Изоляционные свойства технического вакуума при мегавольтном уровне напряжения: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / Г. М. Кассиров ; офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, И. Н. Сливков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1992. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Феноменологические основы импульсного электрического нагрева металлов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. М. Искольдский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Новосибирск; Томск, 1985. — 218 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 211-218.

Генерирование импульсных пучков большого сечения в электронных источниках с сетчатым плазменным эмиттером: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Н. Н. Коваль ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1984. — 178 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 164-178.

Источники низкотемпературной плазмы и электронных пучков на основе дуговых разрядов низкого давления с полым анодом: дис. ... д-ра техн. наук в виде научного доклада: 05.27.02 / Н. Н. Коваль ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Р. А. Салимов, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2000. — 74 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 68-74.