |
|
Светодиоды: переводное издание / А. Берг, П. Дин ; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. — М.: Мир, 1979. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 677-682. — 3.40 р.
|
| 634 |
|
Фоторезисторы: монография / М. Д. Аксененко, Е. А. Красовский. — М.: Советское радио, 1973. — 56 с.: ил. — (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). — Библиогр.: с. 54. — 0.18 р.
|
| 635 |
|
Электронно-лучевые и фотоэлектронные приборы: учеб. пособие для вузов по спец. "Электронные приборы" / А. А. Жигарев, Г. Г. Шамаева. — М.: Высшая школа, 1982. — 463 с.: ил. — Библиогр.: с. 457-458. — 1.30 р.
|
| 636 |
|
Электронные устройства для радиолюбителей: монография / Н. А. Дробница. — М.: Радио и связь, 1985. — 47 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — Библиогр.: с. 44. — 0.30 р.
|
| 637 |
|
Автоматизация конструирования электронной аппаратуры: (Топологический подход) / А. И. Петренко, А. Я. Тетельбаум, Б. Л. Шрамченко. — 2-е изд., стереотип. — Киев: Вища школа, 1981. — 175 с.: ил. — Библиогр.: с. 170-173. — 1.60 р.
|
| 638 |
|
Транзисторы полевые: монография / В. М. Петухов, В. И. Топтыгин, А. К. Хрулев ; отв. ред. В. П. Балашов. — М.: Советское радио, 1978. — 65 с.: ил. — (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). — Библиогр.: с. 63-64. — 0.20 р.
|
| 639 |
|
Эмиссионная сильноточная электроника: сборник / Ю. А. Баренгольц [и др.] ; ред. Г. А. Месяц; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 112 с.: ил. — Библиогр. в конце ст.
|
| 640 |
|
Молекулярная спектроскопия. Лабораторный практикум: учебное пособие / М. А. Булдаков [и др.] ; Под. ред. Г. В. Майера, В. Н. Черепанова; Томский государственный университет. — Томск: Томский государственный университет, 2010. — 416 с.: ил. — Библиогр.: с. 379-384. — ISBN 5-91302-084-7: Б. ц.
Рассмотрены физические основы электронной спектроскопии, абсорбционной колебательно-вращательной спектроскопии высокого разрешения и спектроскопии комбинационного рассеяния. Излагаются физические принципы устройства и работы современных спектральных приборов. Представлены как классические приборы, основанные на эффектах дифракции и интерференции, так и спектрометры высокого разрешения на основе методов лазерной спектроскопии. Описан комплекс лабораторных работ, основанных на электронных спектрах поглощения и спектрах комбинационного рассеяния молекул.
|
| 641 |
|
Структурная неустойчивость в металлах и сплавах: научное издание / В. С. Демиденко [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Томск.
Анализ особенностей электронной структуры, необходимых для формирования спектра структурных состояний в сплавах, указал на ряд закономерностей, присущих таким системам. Теоретически и экспериментально рассмотрены типы структурных состояний, которые могут реализоваться в условиях неустойчивости всей системы в целом или отдельной фазовой структурной составляющей.
|
| 642 |
|
Электронная структура дигидритов металлов группы IV: научное издание / С. Е. Кулькова, О. Н. Мурыжникова, К. А. Бекетов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — М. ; СПб.
|
| 643 |
|
Расчет PV-диаграммы B2-NiTi: научное издание / С. Е. Кулькова, О. Н. Мурыжникова, К. А. Бекетов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // C. Томск.
|
| 644 |
|
Электронная структура дигидрида циркония: научное издание / С. Е. Кулькова, О. Н. Мурыжникова, К. А. Бекетов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Томск.
