Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 1246 - 1250 из 3546 для dc.subject any/relevant "электроника рад ... ( 0.297 сек.)

1246
Яфасов, Абдурашид Яруллаевич.
Прецизионные детектирующие системы на основе неоднородных полупроводников (Si, GaAs, CdTe): автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.11.10 / А. Я. Яфасов ; офиц. оппоненты: Н. И. Комяк, В. М. Залетин, В. В. Авдейчиков; Радиевый институт им. В. Г. Хлопина (Л.), Центральное проектно-конструкторское и технологическое бюро приборостроения АН Узбекской ССР, Всесоюзный научно-исследовательский институт радиационной техники. — Л., 1990. — 32 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 28-32.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
1247
Чевокин, Виктор Константинович.
Развитие методов и аппаратуры электронно-оптической фотографии для диагностики рентгеновского излучения и ионного состава лазерной плазмы: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. К. Чевокин ; офиц. оппоненты: Н. Г. Ковальский, И. А. Щербаков, А. С. Шиканов; Институт общей физики СССР, Институт высоких температур АН СССР. — М., 1990. — 43 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
1248
Федоров, Сергей Васильевич.
Теоретическое исследование теплового самовоздействия в электроионизационных CO2-лазерах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. В. Федоров ; науч. рук.: Н. Н. Розанов, М. С. Юрьев, офиц. оппоненты: В. П. Кандидов, Т. А. Вартанян; Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (Л.), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Л., 1990. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
1249
Неорганическое материаловедение : энциклопедическое издание / под ред.: Г. Г. Гнесина, В. В. Скорохода. — Киев; : Наукова Думка. — 978-966-00-0631-7.
Т.1 : Основы науки о материалах. — , 2008. — 1152 с.: ил. табл. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-966-00-0664-5: 6664 р.
Первый том посвящен научным основам неорганического материаловедения, что соответствует общей концепции издания, совмещающего информацию о фундаментальных принципах формирования и исследования материалов со сведениями об их свойствах, технологиях и областях применения. Впервые создан энциклопедический свод современных научных представлений о физико-химической природе твердых тел, поведении неорганических материалов под действием внешних физических полей и химических факторов, рассмотрены методы анализа, исследований и диагностики неорганических материалов. Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов, специализирующихся в фундаментальных и прикладных областях современного материаловедения: металлургия расплавов, порошковая металлургия, полупроводники и материалы электронной техники, специальная керамика, оптические материалы, материалы электронной техники, специальная керамика, оптические материалы, материалы ядерной техники, газофазные, плазменные, лазерные и электронно-лучевые технологии, техника высоких давлений, сварка, пайка и пр.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
1250
Титце, Ульрих.
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : ДМК Пресс , Б.г.
Т. 1 :. — , 2008. — 832 с.: ил., граф. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94120-200-3: 723.10 р.
Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи