| 2281 |
|
Диагностика состояния полимерных диэлектриков в электрическом поле методом диэлектрической спектроскопии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / С. Н. Ткаченко ; науч. рук. С. М. Лебедев, офиц. оппоненты: А. Г. Овсянников, Ю. М. Анненков; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), НГТУ. — Томск, 2009. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 2282 |
|
Исследование и разработка электронно-оптических систем высоковольтных ключевых приборов с торможением электронного потока на аноде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / П. М. Стальков ; науч. рук. В. И. Переводчиков, офиц. оппоненты: М. Д. Воробьев, А. А. Лучин; Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.), ФГУП НПП "Торий". — М., 2009. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.
|
| 2283 |
|
Исследование импульсных электрофизических процессов с применением интерполяционных уравнений состояния вещества: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / С. Н. Колгатин ; офиц. оппоненты: В. А. Бурцев, В. Л. Горячев, С. В. Дресвин; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Объединенный институт высоких температур РАН (М.). — СПб., 1997. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-32.
|
| 2284 |
|
Исследование электроимпульсного разрушения глубокоохлажденных резин и резинотехнических изделий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / М. А. Соловьев ; науч. рук. В. И. Курец, офиц.оппоненты: И. И. Каляцкий, Ю. Г. Юшков; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический кабельный институт. — Томск, 1997. — 25 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25.
|
| 2285 |
|
Разработка методов расчета и анализ параметров энергетически оптимальных систем электромагнитных катушек для электрофизических установок: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / В. В. Филатов ; науч. рук. Г. В. Трохачев, офиц. оппоненты: В. В. Титков, Е. А. Ламзин; Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.), Всесоюзный научно-исследовательский институт кабельной промышленности (М.). — СПб., 1997. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-28.
|
| 2286 |
|
Теория строения молекул: (электронные оболочки) / В. И. Минкин, Б. Я. Симкин, Р. М. Миняев. — М.: Высшая школа, 1979. — 406, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 398-402. — 1.20 р.
|
| 2287 |
|
Progress in Nonlinear Science: abstracts. — Nizhny Novgorod: University of Nizhny Novgorod, 2001. — 351 с.: ил. — Авт. указ.: с. 345-351.
|
| 2288 |
|
Электромагнитные и тепловые процессы в силовом преобразователе электропривода переменного тока с синусоидальной широтно-импульсной модуляцией: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / Д. О. Карпенко ; науч. рук. Ю. А. Сабинин, офиц. оппоненты: В. И. Хрисанов, Б. Ф. Дмитриев; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (СПб.), Центральный научно-исследовательский институт судовой электротехники и технологии. — СПб., 1998. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 2289 |
|
Объектно-ориентированная система статистического моделирования переноса высокоэнергетических частиц для задач модернизации теватрона и его детекторов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / О. Э. Кривошеев ; науч. рук.: А. М. Кольчужкин, Н. В. Мохов, офиц. оппоненты: М. М. Никитин, В. В. Рыжов; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Алтайский государственный университет (Барнаул). — Томск, 1998. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 2290 |
|
Физические основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов по спец. "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" направления "Проектирование и технология электрон. средств" / В. И. Марголин, В. А. Жабрев, В. А. Тупик. — М.: Академия, 2008. — 398, [1] с.: ил.; 22 см. — (Высшее профессиональное образование). — Библиогр.: с. 395. — ISBN 978-5-7695-4227-5: 543.00 р.
Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники : получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных заведений.
|