В рамках линейного метода МТ-орбиталей в приближении атомной сферы с коррекцией на их перекрывание проведен самосогласованный расчет электронной структуры кубической фазы дигидрида циркония. Рассчитана электронная структура нестехиометрического ZrH1.75. Исследовано влияние вакансии по водороду на электронные характеристики. В приближении малой позитронной плотности рассчитаны спектр позитронов, время жизни позитрона и клады в процесс электронно-позитронной аннигиляции различных электронных состояний. Получено удовлетворительное согласие с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными.
|
| 645 |
|
Теория электронной эмиссии из металлов: монография / А. М. Бродский, Ю. Я. Гуревич. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1973. — 254, [2] с.: ил. — (Современные проблемы физики). — Библиогр.: с. 247-255. — 1.22 р.
|
| 646 |
|
Работают электронные и ионные лучи: научно-популярная литература / С. М. Левитский, Д. Ю. Сигаловский. — Киев: Вища школа, 1987. — 199, [1] с.: ил. — 0.45 р.
|
| 647 |
|
Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов: Справочник / В. С. Фоменко, И. А. Подчерняева; Отв. ред. Г. В. Самсонов. — М.: Атомиздат, 1975. — 319, [1] с. — Библиогр.: с. 287-317. — 1.65 р.
|
| 648 |
|
Волоконно-оптические измерительные преобразователи скорости и давления: монография / В. Г. Жилин. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 113 с.: ил. — Библиогр.: с. 109-112. — 0.40 р.
|
| 649 |
|
Электронные пучки и ускорители: комплексн. информ. база МЦНТИ : пробл.-ориентир. подборка / Международн. центр науч. и техн. информации, Институт высоких температур АН СССР. — М.: МЦНТИ, 1983. — 216 с.: ил. — Указ. организаций: с. 202-208. — Указ. журналов: с. 209-216.
|
| 650 |
|
Влияние температуры деформации на фазовый состав и структуру интерметаллида Ni3Al, легированного бором и гафнием: научное издание / Н. А. Конева [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // .
Методами просвечивающей дифракционной электронной и растровой микроскопии и методом рентгеноструктурного анализа проведено исследование структуры деформированного при различных температурах (Т) сплава Ni3Al, легированного B и Hf. Сплав был приготовлен методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС). Исследования выполнены для степени деформации, соответствующей пределу текучести сплава (s0.2). Выбор температуры деформации определялся видом аномальной зависимости s0,2 = f (Т) исследуемого сплава, а именно: 20 и 5900С (до пика предела текучести), 7600С (вблизи пика предела текучести) и 1000°C (за пиком предела текучести). Изучена зеренная структура. Измерены параметр кристаллической решетки и степень дальнего атомного порядка. Определен фазовый состав сплава. Выявлено влияние легирования бором и гафнием на морфологию структуры сплава. Изучена дефектная структура, измерены плотность дислокаций и внутренние напряжения.
|
| 651 |
|
Теория и проектирование электронной аппаратуры физического эксперимента: сб. ст. / Московский инженерно-физический институт; под ред. Т. М. Агаханяна. — М.: Энергоиздат, 1982. — 119 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10 р.
|
| 652 |
|
Элементарные частицы: сб. науч. тр. / Московский инженерно-физический институт; под ред. Б. А. Долгошеина, Ю. А. Голубкова. — М.: Энергоатомиздат, 1983. — 128 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40 р.
|
| 653 |
|
Электронная теория неупорядоченных полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. и физико-техн. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич [и др.]. — М.: Наука, 1981. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 381-383. — 1.00 р.
|
| 654 |
|
Автоматизированная система исследования структуры атомов: монография / М. Я. Амусья, Л. В. Чернышева ; отв. ред. В. В. Александров; АН СССР, Ленингр. науч.-исслед. выч. центр. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1983. — 180 с.: ил. — Библиогр.: с. 174-175. — 1.80 р.
|
| 655 |
|
Оптика: учеб. пособие для физ. спец. вузов / Е. И. Бутиков ; под ред. Н. И. Калитеевского. — М.: Высшая школа, 1986. — 511 с.: ил. — Предм. указ.: с. 508-512. — 1.70 р.
|
| 656 |
|
Валентность: научное издание / Ч. Коулсон ; пер. с англ. В. К. Быховского, Л. Н. Лабзовского, под ред. Н. Д. Соколова. — М.: Мир, 1965. — [426] с.: рис. — Библиогр.: с. 410-422.
