В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.

Книга посвящена новому разделу физики твердого тела и твердотельной электроники — исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеют большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел и, кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Предмет книги изложен на нескольких уровнях — от качественного рассмотрения и феноменологических расчетов до строгого количественного анализа. Значительное место уделено обсуждению экспериментальных результатов. Книга рассчитана на широкий круг научных работников — специалистов в области физики полупроводников и диэлектриков, инженеров, занимающихся исследованием электронных процессов в твердом теле, а также на студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специальностей.

В книгу вошла значительная часть научных статей и обзоров по общей теории относительности, физике твердого тела (акустоэлектронике) и акустооптике, выдающегося физика академика В. И. Пустовойта. Им впервые в мире построена теория, описывающая изменение интерференционной световой картины в поле гравитационной волны, и высказана идея использования интерферометра Майкельсона для регистрации гравитационных волн (1962), выдвинута идея усиления акустических волн в полупроводниках дрейфом электронов (1961) и идея использования поверхностных акустических волн в электронике (1963 г., совместно с акад. Ю. В. Гуляевым), а также исследованы задачи дифракции света в кристаллах, решение которых позволило содать более точные методы спектральных измерений и на их основе впервые в мире спектрометры УФ, видимого и ИК диапазонов - "Акустооптические спектрометры". Для научных работников, аспирантов и студентов.

В книге изложены основные представления физики конденсированных сред. На основании понятий дальнего и ближнего порядков рассмотрена структура вещества в твердом и жидком состояниях. Изложены основы зонной теории твердых тел и квантово-механический подход к изучению структуры и свойств конденсированных сред. Описаны их основные свойства (механические, электрические, магнитные, оптические), термодинамика и явления переноса. взаимодействие излучений с веществом. Рассмотрен особый тип конденсированных тел - полимер, демонстрирующие многообразие надмолекулярных механических свойства. описаны методы экспериментального изучения конденсированных сред. Книга содержит большую совокупность физических терминов, включающую практически всю номенклатуру понятий физики конденсированного состояния. Предназначена главным образом для аспирантов и студентов, специализирующихся в физике конденсированных сред. Будет полезна при изучении курсов общей физики, физики магнетизма, оптики, физики полупроводников и диэлектриков.

Учебное пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов факультетов физики и технологии и предпринимательства педагогических университетов. рассмотрены основные положения и идеи современной электрофизики полимерных диэлектриков, а также важнейшие научные достижения, полученные в ходе их развития. В содержание данного пособия включены материалы, обеспечивающие понятийную и информационную поддержку таких дисциплин как :"Общая физика", "Прикладная физика", "Физика твердого тела", "Современная техническая физика", "Наукоемкие технологии", "Материаловедение".

Дан анализ процессов формирования объемного электрического заряда в диэлектрических материалах, облучаемых ускоренными электронами, гамма-квантами и тяжелыми заряженными частицами. Рассмотрены случаи заряжения неорганических диэлектриков. Сформулированы условия, необходимые для стабилизации объемного заряда и развития внутренних электрических пробоев. Особое внимание уделено радиоактивным материалам, процессам накопления, нейтрализации и компенсации в них электрического заряда. Теоретический материал иллюстрируется расчетами и экспериментальными данными. Рассмотрено влияние объемного электрического заряда на распределение поглощенной дозы в веществе, кинетику растворения, испарения и другие свойства твердых тел. Описаны методы зондирования объемного заряда.Для научных работников, инженеров и технологов, работающих в области радиационной физики и химии твердых малопроводящих и изоляционных материалов.

В справочнике приводятся данные о материалах, которые применяются при производстве микроэлектронных устройств, о способах очистки, механической, химической и электромеханической обработки. Рассмотрены вопросы диффузии, эпитаксии, выращивания монокристаллов полупроводников, вакуумного напыления, литографии и сборки в производстве микроэлектронных устройств. Для специалистов, работающих в области технологии микроэлектронных устройств, может быть полезен учащимся профтехучилищ соответствующего профиля.

В первой части книги излагаются основные вопросы физики твердотельных систем пониженной размерности, последовательно рассматриваются особенности энергетического спектра частиц, транспортных и оптических свойств и процессы переноса частиц в различных квантово-размерных структурах. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников соответствующего профиля, а также для студентов технических университетов.