Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2001. — 186 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 170-183.

Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. В. Гаврилов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 2000. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2000. — 148 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 137-148.

Системы на основе несамостоятельных газовых разрядов низкого давления для генерации потоков ионов плазмы: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2011. — 30 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-30.

Кинетические эффекты в поперечном наносекундном разряде с щелевым катодом в инертных газах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. С. Кобзева ; науч. рук.: Н. А. Ашурбеков, К. О. Иминов, офиц. оппоненты: Ф. И. Высикайло, М. М. Гаджиалиев; Дагестанский государственный университет (Махачкала), Объединенный институт высоких температур РАН. — Махачкала, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.

Характеристики плазмы и эмиссионной системы источника электронов на основе отражательного разряда с полым катодом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / И. В. Осипов ; науч. рук.: В. А. Груздев, Н. Г. Ремпе, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. Н. Коваль; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — Томск, 1993. — 17 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 15-17.

Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс ; офиц. оппоненты: Ю. И. Бельченко, Ю. П. Усов, Г. М. Кассиров; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Объединенный институт ядерных исследований. — Томск, 1994. — 34 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 26-30.

Управление параметрами электронного эмиттера с плазмой, ограниченной пристеночным ионным слоем: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Н. Г. Ремпе; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1985. — 153 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 135-146.

Системы на основе несамостоятельных газовых разрядов низкого давления для генерации потоков ионов плазмы: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2011. — 314 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 292-313.