Книга посвящена теории химической связи, написана одним из крупнейших специалистов по квантовой химии отличается четким и ясным изложением материала. Она не перегружена математическим аппаратом, но вместе с тем изложение ведется на высоком научном уровне и без упрощения электронной теории строения молекул. Излагаются основы квантовой механики и теории электронной оболочки атома. Рассматривается электронное строение двухатомных и многоатомных молекул. Специальные главы посвящены сопряженным системам, комплексным соединениям, связям в металлических и неметаллических твердых телах, водородной связи и некоторым другим видам химических связей. Книга представляет большой интерес для физико-химиков, органиков, физиков.
|
| 657 |
|
Влагозащита печатных узлов: монография / В. Г. Уразаев. — М.: Техносфера, 2006. — 344 с.: ил. — Библиогр.: с. 339-342. — 188.00 р.
|
| 658 |
|
Голографическая и спекл-интерферометрия: Пер. с англ. / Р. Джоунс, К. Уайкс. — М.: Мир, 1986. — 328 с.: ил. — Библиогр.: с. 315-320. — 3.20 р.
|
| 659 |
|
Эффективные технологии работы в сети Интернет: Учебное пособие / Н. А. Калиногорский, Г. В. Галевский. — М.: Флинта, 2004. — 160 с.: ил. — Библиогр.: с. 155. — ISBN 5-89349-463-6: 88.00 р.
|
| 660 |
|
Электронная оптика электростатических полей не обладающих осевой симметрией: монография / А. М. Страшкевич. — М.: Физматлит, 1959. — 252 с.: ил. — Библиогр.: с. 247-252. — 0.84 р.
|
| 661 |
|
Методы расчета электронной структуры и спектров молекул: монография / Г. Г. Дядюша [и др.]. — Киев: Наукова Думка, 1969. — 308 с.: ил. — Предм. указ.: с. 304-306. — 1.86 р.
|
| 662 |
|
Быстро и легко осваиваем работу в сети Интернет: Практическое пособие / ред. Ф. А. Резников. — М.: Лучшие книги, 2000. — 352 с.: ил. — ISBN 5-9367-3002-6: 127.00 р.
|
| 663 |
|
Электронная оптика: монография / В. М. Кельман. — 2-е изд., доп. — М.: Наука, 1968. — 176 с.: ил. — (АН СССР. Научно-популярная серия). — 0.52 р.
Оптические инструменты - такие, как микроскоп, бинокль, фотоаппарат и др., находят широкое применение в науке, технике и в быту. Однако им присущ ряд недостатков (относительно малое предельное разрешение у микроскопа, невозможность наблюдения в темноте при помощи бинокля и т. п.), которые нельзя устранить, оставаясь в рамках световой оптики - наука о движении электронов в электрических и магнитных полях, предназначенных для получения электронных изображений. Вопросам электронной оптики, а также некоторым её применениям (электронный микроскоп, электроннооптический преобразователь, осциллограф) и посвящена настоящая книга.
|
| 664 |
|
Электронная оптика: монография / В. М. Кельман, С. Я. Явор ; отв. ред. Л. А. Арцимович; Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе АН СССР. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.; Л.: Издательство АН СССР, 1963. — 362 с.: ил. — Библиогр.: с. 354-360. — 2.54 р.
Книга представляет собой подробный курс электронной оптики. Много внимания уделено общим методам расчета движения заряженных частиц в полях с симметрией вращения, приводится также теория фокусировки в электромагнитных полях с произвольным пространственным распределением. Отдельные главы книги посвящены принципиальным вопросам бета- и масс-спектрометрии и электронной микроскопии.
|
| 665 |
|
Алгоритм и программа расчета ОЭС с матричным фотоприемником в ИК-диапазоне / А. А. Тихомиров // Томск.
Представлен алгоритм энергетического расчета пороговой освещенности входного зрачка оптико-электронной системы(ОЭС) в диапазоне 0.9+ 5.3мкм. Получены зависимость времени накопления... на матричном фотоприемнике от скорости счета сигнальных фотонов n , а также зависимость n от отношения сигнал/шум. Произведен расчет освещенности входного зрачка объектива сферической формы подсвеченного Солнцем. Разработана программа для энергетического расчета ОЭС в различных участках ИК-диапазона и представлен ее интерфейс.
|
| 666 |
|
Физика верхней атмосферы / Институт экспериментальной метеорологии; под ред. Л. А. Катасева. — М.: Моск. отд. Гидрометеоиздата, 1982. — 108 с. — (Труды института экспериментальной метеорологии). — 0.50 р.
|
| 667 |
|
Герметизация электронной аппаратуры: учеб. пособие для учащихся проф.-техн. учеб. завед. электронной техники, приборостроения и электротехнического производства / Ф. Д. Троян, В. М. Хасин, А. И. Пугач. — Минск: Технопринт, 2001. — 109 с.: ил. — Библиогр. в конце разд. — ISBN 985-464-013-2.
Учебное пособие содержит методы и устройства герметизации электронной аппаратуры, свойства и характеристики герметизирующих материалов и их композиций, а также условия эксплуатации аппаратуры при использовании герметизирующих материалов.Учебное пособие рекомендовано учащимся, студентам и инженерно-техническим работникам, занимающимся разработкой радиоэлектронной аппаратуры.
|
| 668 |
|
Электронные приборы: учебное пособие для техникумов / М. С. Кауфман, К. И. Палатов ; под ред. Р. А. Нилендера. — 3-е изд., перераб. — М.: Энергия, 1970. — 480 с.: ил. — Предм. указ.: с. 472-476.
В книге изложены теория работы, конструкции и основы расчета электровакуумных приборов, а также связь параметров и конструкций приборов с важнейшими схемами и условиями их применения. Изложение материала в книге предполагает наличие у читателей математической, физической и общетехнической подготовки в объеме соответствующих программ электровакуумных техникумов.Книга предназначена в качестве учебного пособия по курсу "Электровакуумные приборы и основы их проектирования" для учащихся техникумов электронных приборов. Она может быть полезной в качестве пособия для работников, соприкасающихся с вопросами устройства, работы, расчета и применения электронных приборов, а также для студентов соответствующих специальностей высших учебных заведений.
|
| 669 |
|
Искусство криогеники: низкотемпературная техника в физическом эксперименте, промышленных и аэрокосмических приложениях / Г. Вентура, Л. Ризегари; пер. с англ. под ред. Л. П. Межова-Деглина. — М.; Долгопрудный: Интеллект, 2011. — 332 с.: ил.; 24 см. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-91559-040-2: 1210.00 р.
Физика и техника низких температур — неотъемлемая составляющая фундаментальной науки (от физики твердого тела до ускорителей элементарных частиц), ракетной техники, новейших индустриальных и даже медицинских технологий. Книга о новейших достижениях в этих областях с позиций экспериментальной техники создана известными итальянскими специалистами. Руководство содержит как базовые сведения о свойствах материалов при низких температурах, традиционных приборах и методах измерений, так и о последних разработках, использовании новых конструкционных материалов и практике работы с криостатами растворения, продвижении в область милли- и микрокельвинов. Отдельные главы посвящены сверхпроводящим магнитам и экранам, измерению тепловых и механических характеристик, криогенным детекторам излучения. Для студентов и преподавателей физических факультетов и технических университетов, научных работников и инженеров-разработчиков.
|
| 670 |
|
Приборы и техника эксперимента [Текст] = Instruments and Experimental Techniques / Рос. акад. наук, Отд-ние физ. наук РАН. — 1956-. — М.: Наука, 1956-. — ISSN 0032-8162.
|
| 671 |
|
Нано- и микросистемная техника: От исследований к разработкам / под ред. П. П. Мальцева. — М.: Техносфера, 2005. — 592 с. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 5-94836-063-6: 395.54 р.
