Книга посвящена полупроводниковым лазерам - эффективным и компактным источникам когерентного излучения, имеющим перспективы широкого практического применения. Основное место в книге уделяется инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами. Во Введении дается краткий обзор характеристик и сводка полупроводниковых материалов, используемых в лазерах. Первая часть книги содержит анализ механизма излучательной рекомбинации в кристаллах полупроводниковых соединений, некоторых вопросов динамики и основных характеристик полупроводниковых лазеров инжекционного типа. Рассмотрены физические процессы, сопровождающие работу лазера, а также проблемы, возникающие при их практическом применении. Во второй части книги рассматриваются теоретические вопросы и практические применения лазеров с электронными возбуждением; описаны процессы взаимодействия быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействия когерентного излучения с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, тепловые режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением.

Рассмотрены основные разделы теории и техники антенно-фидерных устройств, изложены основы теории линий передачи и представлены различные устройства СВЧ с использованием матричного описания их внешних характеристик. Освещены вопросы построения и расчета различных типов антенн и антенных решеток, особое внимание уделено антеннам СВЧ и основам проектирования антенных систем с пространственно-временной обработкой сигнала. Для студентов радиотехнических специальностей высших учебных заведений.

Изложены методы цифрового диаграммообразования с использованием антенных решеток. Анализируются погрешности, обусловленные наличием дестабилизирующих факторов. Приведены теоретические результаты и экспериментальные данные. Для специалистов-разработчиков радиолокационной аппаратуры, а также для аспирантов и студентов радиотехнических специальностей.

Книга является второй частью изданного ранее «Введения в криогенную микроэлектронику». В ней используются экспериментально-теоретические основы, изложенные во «Введении», работа посвящена описанию конкретных применений комплексированных изделий криогенной микроэлектроники в системах радиоэлектронного вооружения различного базирования. Для научных работников, занимающихся дальней космической связью, сверхмалошумящими приемно-усилительными системами СВЧ-диапазона, наземной и внеатмосферной астрономией и дистанционным зондированием Земли в видимой и инфракрасной областях спектра, а также - для аспирантов и студентов старших курсов технических университетов, интересующихся физико-техническими вопросами построения систем обнаружения и целеуказания высокоточным системам.

Изложены основные принципы расчета микрополосковых излучателей, микрополосковых антенн и антенных решеток в многослойных средах. За основу расчета принято обоснованное построение математических моделей микрополосковых антенн, использующих интегральные и интегродифференциальные уравнения I-го рода с указанием особенностей их численного решения. Даны примеры построения математических моделей и вычислительных алгоритмов анализа различных микрополосковых антенн и фазированных антенных решеток. Может быть полезна специалистам в области микрополосковой антенной техники, а также рекомендуется студентам специальности «200700 -радиотехника» и «071500 — Радиофизика и электроника» как дополнение при изучении курса «Устройства СВЧ и антенны», при выполнении индивидуальных заданий, прохождения лабораторного практикума, курсового и дипломного проектирования.

16 мая 1960 года Теодор Мейман сделал первый в мире лазер, получив генерацию красного когерентного света в кристалле рубина. Мейман выиграл лазерную гонку в соревновании с ведущими промышленными лабораториями и университетами США, стремившимися первыми получить когерентный свет после создания микроволнового усилителя - мазера. Сообщение Меймана о своем достижении на пресс-конференции в Нью-Йорке 7 июля 1960 года вызвало сенсацию и было встречено многими учеными сначала с недоверием. Однако конструкция рубинового лазера Меймана была настолько простой, элегантной и эффективной, что уже через несколько месяцев этот лазер смогли воспроизвести в других лабораториях и его конструкция была использована для создания других лазеров. В своей автобиографической книге Теодор Мейман увлекательно описывает свое детство, годы учебы в университетах США и свои исследования в Лаборатории Хьюза в Калифорнии, которые привели к созданию лазера. Он откровенно рассказывает о действиях влиятельных ученых-конкурентов из лабораторий на Восточном побережье США, которые в течение многих лет пытались преуменьшить значение его выдающегося достижения. 2010 год объявлен Международным годом лазера, и научный мир празднует во многих странах пятидесятилетний юбилей этого замечательного научного и технологического достижения XX века. В связи с полувековым юбилеем создания первого лазера книга Теодора Меймана переведена на русский язык. Книга содержит предисловие Кэтлин Мейман, написанное специально для русского издания.

Выпуск сборника посвящен истории создания и развития отечественной электронной промышленности как самостоятельной отрасли. Выделение электронной промышленности произошло 16 марта 1961 года созданием Государственного комитета по электронной технике и назначением А. И. Шокина председателем комитета — министром электронной промышленности. С этого момента отечественная электронная промышленность развивалась стремительными темпами, войдя в тройку мировых лидеров. К сожалению, эта позиция была утрачена в годы перестройки и последующие, и лишь в последнее время наметилась тенденция к некоторому восстановлению. Целью данного сборника является желание описать истинную историю отечественной электронной промышленности и внушить читателю оптимизм по поводу будущего российской электроники.

Коллективная монография, написанная ведущими американскими специалистами и посвященная актуальным проблемам физики газовых лазеров. Главное внимание уделено вопросам повышения КПД, мощности и улучшению других параметров этих лазеров. Дается подробный анализ влияния отрицательных ионов на характеристики активных сред. Излагаются теория неравновесного состояния газа, лежащая в основе кинетической модели СО-лазера и широкого класса химических лазеров, а также теории ион-ионной и электрон-ионной рекомбинаций. Описываются физические аспекты мощных лазерных усилителей на СО2. Большое внимние уделено эксимерным лазерам и связанным с ними вопросам (спектроскопии эксимерных молекул, модельным представлениям механизмов образования и разрушения верхнего лазерного уровня, экспериментальным исследованиям электроразрядных лазеров, процессам поглощения УФ излучения, разрядам высокого давления с предыонизацией, анализу устойчивости разрядов, используемых для накачки).Справочное руководство для научных работников и инженеров, специализирующихся в области атомной и молекулярной физики, квантовой электроники и спектроскопии, а также для студентов и аспирантов.

Рассмотрены итоги развития фотоэлектроники к концу первого десятилетия нашего века. Приведены типы и параметры промышленных фотоприемников на основные спектральные диапазоны от ультрафиолетового до длинноволнового инфракрасного. Выявлены главные направления дальнейших исследований и разработок. Это фокально-плоскостные матрицы: с лавинным умножением, в том числе со счетом фотонов в линейном и Гейгер-режимах в каждом пикселе; с формированием 3D изображения, в том числе с фиксацией момента прихода и интенсивности оптического импульса; двухдиапазонные, в том числе чувствительные одновременно к тепловому излучению (3—5 мкм либо 8—10 мкм) и к лазеру (1,3—1,55 мкм). Это инфракрасные фокальные матрицы на основе квантоворазмерных структур. Это лавинные фотодиоды с уменьшенными током, шумами, с повышенным быстродействием для волоконно-оптических линий и других лазерных оптико-электронных систем. Для специалистов — инженеров и научных работников, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем, а также для преподавателей, студентов и аспирантов соответствующих специальностей вузов.