Ежемесячному междисциплинарному теоретическому и прикладному научно-техническому журналу "Нано- и микросистемная техника" исполнилось пять лет. Наиболее цитируемые статьи, опубликованные в журнале с ноября 1999 г. по март 2005 г., сгруппированы в соответствии с названием рубрик и позволяют проследить развитие от микро- к наносистемной технике в России. В книге рассмотрены общие вопросы, технологии формирования наноструктур, методы исследования наноструктур, метрологическое обеспечение, основы технологии, моделирование и конструирование компонентов нано- и микросистемной техники, перспективы их применения. Монография представляет интерес для ученых, инженеров и преподавателей высшей школы, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микро- и наноэлектроники, микро- и нанотехнологии, микро- и наноситемной техники.
|
| 672 |
|
Автоматика и вычислительная техника в нефтяной и газовой промышленности: сборник науч. трудов / Московский ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени институт нефти и газа им. И. М. Губкина (М.); под ред. Е. Н. Браго, рец.: В. Т. Дробах, М. Ф. Подковкин. — М.: МИНГ, 1986. — 137, [1] с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.05 р.
Изложены вопросы разработки новейших микропроцессорных систем, новых методов получения и обработки информации, оптимизации и построения автоматизированных систем управления. Сборник рассчитан на широкий круг научных, инженерных работников, специализирующихся в области создания систем и средств автоматики, информационно-измерительной техники для использования в нефтяной и газовой промышленности.
|
| 673 |
|
Исследование и разработка тригатронных разрядников управляемых вынесенной в зазор поджигающей искрой: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / М. Т. Пичугина ; науч. рук. И. И. Каляцкий, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Н. С. Руденко; Томский политехнический институт им. С.М. Кирова (Томск), Харьковский политехнический институт. — Томск, 1978. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 674 |
|
Исследование и разработка коммутирующих конденсаторов для статистических тиристорных преобразователей: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / П. О. Хачатрян ; науч. рук. Ю. С. Чатинян, офиц. оппоненты: Г. С. Кучинский, М. М. Морозов; Всесоюзный научно-исследовательский институт комплексного электрооборудования (Ереван), НИИ ГИРИКОНД ЛНПО "Позитрон", Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина. — Ереван, 1978. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21.
|
| 675 |
|
Химия элементов / Н. Гринвуд, А. Эрншо.
Т. 1 : = Chemistry of the elements. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. — 607 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94774-373-9. — ISBN 978-5-94774-372-2: 520.00 р.
В фундаментальном учебном издании английских авторов химия элементов представлена как развивающаяся дисциплина, объединяющая разные области (неорганическую, аналитическую, теоретическую, металлоорганическую, бионеорганическую химию и химическую технологию). Огромный фактический материал изложен в рамках современных теоретических концепций. Вводные главы посвящены вопросам происхождения и распространенности элементов, а также периодичности изменения химических свойств в зависимости от положения в Периодической системе. В каждой из последующих глав систематически изложена химия отдельного элемента или группы родственных элементов. Книга хорошо иллюстрирована, содержит обширный справочный материал и подробную библиографию. В русском издании книга выходит в двух томах. Том 1 включает главы 1-14. Для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей химических факультетов и вузов, а также для научных сотрудников и широкого круга специалистов.
|
| 676 |
|
Разработка электроимпульсной технологии очистки трубок опреснителей от накипи: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / В. Т. Казуб ; науч. рук. А. Т. Чепиков, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Н. И. Волкова; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Горный институт (М.). — Томск, 1983. — 19 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 677 |
|
Умножение и преобразование мощных высоковольтных импульсов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.14.12 / В. В. Кремнев ; офиц. оппоненты: Г. А. Шнеерсон, Э. М. Базелян, Ю. П. Усов ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (Л.), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — Л., 1984. — 27 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 24-27.
|
| 678 |
|
Электроизоляционный материал на основе полиимидов алициклического строения для электрической изоляции обмоточных эмалированных проводов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / К. Х. Бекмагамбетова ; науч. рук. С. Е. Соколов, офиц. оппоненты: С. Д. Холодный, В. С. Дмитревский; Алма-Атинский энергетический институт (Алма-Ата), Всесоюзный научно-исследовательский институт кабельной промышленности. — Алма-Ата, 1986. — 22 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 679 |
|
Взрывная коммутация и электромагнитное ускорение масс: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / А. А. Сивков ; науч. конс.: В. Л. Корольков, В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: А. В. Лучинский, Ю. П. Хоменко, Э. Я. Школьников; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт проблем электрофизики РАН (СПб.), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2002. — 38 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 680 |
|
Взрывная коммутация и электромагнитное ускорение масс: дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / А. А. Сивков; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск). — Томск, 2002. — 282 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 267-282.
|
| 681 |
|
Компактный генератор тормозного гамма-излучения с выходной мощностью 10¹¹ Р/с: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / А. Л. Филатов ; науч. рук. Ю. А. Котов, офиц. оппоненты: И. И. Каляцкий, Н. А. Ратахин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО АН СССР (Свердловск). — Томск, 1988. — 18 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 682 |
|
Формирующие устройства сильноточных ускорителей электронов и генераторы импульсных магнитных полей для релятивистской высокочастотной электроники: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Б. З. Мовшевич ; науч. рук. Г. А. Месяц, офиц. оппоненты: В. В. Кремнев, А. Г. Жерлицын; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт прикладной физики АН СССР (Горький), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Томск, 1988. — 21 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 18-21.
|
| 683 |
|
Разработка лаковых композиций для электроизоляционных, допускающих пайку, покрытий печатных плат : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / Ю. Д. Клейман ; науч. рук. Я. З. Месенжник, науч. конс. В. Р. Мустафин, офиц. оппоненты: С. Д. Холодный, А. Н. Дудкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Ташкентский политехнический институт им. Абу Райхана Беруни (Ташкент), Всесоюзный научно-исследовательский институт электромеханики (М.). — Томск, 1989. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 684 |
|
Модификация твердосплавного волочильного инструмента с целью повышения его работоспособности и улучшения качества эмалированных проводов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / И. В. Кокарева ; науч. рук. Ю. П. Похолков, офиц. оппоненты: С. Н. Койков, Ю. И. Линин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Московский кабельный завод (М.). — Томск, 1989. — 16 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 685 |
|
Электро-теплофизические характеристики полимерной изоляции кабелей и проводов для нефтегазовой промышленности: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / Л. Я. Прут ; науч. рук.: Б. М. Тареев, Я. З. Месенжник, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, В. Г. Сотников; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Всесоюзный научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт кабельной промышленности, Подольский кабельный завод им. К. Готвальда (Подольск). — Томск, 1990. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.
|
| 686 |
|
Создание мощных импульсных генераторов и защитных устройств с разрядниками атмосферного давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / А. А. Новиков ; науч. рук. В. В. Кремнев, офиц. оппоненты: И. И. Каляцкий, В. Н. Сафронов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Московский радиотехнический институт АН СССР (М.). — Томск, 1990. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 16-19.
|
| 687 |
|
Повышение кабелей дальней связи по показателю их грозостойкости: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / С. И. Качкуркин ; науч. рук. А. А. Гольдштейн, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, С. А. Соколов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Иркутский политехнический институт (Иркутск), Московский кабельный завод "Москабель" (М.). — Томск, 1990. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 688 |
|
Исследование ионных и электронных потоков в системах с микросекундными плазменными прерывателями: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / И. В. Лисицын ; науч. рук. В. М. Быстрицкий, офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, А. И. Рябчиков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО АН СССР (Свердловск), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР (М.). — Томск, 1991. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 689 |
|
Разработка методов и аппаратуры для исследования процессов формирования и ускорения пучка в линейных индукционных ускорителях: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / М. И. Демский ; науч. рук. Ю. П. Вахрушин, офиц. оппоненты: В. С. Кузнецов, В. И. Першин; Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (Л.), Московский радиотехнический институт АН СССР (М.). — Л., 1989. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-21.
|
| 690 |
|
Влияние ионизирующего излучения на электрическое старение полиэтилена и полиметилметакрилата: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / П. Н. Бычков ; науч. рук. : В. Я. Ушаков, С. Г. Боев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, В. И. Меркулов; Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт высоких напряжений, Сибирский научно-исследовательский институт энергетики. — Томск, 1995. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 691 |
|
Быстродействующая импульсная электроника: монография / Е. А. Мелешко. — М.: Физматлит, 2007. — 317 с.: ил.; 22 см. — (Радиотехника и электроника). — Библиогр.: с. 308-317. — ISBN 978-5-9221-0850-8: 339.00 р.
В книге изложены принципы построения импульсных устройств нано- и пикосекундного быстродействия и различные аспекты их применения. Рассмотрены методы генерирования и обострения фронтов коротких электрических и световых импульсов, а также способы измерения их параметров. Приводятся сведения о быстродействующих детекторах излучений и о способах съема сигналов с подобных устройств. Рассматриваются схемы устройств для предварительной обработки нано- и пикосекундных сигналов (усилителей, дискриминаторов, устройств временной привязки, совпадений и антисовпадений). Особое внимание уделено быстродействующим преобразователям напряжений и измерителям коротких временных интервалов. Рассматриваются современные методы регистрации формы быстрых сигналов, в том числе с помощью цифровых запоминающих осциллографов с частотами дискретизации до десятков гигагерц. Для широкого круга инженерно-технических и научных работников, занимающихся импульсными измерениями в физических экспериментах и в области информационных технологий, а также для студентов соответствующих специальностей.
|
| 692 |
|
Особенности и термическая стабильность микроструктуры и прочностных свойств покрытий системы Ti-Al-Si-O-C-N: научное издание / А. Д. Коротаев [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Государственная организация "Технотрон" (Томск), Томский государственный университет (Томск) // Томск.
Методами оже-спектроскопии электронов, электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, измерения микротвердости исследованы особенности взаимосвязи состава, тонкой структуры с изменением прочностных свойств наноструктурных и нанокомпозитных покрытий Ti-Al-Si-N с высоким содержанием кислорода и углерода. Показано, что в данных покрытиях может быть сформирована фаза на основе TiN с нанокристаллической или двухуровневой зеренной структурой, распределенная в рентгеноаморфной фазе, объемна доля которой составляет 20-5-%. Характер зеренной структуры можно целенаправленно изменять легированием покрытий алюминием и кремнием. Установлено, что независимо от структурного состояния и состава покрытий в них наблюдается высокая термическая стабильность сверхтвердости и микроструктуры. Снижение твердости наблюдается в результате дислокационного возврата, релаксации напряжений и развития начальных стадий рекристаллизации. Высказано предположение, что высокие прочностные свойства покрытий обусловлены наличием дислокационной субструктуры и высоким сопротивлением сдвигу рентгеноаморфных фаз по границам нанокристаллитов.
|
| 693 |
|
Физико-техническое обоснование ускорительного комплекса космического базирования с модуляцией энергии пучка: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / Н. А. Лень ; науч. рук. А. В. Нестерович, офиц. оппоненты: В. В. Петренко, Е. В. Громов; Московский государственный инженерно-физический институт (Технический университет) (М.), Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — М., 1999. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 20.
|
| 694 |
|
Техника физического эксперимента: монография / Э. Ангерер ; пер. с 12-го нем. изд. под ред. К. П. Яковлева. — М.: Физматгиз, 1962. — 452 с.: ил. — Предм. указ.: с. 446-452.
Книга является коллективным трудом, посвященным подробному изложению вопросов техники физического эксперимента. В ней излагаются руководства к техническим приемам работы, к выбору различных материалов, используемых в современных физических лабораториях. Широко описаны многие методы эксперимента, вопросы эксплуатации лабораторных установок, конструкции и применения наиболее распространенных видов физических приборов. Перевод осуществлен с 52-го немецкого издания книги, вышедшего в 1959 г. Книга рассчитана на студентов, аспирантов, научных и инженерно-технических работников различных специальностей. Много полезного найдут в ней лица, занимающиеся конструированием и эксплуатацией разнообразной физической аппаратуры в научных и заводских лабораториях.
|
| 695 |
|
Измерительные приборы и массовые электронные измерения: монография / А. А. Афонский, В. П. Дьяконов ; под ред. В. П. Дьяконова. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2007. — 544 с.: ил. — ISBN 5-98003-290-8: 183.00 р.
Описаны самые современные измерительные приборы: измерители R, С и L, мультиметры, измерительные ВЧ- и НЧ-генераторы, импульсные и функциональные генераторы, аналоговые и цифровые стационарные и портативные осциллографы, в том числе уникальные. Особое внимание уделено массовым дешевым (бюджетным) приборам и технике измерений, в том числе с применением виртуальных и компьютеризированных лабораторий, и их применению в практике электронных измерений. Ряд материалов посвящен работе с современными цифровыми осциллографами и функциональными генераторами. Рассмотрена современная элементная база и схемотехника измерительных устройств. В книге около шестисот иллюстраций и осциллограмм. Для работников служб ремонта и сервиса сложной электронной техники, научных работников и инженеров, студентов, аспирантов, преподавателей и лаборантов вузов и университетов, а также для подготовленных радиолюбителей.
|
| 696 |
|
Большой англо-русский политехнический словарь = English-russian dictionary of science & technology: 100 000 слов и выражений / [под ред. М. В. Якимова]. — СПб.: Литера, 2002. — 765 с.: ил. — ISBN 5-94455-076-7: 227.50 р.
|
| 697 |
|
Англо-русский толковый словарь по вычислительной технике, Интернету и программированию: более 8 400 терминов / Э. М. Пройдаков, Л. А. Теплицкий. — 2-е изд., испр. и доп. — М.: Русская редакция, 2000. — 438 с. — ISBN 5-7502-0146-5: 62.10 р.
|
| 698 |
|
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / под ред. К. А. Джексона, В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж; : Водолей , Б.г.
Т. 1 : Электронная структура и свойства полупроводников. — , 2004. — 982 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 931-967. — ISBN 5-88563-041-0: 100.00 р.
|
| 699 |
|
Лазерные доплеровские измерительные технологии: монография / Ю. Н. Дубнищев; Новосибирский государственный технический университет. — Новосибирск: НГТУ, 2002. — 414 с.: ил. — ISBN 5-7782-0318-7: 160.00 р.
|
| 700 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие для вузов по направлению "Техн. физика" / Ю. С. Протасов, С. Н. Чувашев. — М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2003. — 480 с.: ил. — (Электроника). — Библиогр.: с. 465-466. — Предм. указ.: с. 467-472. — ISBN 5-7038-1538-X: 246.00 р.
|